IXFN210N20P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 105A
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 105A
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
60
103
18.6
3270
80
43
30
70
18
255
94
83
0.14
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
（ M4螺钉（ 4X ）提供）
SOT- 227B （ IXFN ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 105A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 105A ， -di / DT = 150A / μs的
V
R
= 100V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
210
800
1.3
200
1.34
18
A
A
V
ns
μC
A
记
1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN210N20P
图。 13.最大瞬态热阻抗
1
0.1
Z
（日） JC
- C / W
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2010 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： F_210N20P （ 9S ） 10年5月26日-A
QQ：2880707522 复制
