【高压BIMOSFETTM单片双极MOS晶体管N沟道，增强模式IXBH 20N140IXBH 20N1】,IC型号IXBH20N160,IXBH20N160 PDF资料,IXBH20N160经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第221页 > IXBH20N160

高压BIMOSFET

TM

单片双极

MOS晶体管

N沟道，增强模式

IXBH 20N140

IXBH 20N160

V

CES

I

C25

V

CE （ SAT ）

t

fi

的TO- 247的AD

=

=

=

=

1400/1600 V

20 A

4.7 V

典型值。

40纳秒

C

G

G

C

E

E

G =门，

E =发射器，

C =收藏家，

TAB =收藏家

C（ TAB ）

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C90

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

M

d

重量

条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1兆瓦

连续

短暂

T

C

= 25°C,

T

C

= 90°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

最大额定值

20N140

20N160

1400

1400

1600

1600

±20

±30

20

13

26

I

CM

= 24

200

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

V

V

V

A

A

A

A

W

°C

°C

°C

°C

特点

国际标准套餐

JEDEC TO- 247 AD

高压BIMOSFET

TM

- 替换高压达林顿

和串联连接的MOSFET

- 较低的有效

DS （ ON）

单片建设

- 高阻断电压能力

- 非常快速的关断特性

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

反向传导能力

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 27

W

V

CE

= 0.8V

CES

钳位感性负载， L = 100

mH

T

C

= 25°C

应用

反激式转换器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

CRT偏转

灯泡镇流器

从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）

安装力矩

300

1.15 / 10牛米/ lb.in 。

6

g

符号

条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

20N140

20N160

1400

1600

4

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

8

300

1

±

500

T

J

= 125°C

4.7

5.4

6.5

V

V

V

mA

mA

nA

V

V

优势

易于使用1个螺丝安装

（隔绝安装螺纹孔）

节省空间

高功率密度

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 1毫安， V

GE

= 0 V

= 1.5毫安， V

CE

= V

GE

V

CE

= 0.8 V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V

版权所有2000 IXYS所有权利。

1-4

031

IXBH 20N140

IXBH 20N160

符号

条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

2100

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

I

C

= 13 A，V

CE

= 600 V, V

GE

= 15 V

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V ， L = 100

mH的，

V

CE

= 960 V ，R

G

= 27

W

140

20

60

200

60

180

40

pF

pF

pF

nC

ns

ns

ns

ns

0.6 K / W

0.25

K / W

暗淡。毫米

分钟。马克斯。

A

B

C

D

19.81 20.32

20.80 21.46

15.75 16.26

3.55 3.65

4.32 5.49

5.4

6.2

1.65 2.13

-

4.5

1.0

1.4

10.8 11.0

4.7

0.4

5.3

0.8

英寸

分钟。马克斯。

0.780 0.800

0.819 0.845

0.610 0.640

0.140 0.144

0.170 0.216

0.212 0.244

0.065 0.084

-

0.177

0.040 0.055

0.426 0.433

0.185 0.209

0.016 0.031

0.087 0.102

的TO- 247的AD概要

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

R

thJC

R

thCK

逆向传导

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

条件

分钟。

典型值。

3.6

马克斯。

5

V

E

F

G

H

J

K

L

M

N

符号

V

F

I

F

= I

C90

, V

GE

= 0 V

1.5 2.49

版权所有2000 IXYS所有权利。

2-4

IXBH 20N140

IXBH 20N160

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

8

10

12

T

J

= 25°C

V

GE

= 17V

15V

13V

80

70

60

T

J

= 125°C

V

GE

= 17V

15V

13V

I

C

- 安培

I

C

- 安培

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

8

10

12

14

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 1典型值。输出特性

60

V

CE

= 20V

图。 2典型。输出特性

60

50

50

I

F

- 安培

I

C

- 安培

40

30

20

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

40

