HiPerFET
TM
功率MOSFET
单个MOSFET模
初步数据表
IXFN 180N10
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 100 V
= 180 A
=
8 m
t
rr
≤
250纳秒
符号测试条件
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1M
连续
短暂
T
C
= 25°C
终端（限流）
T
C
= 25°C ;注1
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
100
100
±20
±30
180
100
720
180
60
3
5
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
国际标准套餐
环氧树脂封装符合
UL 94 V - 0阻燃等级
miniBLOC与氮化铝
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
应用
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V,
V
GS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注2
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
100
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
8
V
V
nA
A
mA
m
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有1999 IXYS所有权利。
98546B (8/99)
IXFN 180N10
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
LOC ， SOT- 227 B
miniBLOC ， SOT- 227 B
0.05
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A ，注2
特征值
分钟。典型值。马克斯。
60
90
9100
3200
1600
50
90
140
65
360
65
190
0.21
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
源极 - 漏极二极管
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
测试条件
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项：
1.
2.
V
GS
= 0
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 50 A， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 50 V
R
S
特征值
分钟。典型值。马克斯。
180
720
1.5
250
1.1
13
A
A
V
ns
C
A
T
U
脉冲宽度限制T
JM 。
脉冲测试，T
≤
300毫秒，占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
艾赛斯的MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利： 4835592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFN 180N10
图7.栅极电荷
15
10000
12
V
DS
=50V
I
D
=90A
I
G
=10mA
图8.电容曲线
西塞
9
6
3
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
电容 - pF的
F = 100KHz的
科斯
V
GS
- 伏特
CRSS
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
本征二极管图9.正向电压降
200
175
V
GS
= 0V
图10.正向偏置安全工作区
200
100
1毫秒
150
I
D
- 安培
I
D
- 安培
125
100
T
J
=125
O
C
10毫秒
10
T
C
= 25 C
O
75
50
25
0
T
J
=25
O
C
DC
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
V
SD
- 伏特
V
DS
- 伏特
图11.瞬态热阻
0.40
0.20
R（日）
JC
- K / W
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
QQ：2880707522 复制
