【高级技术信息HiPerFETTM功率MOSFETQ3-ClassN沟道增强模式快速内在整流器IXFK】,IC型号IXFK32N100Q3,IXFK32N100Q3 PDF资料,IXFK32N100Q3经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

HiPerFET

TM

功率MOSFET

Q3-Class

N沟道增强模式

快速内在整流器

IXFK32N100Q3

IXFX32N100Q3

V

DSS

I

D25

R

DS （ ON）

t

rr

=

≤

1000V

32A

320mΩ

Ω

250ns

TO- 264 （ IXFK ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

V

GSM

I

D25

I

DM

I

A

E

AS

dv / dt的

P

D

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

T

出售

M

d

F

C

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GS

= 1MΩ

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

JM

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

I

S

≤

I

DM

, V

DD

≤

V

DSS

, T

J

≤

150°C

T

C

= 25°C

最大额定值

1000

±30

±40

32

96

32

3

50

1250

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

J

V / ns的

W

°C

纳米/ lb.in 。

N /磅。

g

G

D

S

TAB

PLUS247 （ IXFX ）

G

D

S

TAB

D =漏

TAB =漏

G =门

S =源

特点

低

内在的栅极电阻

低封装电感

快速内在整流器

低R

DS （ ON）

和Q

G

优势

高功率密度

易于安装

节省空间

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

塑料机身10秒

安装扭矩（ TO- 264 ）

安装力

TO-264

PLUS247

(PLUS247)

300

260

1.13/10

20..120 /4.5..27

10

6

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 0V时，我

D

= 3毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 8毫安

V

GS

=

±30V,

V

DS

= 0V

V

DS

= V

DSS

, V

GS

= 0V

T

J

= 125°C

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

1000

3.5

6.5

V

应用

DC- DC转换器

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

温度和照明控制

±200

nA

50

μA

2毫安

320 mΩ

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.5 I

D25

注意1

DS100300(02/11)

IXFK32N100Q3

IXFX32N100Q3

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

Gi

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ ON）的

Q

gs

Q

gd

R

thJC

R

乡镇卫生院

0.15

V

GS

= 10V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

门输入电阻

电阻开关时间

V

GS

= 10V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

R

G

= 1Ω （外部）

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

V

DS

= 20V ，我

D

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

20

32

9940

766

64

0.15

45

15

54

12

195

60

78

S

pF

Ω

ns

nC

0.10

° C / W

DIM 。

A

A1

A2

b

b1

b2

c

D

E

e

J

K

L

L1

P

Q

Q1

R

R1

S

T

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32 20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

端子： 1 - 门

2 - 漏极

3 - 来源

4 - 漏极

英寸

分钟。

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

TO- 264 AA大纲

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

RM

I

RM

V

GS

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

JM

I

F

= I

S

, V

GS

= 0V ，说明1

I

F

= 16A ， -di / DT = 100A / μs的

V

R

= 100V, V

GS

= 0V

1.2

12.3

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

32

128

1.4

A

V

PLUS 247

TM

概要

250纳秒

μC

A

记

1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

端子： 1 - 门

2 - 漏极

3 - 来源

DIM 。

A

1

A

2

b

1

b

2

C

D

E

e

L

L1

Q

R

高级技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成

"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试

条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

毫米

分钟。马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

7,157,338B2

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

IXFK32N100Q3

IXFX32N100Q3

图。 1.输出特性@ T

J

= 25C

32

V

GS

= 10V

28

8V

24

50

8V

60

70

V

GS

= 10V

图。 2.扩展的输出特性@ T

J

= 25C

I

D

- 安培

I

D

- 安培

20

16

7V

12

8

4

6V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

40

30

20

7V

10

6V

0

5

10

15

20

25

30

V

DS

- 伏特

V

DS

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

J

= 125C

32

V

GS

= 10V

28

24

7V

2.6

3.0

图。 4.

DS （ ON）

归到我

D

= 16A与价值

结温

V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

- 归

2.2

1.8

I

D

= 32A

I

D

= 16A

I

D

- 安培

20

16

12

6V

8

4

5V

0

5

10

15

20

25

1.4

1.0

0.6

0.2

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

D

= 16A与价值

漏电流

2.8

2.6

2.4

V

GS

= 10V

T

J

= 125C

30

25

35

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

R

DS （ ON）

- 归

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0

10

20

30

40

50

60

70

T

J

= 25C

I

D

- 安培

20

15

10

5

0

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

I

D

- 安培

T

C

- 摄氏

IXFK32N100Q3

IXFX32N100Q3

图。 7.输入导纳

50

45

60

40

35

30

25

20

15

10

5

0

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

T

J

= 125C

25C

- 40C

50

25C

40

30

125C

70

T

J

= - 40C

图。 8.跨导

g

F小号

- 西门子

I

D

- 安培

20

V

GS

- 伏特

I

D

- 安培

图。征二极管9.正向电压降

100

90

80

70

10

9

8

7

V

DS

= 500V

I

D

= 16A

I

G

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

I

S

- 安培

60

50

40

30

20

10

0

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

T

J

= 125C

T

J

= 25C

V

GS

- 伏特

6

5

4

3

2

1

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

V

SD

- 伏特

Q

G

- nanocoulombs

图。 11.电容

100,000

100

图。 12.正向偏置安全工作区

R

DS （ ON）

极限

100s

f

= 1兆赫

电容 - 皮法

西塞

10,000

10

1,000

科斯

I

D

- 安培

1

100

CRSS

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0.1

10

T

J

= 150C

T

C

= 25C

单脉冲

1ms

100

1,000

10,000

V

DS

- 伏特

V

DS

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXFK32N100Q3

IXFX32N100Q3

图。 13.最大瞬态热阻抗

1

图。 13.最大瞬态热阻抗

0.2

aaaaa

0.1

Z

（日） JC

- C / W

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS REF ： F_32N100Q3 （ Q8 ） 11年2月18日