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PD - 97436
IRF7351PbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
同步整流MOSFET的
隔离式DC- DC转换器
l
低功率电机驱动系统
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
QG （典型值）。
60V 17.8米
@V
GS
= 10V 24nC
好处
l
超低栅极阻抗
l
充分界定雪崩电压
和电流
l
20V V
GS
马克斯。门评级
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
D1
D1
D2
D2
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
60
± 20
8.0
6.4
64
2.0
1.28
0.016
-55到+ 150
单位
V
f
功耗
f
功耗
c
A
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
R
θJL
R
θJA
g
结到环境
fg
结到漏极引线
参数
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
62.5
单位
° C / W
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
1
11/18/09
IRF7351PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
60
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
18
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.068
13.7
–––
-8.2
–––
–––
–––
–––
–––
24
3.8
1.2
7.2
11.8
8.4
7.5
5.1
5.9
17
6.7
1330
190
92
–––
–––
17.8
4.0
–––
20
250
100
-100
–––
36
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 30V
ns
nC
nC
V
DS
= 30V
V
GS
= 10V
I
D
= 6.4A
S
nA
V
m
V
毫伏/°C的
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 25V ，我
D
= 6.4A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
e
参照图17
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 6.4A
R
G
= 1.8
e
= 1.0MHz的
马克斯。
325
6.4
单位
mJ
A
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
61
1.8
A
64
1.3
30
92
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6.4A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 6.4A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 300A / μs的
e
e
2
www.irf.com
IRF7351PbF
100
顶部
VGS
10V
8.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.3V
4.0V
3.8V
100
顶部
VGS
10V
8.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.3V
4.0V
3.8V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
10
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
3.8V
0.1
1
10
100
1000
3.8V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
1
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1.8
1.5
1.3
1.0
0.8
0.5
ID = 8.0A
VGS = 10V
10
T J = 25°C
T J = 150℃
1
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7351PbF
100000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的，C DS短路
CRSS = C GD
COSS =硫化镉+ Cgd的
14.0
ID = 6.4A
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
10000
C，电容（pF ）
1000
西塞
科斯
CRSS
100
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
5
10
15
20
25
30
35
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
10
10msec
DC
1
T A = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
T J = 150℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
1msec
1
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.01
0.1
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7351PbF
8
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
3.5
7
6
5
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
3.0
ID ，漏电流（ A）
2.5
ID = 50μA
2.0
1.5
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
100
热响应（Z thJA ）° C / W
10
1
0.1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
A
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
4
τ
A
RI（ ° C / W）
3.6777
21.765
25.683
11.374
τ
J
0.009926
25.24029
3.723179
0.348001
τi
（秒）
0.01
0.001
CI-
τi /日
CI-
τi /日
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.0001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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IDT6116LA120TPB
IDT49FCT805AEB
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IDT7204L120DB
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ISL9007IUKZ
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ISD17180EY01
IS320
IH5341EPD
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IDT7143LA90PFB
IXFN60N80P
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    IRF7351PBF
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    -
    -
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NA
全新原装欢迎咨询
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IRF7351PBF
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IRF7351PBF
IR
2500
21+
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联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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IR
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电话：0755-89697985
联系人：李
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