HiPerFET
TM
功率MOSFET
IXFN 26N90
单芯片MOSFET
IXFN 25N90
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
G
D
V
DSS
900 V
900 V
I
D（续）
26 A
25 A
R
DS （ ON）
0.30
W
0.33
W
t
rr
250纳秒
250纳秒
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
J
V
ISOL
M
d
重量
符号
测试条件
从案例10秒1.6毫米（ 0.63 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
26N90
25N90
26N90
25N90
26N90
25N90
S
S
最大额定值
900
900
±20
±30
26
25
104
100
26
25
64
3
5
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
-
2500
3000
V
V
V
V
A
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
特点
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
国际标准套餐
miniBLOC ，用氮化铝
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
应用
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
900
3.0
5.0
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
26N90
25N90
100
2
0.30
0.33
V
V
nA
mA
mA
W
W
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
V
DS
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
= 0.8 V
DSS
=0V
优势
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
易于安装
节省空间
高功率密度
97526E (10/99)
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFN 25N90
IXFN 26N90
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
18
28
8.7
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
300
60
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
35
130
24
240
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
56
107
10.8
375
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.21 K / W
0.05
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
0
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
800 1000
25.07 0.968
0.1 -0.002
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
26N90
25N90
26N90
25N90
26
25
104
100
1.5
250
1.4
10
A
A
V
ns
mC
A
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFN25N90
IXFN26N90
图7.栅极电荷
15
12
V DS = 500 V
I D = 13的
我G = 10毫安
图8.电容曲线
20000
10000
西塞
电容 - pF的
F = 1MHz的
V
GS
- 伏特
9
6
3
0
0
50
100
150
200
250
300
350
科斯
1000
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
本征二极管图9.正向电压降
50
45
40
25
IXFN25N90
T J = 125摄氏度
30
IXFN26N90
I
D
- 安培
35
30
25
20
15
10
5
0
I
D
- 安培
1.5
20
15
10
5
0
-50
T J = 25摄氏度
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
SD
- 伏特
案例Temperatue -
o
C
0.300
0.100
R（日）
JC
- K / W
0.010
0.001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲W ID - 秒
图11.瞬态热阻
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_26N90 （ 9X ） 08年12月9日
QQ：2880707522 复制
