PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFN 60N80P
V
DSS
I
D25
= 800 V
= 53 A
R
DS （ ON）
≤
140 m
≤
250纳秒
t
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25° C
最大额定值
800
800
±30
±40
53
250
30
100
5
20
1040
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
任一源极端S能够被用作
源端或开尔文源（门
返回）端子。
特点
国际标准套餐
环氧树脂封装符合
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
50/60赫兹， RMS
T = 1分
I
ISOL
≤
1毫安
t=1s
安装力矩
终端连接扭矩
300
2500
3000
UL 94 V - 0阻燃等级
隔离
快恢复二极管
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
miniBLOC与氮化铝
l
l
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
l
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= I
T
注意1
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
800
3.0
5.0
±200
25
3000
140
V
V
nA
A
A
m
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
2006 IXYS所有权利
DS99562E(02/06)
IXFN 60N80P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
35
67
18
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1200
44
36
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
（外部）
29
110
26
250
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
90
78
0.12
0.05
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
SOT- 227B外形
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= I
T
注意1
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项：
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
60
150
1.5
250
0.6
6.0
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
测试电流I
T
= 30 A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFN 60N80P
图。 7.输入导纳
80
70
60
50
40
30
20
10
0
4
4.25
4.5
4.75
5
5.25
5.5
5.75
6
6.25
6.5
6.75
130
120
110
100
T
J
= 125C
25C
- 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
T
J
= - 40C
25C
125C
I
D
- 安培
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
180
160
140
120
10
9
8
7
V
DS
= 400V
I
D
= 30A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
100
80
60
40
20
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240 260
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
F = 1 MHz的
图。 12.最大瞬态热
阻力
1.000
电容 - 皮法
10,000
国际空间站
1,000
OSS
R
（日） JC
- C / W
0.100
0.010
100
RSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲W ID - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
QQ：2881677436 复制
