HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH / IXFM 10 N100
IXFH / IXFM 12 N100
IXFH 13 N100
I
D25
R
DS （ ON）
1000 V 10 A 1.20
W
1000 V 12 1.05
W
1000 V 12.5 0.90
W
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
10N100
12N100
13N100
10N100
12N100
13N100
10N100
12N100
13N100
最大额定值
1000
1000
±20
±30
10
12
12.5
40
48
50
10
12
12.5
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
TO- 204 AA （ IXFM ）
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
D
G =门，
S =源，
G
D =排水，
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
q
国际标准封装
q
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
q
坚固的多晶硅栅单元结构
q
非钳位感应开关（ UIS）
评级
q
低封装电感
- 易于驾驶和保护
q
快速内在整流器
应用
q
DC- DC转换器
q
同步整流
q
电池充电器
q
开关模式和谐振模
电源
q
直流斩波器
q
交流电动机的控制
q
温度和照明控制
q
低电压继电器
优势
q
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
q
节省空间
q
高功率密度
91531F(4/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2.0
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
1
1.20
1.05
0.90
V
V
nA
mA
mA
W
W
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
10N100
12N100
13N100
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH 10N100 IXFH 12N100 IXFH 13N100
IXFM 10N100 IXFM 12N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
10
4000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
310
70
21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
W
（外部）
33
62
32
122
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
50
50
50
100
50
155
45
80
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10N100
12N100
13N100
10N100
12N100
13N100
10
12
12.5
40
48
50
1.5
A
A
A
A
A
A
V
J
K
L
M
N
1.5 2.49
TO- 204 AA （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
2
10
15
250
400
ns
ns
mC
mC
A
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40 9.14
0.97 1.09
1.53 2.92
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 25.90
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFH 10N100 IXFH 12N100 IXFH 13N100
IXFM 10N100 IXFM 12N100
图。 1输出特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
7V
6V
图。 2输入导纳
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
J
= 25°C
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3
1.5
R
DS （ ON）
与漏电流
2.50
图。 4
温度依赖性
的漏极至源极电阻
T
J
= 25°C
1.4
2.25
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 6A
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
5
10
15
20
25
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
20
18
16
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
1.1
V
GS （ TH）
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
14
12
10
8
6
4
2
0
-50
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
12N100
10N100
-25
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXFH 10N100 IXFH 12N100 IXFH 13N100
IXFM 10N100 IXFM 12N100
图7栅极电荷特性曲线
10
9
8
7
V
DS
= 500V
I
D
= 6A
I
G
= 10毫安
10s
10
限于由R
DS （ ON）
100s
1ms
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
V
GS
- 伏特
1
10ms
100ms
0.1
1
10
100
1000
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图8电容曲线
4500
4000
C
国际空间站
图9源电流和源
漏极电压
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
T
J
= 125°C
电容 - pF的
3500
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
C
OSS
C
RSS
I
D
- 安培
3000
T
J
= 25°C
10
15
20
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏特
图10瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH / IXFM 10 N100
IXFH / IXFM 12 N100
IXFH 13 N100
I
D25
R
DS （ ON）
1000 V 10 A 1.20
W
1000 V 12 1.05
W
1000 V 12.5 0.90
W
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
10N100
12N100
13N100
10N100
12N100
13N100
10N100
12N100
13N100
最大额定值
1000
1000
±20
±30
10
12
12.5
40
48
50
10
12
12.5
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
TO- 204 AA （ IXFM ）
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
D
G =门，
S =源，
G
D =排水，
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
q
国际标准封装
q
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
q
坚固的多晶硅栅单元结构
q
非钳位感应开关（ UIS）
评级
q
低封装电感
- 易于驾驶和保护
q
快速内在整流器
应用
q
DC- DC转换器
q
同步整流
q
电池充电器
q
开关模式和谐振模
电源
q
直流斩波器
q
交流电动机的控制
q
温度和照明控制
q
低电压继电器
优势
q
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
q
节省空间
q
高功率密度
91531F(4/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2.0
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
1
1.20
1.05
0.90
V
V
nA
mA
mA
W
W
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
10N100
12N100
13N100
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH 10N100 IXFH 12N100 IXFH 13N100
IXFM 10N100 IXFM 12N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
10
4000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
310
70
21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
W
（外部）
33
62
32
122
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
50
50
50
100
50
155
45
80
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10N100
12N100
13N100
10N100
12N100
13N100
10
12
12.5
40
48
50
1.5
A
A
A
A
A
A
V
J
K
L
M
N
1.5 2.49
TO- 204 AA （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
2
10
15
250
400
ns
ns
mC
mC
A
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40 9.14
0.97 1.09
1.53 2.92
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 25.90
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFH 10N100 IXFH 12N100 IXFH 13N100
IXFM 10N100 IXFM 12N100
图。 1输出特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
7V
6V
图。 2输入导纳
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
J
= 25°C
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3
1.5
R
DS （ ON）
与漏电流
2.50
图。 4
温度依赖性
的漏极至源极电阻
T
J
= 25°C
1.4
2.25
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 6A
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
5
10
15
20
25
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
20
18
16
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
1.1
V
GS （ TH）
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
14
12
10
8
6
4
2
0
-50
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
12N100
10N100
-25
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXFH 10N100 IXFH 12N100 IXFH 13N100
IXFM 10N100 IXFM 12N100
图7栅极电荷特性曲线
10
9
8
7
V
DS
= 500V
I
D
= 6A
I
G
= 10毫安
10s
10
限于由R
DS （ ON）
100s
1ms
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
V
GS
- 伏特
1
10ms
100ms
0.1
1
10
100
1000
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图8电容曲线
4500
4000
C
国际空间站
图9源电流和源
漏极电压
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
T
J
= 125°C
电容 - pF的
3500
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
C
OSS
C
RSS
I
D
- 安培
3000
T
J
= 25°C
10
15
20
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏特
图10瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
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