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

30

20

10

0

10

0

4

5

6

7

8

9

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

GE

- 伏特

V

F

- 伏特

图。 3典型。传输特性

16

14

12

图。 4典型。反向特性

传导

30

V

CE

= 600V

I

C

= 13A

I

CM

- 安培

V

GE

- 伏特

10

8

6

4

2

0

0

10

20

30

40

50

60

70

20

T

J

= 125°C

V

CEK

＆ LT ; V

CES

10

IXBH 20N140

IXBH 20N160

0

0

400

800

1200

1600

Q

G

- nanocoulombs

V

CE

- 伏特

图。 5典型。栅极电荷特性

图。 6反向偏置安全工作区

RBSOA

版权所有2000 IXYS所有权利。

3-4

IXBH 20N140

IXBH 20N160

50

45

300

40

35

30

25

20

0

t

D（关闭）

- 纳秒

10

15

20

25

30

t

fi

- 纳秒

R

G

= 27

W

T

J

= 125°C

V

CE

= 960V

V

GE

= 15V

V

CE

= 960V

V = 15V

250

GE

I

C

= 13A

T

J

= 125°C

200

150

100

50

0

5

0

10

20

30

40

50

I

C

- 安培

R

G

- 欧姆

图。 7典型。下降时间

1

图。 8典型。关闭延迟时间

0.1

Z

thJC

- K / W

0.01

单脉冲

0.001

0.0001

0.00001

IXBH20

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

脉冲宽度 - 秒

图。 9典型。瞬态热阻抗

版权所有2000 IXYS所有权利。

4-4

高压BIMOSFET

TM

单片双极

MOS晶体管

N沟道，增强模式

IXBH 20N140

IXBH 20N160

V

CES

I

C25

V

CE （ SAT ）

t

fi

的TO- 247的AD

=

=

=

=

1400/1600 V

20 A

4.7 V

典型值。

40纳秒

C

G

G

C

E

E

G =门，

E =发射器，

C =收藏家，

TAB =收藏家

C（ TAB ）

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C90

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

M

d

重量

条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1兆瓦

连续

短暂

T

C

= 25°C,

T

C

= 90°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

最大额定值

20N140

20N160

1400

1400

1600

1600

±20

±30

20

13

26

I

CM

= 24

200

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

V

V

V

A

A

A

A

W

°C

°C

°C

°C

特点

国际标准套餐

JEDEC TO- 247 AD

高压BIMOSFET

TM

- 替换高压达林顿

和串联连接的MOSFET

- 较低的有效

DS （ ON）

单片建设

- 高阻断电压能力

- 非常快速的关断特性

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

反向传导能力

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 27

W

V

CE

= 0.8V

CES

钳位感性负载， L = 100

mH

T

C

= 25°C

应用

反激式转换器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

CRT偏转

灯泡镇流器

从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）

安装力矩

300

1.15 / 10牛米/ lb.in 。

6

g

符号

条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

20N140

20N160

1400

1600

4

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

8

300

1

±

500

T

J

= 125°C

4.7

5.4

6.5

V

V

V

mA

mA

nA

V

V

优势

易于使用1个螺丝安装

（隔绝安装螺纹孔）

节省空间

高功率密度

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 1毫安， V

GE

= 0 V

= 1.5毫安， V

CE

= V

GE

V

CE

= 0.8 V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V

版权所有2000 IXYS所有权利。

1-4

031

IXBH 20N140

IXBH 20N160

符号

条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

2100

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

I

C

= 13 A，V

CE

= 600 V, V

GE

= 15 V

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V ， L = 100

mH的，

V

CE

= 960 V ，R

G

= 27

W

140

20

60

200

60

180

40

pF

pF

pF

nC

ns

ns

ns

ns

0.6 K / W

0.25

K / W

暗淡。毫米

分钟。马克斯。

A

B

C

D

19.81 20.32

20.80 21.46

15.75 16.26

3.55 3.65

4.32 5.49

5.4

6.2

1.65 2.13

-

4.5

1.0

1.4

10.8 11.0

4.7

0.4

5.3

0.8

英寸

分钟。马克斯。

0.780 0.800

0.819 0.845

0.610 0.640

0.140 0.144

0.170 0.216

0.212 0.244

0.065 0.084

-

0.177

0.040 0.055

