IXFN40N90P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 20A
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 20A
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 20A ，注1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
18
30
1.5
14
896
58
53
50
77
46
230
70
100
S
Ω
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.18
° C / W
° C / W
SOT- 227B外形
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 20A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
40
160
1.5
300
1.7
14
A
A
V
ns
μC
A
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN40N90P
图。 7.输入导纳
55
50
45
40
55
50
45
40
T
J
= 125C
25C
- 40C
25C
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
35
30
25
20
15
10
5
0
4.5
5.0
5.5
6.0
35
30
25
20
15
10
5
0
125C
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
120
16
V
DS
= 450V
14
100
12
I
D
= 20A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
80
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
10
8
6
60
40
4
20
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
0
50
100
150
200
250
300
350
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
1.000
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
10,000
西塞
1,000
科斯
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
0.100
0.010
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_40N90P （ 96 ） 08年10月23日
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