PD-96958
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（低电阻TO- 254AA ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
I
D
IRHMS67164 100K拉德（SI ） 0.019Ω 45A *
IRHMS63164 300K拉德（SI ） 0.019Ω 45A *
IRHMS67164
150V N沟道
技术
国际整流器公司的R6
TM
技术提供
卓越的功率MOSFET的空间应用。
这些器件具有提高免疫力单
事件效应（ SEE ） ，并已用于表征
与线性能量转移有用的性能
（ LET ）达90MeV / （毫克/平方厘米
2
).
其非常低的组合
RDS （ ON）
快
开关次数减少了功率损耗和增大
在今天的高速开关功率密度
应用，如DC -DC转换器和电动机
控制器。这些设备保留所有井的
MOSFET的如电压建立优势
控制，易于并联和温度稳定性
的电参数。
低电阻
TO-254AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
快速开关
硬化单粒子效应（ SEE ）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
电气隔离
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
45*
44
180
208
1.67
±20
353
45
20.8
8.2
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 0.063英寸/1.6毫米的情况下， 10秒）
9.3 （典型值）
www.irf.com
1
12/22/05
IRHMS67164
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
150
—
—
2.0
49
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.019
4.0
—
10
25
100
-100
230
55
90
35
120
85
25
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 44A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS = 15V ， IDS = 44A
VDS = 120V ， VGS = 0V
VDS = 120V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 45A
VDS = 75V
VDD = 75V ， ID = 45A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/0.25in 。
从包）至源极引脚（6毫米/0.25in 。
从包中）与源内部的电线
从源引脚结合到漏极焊盘
西塞
科斯
CRSS
Rg
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
—
—
—
—
7380
1140
28
0.52
—
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的，开漏
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
45*
180
1.2
370
3.8
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = 45A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 45A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
— 0.60
0.21 —
—
48
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHMS67164
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏到Sourcee开启状态
电阻（低电阻TO- 254AA ）
二极管的正向电压
高达300K拉德（SI ）
民
150
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V，我
D
= 44A
V
GS
= 12V，我
D
= 44A
V
GS
= 0V时，我
D
= 45A
—
4.0
100
-100
10
0.019
0.019
1.2
零件号IRHMS67164和IRHMS63164
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一和表。
表单粒子效应安全工作区
氪离子
LET = 39兆电子伏/ （毫克/厘米2 ）
能量= 312兆电子伏
范围= 39微米
VGS偏置
VDS偏置
（伏）
（伏）
0
150
-5
150
-10
150
-15
150
-20
150
氙离子
LET = 59兆电子伏/ （毫克/厘米2 ）
能量= 825兆电子伏
范围= 66微米
VGS偏置
VDS偏置
（伏）
（伏）
0
150
-5
150
-9
150
-10
140
-11
50
-15
40
180
150
120
VDS
90
60
30
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Kr
Xe
Au
离子金
LET = 90兆电子伏/ （毫克/厘米2 ）
能量= 1480兆电子伏
范围= 80微米
VGS偏置
VDS偏置
（伏）
（伏）
0
50
-5
50
-10
30
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
预辐照
IRHMS67164
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
1
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
100KHz
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = 45A
16
VDS = 120V
VDS = 75V
VDS = 30V
C，电容（pF ）
西塞
12
科斯
8
CRSS
4
测试电路
见图13
0
0
40
80
120
160
200
240
280
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
100s
10
1ms
100
T J = 150℃
T J = 25°C
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
100
10ms
VGS = 0V
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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5
PD-96958
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（低电阻TO- 254AA ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
I
D
IRHMS67164 100K拉德（SI ） 0.019Ω 45A *
IRHMS63164 300K拉德（SI ） 0.019Ω 45A *
IRHMS67164
150V N沟道
技术
国际整流器公司的R6
TM
技术提供
卓越的功率MOSFET的空间应用。
这些器件具有提高免疫力单
事件效应（ SEE ） ，并已用于表征
与线性能量转移有用的性能
（ LET ）达90MeV / （毫克/平方厘米
2
).
其非常低的组合
RDS （ ON）
快
开关次数减少了功率损耗和增大
在今天的高速开关功率密度
应用，如DC -DC转换器和电动机
控制器。这些设备保留所有井的
MOSFET的如电压建立优势
控制，易于并联和温度稳定性
的电参数。
低电阻
TO-254AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
快速开关
硬化单粒子效应（ SEE ）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
电气隔离
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
45*
44
180
208
1.67
±20
353
45
20.8
8.2
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 0.063英寸/1.6毫米的情况下， 10秒）
9.3 （典型值）
www.irf.com
1
12/22/05
IRHMS67164
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
150
—
—
2.0
49
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.019
4.0
—
10
25
100
-100
230
55
90
35
120
85
25
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 44A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS = 15V ， IDS = 44A
VDS = 120V ， VGS = 0V
VDS = 120V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 45A
VDS = 75V
VDD = 75V ， ID = 45A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/0.25in 。
从包）至源极引脚（6毫米/0.25in 。
从包中）与源内部的电线
从源引脚结合到漏极焊盘
西塞
科斯
CRSS
Rg
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
—
—
—
—
7380
1140
28
0.52
—
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的，开漏
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
45*
180
1.2
370
3.8
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = 45A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 45A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
— 0.60
0.21 —
—
48
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHMS67164
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏到Sourcee开启状态
电阻（低电阻TO- 254AA ）
二极管的正向电压
高达300K拉德（SI ）
民
150
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V，我
D
= 44A
V
GS
= 12V，我
D
= 44A
V
GS
= 0V时，我
D
= 45A
—
4.0
100
-100
10
0.019
0.019
1.2
零件号IRHMS67164和IRHMS63164
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一和表。
表单粒子效应安全工作区
氪离子
LET = 39兆电子伏/ （毫克/厘米2 ）
能量= 312兆电子伏
范围= 39微米
VGS偏置
VDS偏置
（伏）
（伏）
0
150
-5
150
-10
150
-15
150
-20
150
氙离子
LET = 59兆电子伏/ （毫克/厘米2 ）
能量= 825兆电子伏
范围= 66微米
VGS偏置
VDS偏置
（伏）
（伏）
0
150
-5
150
-9
150
-10
140
-11
50
-15
40
180
150
120
VDS
90
60
30
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Kr
Xe
Au
离子金
LET = 90兆电子伏/ （毫克/厘米2 ）
能量= 1480兆电子伏
范围= 80微米
VGS偏置
VDS偏置
（伏）
（伏）
0
50
-5
50
-10
30
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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3
预辐照
IRHMS67164
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
1
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
100KHz
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = 45A
16
VDS = 120V
VDS = 75V
VDS = 30V
C，电容（pF ）
西塞
12
科斯
8
CRSS
4
测试电路
见图13
0
0
40
80
120
160
200
240
280
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
100s
10
1ms
100
T J = 150℃
T J = 25°C
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
100
10ms
VGS = 0V
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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5
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