0.426 0.433

0.185 0.209

0.016 0.031

0.087 0.102

的TO- 247的AD概要

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

R

thJC

R

thCK

逆向传导

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

条件

分钟。

典型值。

3.6

马克斯。

5

V

E

F

G

H

J

K

L

M

N

符号

V

F

I

F

= I

C90

, V

GE

= 0 V

1.5 2.49

版权所有2000 IXYS所有权利。

2-4

IXBH 20N140

IXBH 20N160

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

8

10

12

T

J

= 25°C

V

GE

= 17V

15V

13V

80

70

60

T

J

= 125°C

V

GE

= 17V

15V

13V

I

C

- 安培

I

C

- 安培

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

8

10

12

14

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 1典型值。输出特性

60

V

CE

= 20V

图。 2典型。输出特性

60

50

50

I

F

- 安培

I

C

- 安培

40

30

20

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

40

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

30

20

10

0

10

0

4

5

6

7

8

9

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

GE

- 伏特

V

F

- 伏特

图。 3典型。传输特性

16

14

12

图。 4典型。反向特性

传导

30

V

CE

= 600V

I

C

= 13A

I

CM

- 安培

V

GE

- 伏特

10

8

6

4

2

0

0

10

20

30

40

50

60

70

20

T

J

= 125°C

V

CEK

＆ LT ; V

CES

10

IXBH 20N140

IXBH 20N160

0

0

400

800

1200

1600

Q

G

- nanocoulombs

V

CE

- 伏特

图。 5典型。栅极电荷特性

图。 6反向偏置安全工作区

RBSOA

版权所有2000 IXYS所有权利。

3-4

IXBH 20N140

IXBH 20N160

50

45

300

40

35

30

25

20

0

t

D（关闭）

- 纳秒

10

15

20

25

30

t

fi

- 纳秒

R

G

= 27

W

T

J

= 125°C

V

CE

= 960V

V

GE

= 15V

V

CE

= 960V

V = 15V

250

GE

I

C

= 13A

T

J

= 125°C

200

150

100

50

0

5

0

10

20

30

40

50

I

C

- 安培

R

G

- 欧姆

图。 7典型。下降时间

1

图。 8典型。关闭延迟时间

0.1

Z

thJC

- K / W

0.01

单脉冲

0.001

0.0001

0.00001

IXBH20

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

脉冲宽度 - 秒

图。 9典型。瞬态热阻抗

版权所有2000 IXYS所有权利。

4-4

查看更多IXBH20N160PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IXBH20N160

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IXBH20N160

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：892174007 复制

点击这里给我发消息

QQ：2300949663 复制

点击这里给我发消息

QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

IXBH20N160

专营IXYS

2024

61888

TO-247

原装现货上海库存，欢迎查询

瀚佳科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3539722974 复制

点击这里给我发消息

QQ：2480898381 复制

电话：0755-23915992/23140719

联系人：李

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

IXBH20N160

IXYS

24+

2177

MODULE

公司大量现货随时可以发货

深圳市晶美隆科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885393495 复制

电话：0755-82865294/82517859

联系人：吴小姐

地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室

IXBH20N160

IXYS/艾赛斯

24+

1980

MODULE

假一罚十，原装进口正品现货供应，只做原装

瀚佳科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3539722974 复制

点击这里给我发消息

QQ：3449124707 复制

电话：0755-23915992/23140719

联系人：李小姐

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

IXBH20N160

IXYS

24+

2177

MODULE

公司大量现货随时可以发货

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

IXBH20N160

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9153

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

IXBH20N160

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8341

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多IXBH20N160供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！