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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第188页 > ICS8520I-02
集成
电路
系统公司
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
16个差分LVHSTL兼容输出
每个驱动50Ω至地面的能力
一个差分CLK , NCLK输入对
CLK , NCLK对可以接受以下差异
输入电平: LVPECL , LVDS , LVHSTL , SSTL , HCSL
最大输出频率: 500MHz的
平移单端输入电平LVHSTL
与电阻偏置NCLK输入电平
V
OH
: 1.3V (最大)
的V = 40 %
OH
Vcrossover
V 60 %
OH
输出偏斜: 110ps (最大)
部件到部件的偏斜: 450ps (最大)
3.3V核心, 1.8V输出工作电源电压
-40 ° C至85°C的工作环境温度
提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
ICS8520I-02
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8520I -02是一种低歪斜,高性能
1至16差分至LVHSTL扇出缓冲器和
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列中的一员
从ICS高性能时钟解决方案。该
ICS8520I - 02有1个差分时钟输入对。
在CLK , NCLK对可以接受最标准差
输入电平。
IC
S
保证输出歪斜,部件到部件歪斜和交叉
电压特性使得ICS8520I -02的理想
nterfacing当今最先进的微处理器和
静态RAM 。
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK
NCLK
P
IN
A
SSIGNMENT
NCLK
V
DDO
Q15
nQ15
Q14
nQ14
GND
Q13
nQ13
Q12
nQ12
V
DDO
Q0
nQ0
Q1
nQ1
Q2
nQ2
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
Q6
nQ6
Q7
nQ7
Q15
nQ15
Q14
nQ14
Q13
nQ13
Q12
nQ12
Q11
nQ11
Q10
nQ10
Q9
nQ9
Q8
nQ8
V
DDO
Q11
nQ11
Q10
nQ10
GND
Q9
nQ9
Q8
nQ8
V
DDO
V
DD
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
1
36
2
35
3
34
4
33
5
32
6
31
7
30
8
29
9
28
10
27
11
26
12
25
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
ICS8520I-02
CLK
V
DDO
nQ0
Q0
nQ1
Q1
GND
nQ2
Q2
nQ3
Q3
V
DDO
48引脚TQFP , E-垫
采用7mm x 7mm X 1.0毫米体封装
Y封装
顶视图
8520DYI-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
V
DDO
nQ4
Q4
nQ5
Q5
GND
nQ6
Q6
nQ7
Q7
V
DDO
V
DD
REV 。 B二〇〇五年十一月一十六日
集成
电路
系统公司
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
产量
产量
动力
产量
产量
动力
产量
产量
产量
产量
产量
产量
产量
产量
输入
输入
产量
产量
产量
产量
上拉
描述
输出电源引脚。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
电源接地。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
电源引脚。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平
差分输出对。 LVHSTL接口电平
下拉非INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
ICS8520I-02
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
1, 11, 14, 24,
25, 35, 38, 48
2, 3
4, 5
6, 19, 30, 43
7, 8
9, 10
12, 13
1 5, 1 6
17, 18
20, 21
22, 23
26, 27
28, 29
31, 32
33, 34
36
37
39, 40
41, 42
44, 45
46, 47
名字
V
DDO
Q11 , nQ11
Q10 , nQ10
GND
Q9 , nQ9
Q8 , nQ8
V
DD
Q7 , nQ7
Q6 , nQ6
Q5 , nQ5
Q4 , nQ4
Q3 , nQ3
Q2 , NQ2
Q1 , NQ1
Q0 , nQ0
CLK
NCLK
Q15 , nQ15
Q14 , nQ14
Q13 , nQ13
Q12 , nQ12
注意:
上拉
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ,引脚特性,为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
T
ABLE
3. F
油膏
T
ABLE
输入
CLK
0
1
0
1
偏见;注1
偏见;注1
NCLK
1
0
偏见;注1
偏见;注1
0
1
Q0:Q15
输出
nQ0 : nQ15
输入到输出模式
差分至差分
差分至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
极性
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
INVER婷
INVER婷
注1 :请参见应用信息部分, "Wiring的差分输入接受单端Levels" 。
8520DYI-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 B二〇〇五年十一月一十六日
集成
电路
系统公司
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
27.6 ℃/ W( 0 LFPM )
-65 ℃150 ℃的
注:如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
ICS8520I-02
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压,V
DD
输入,V
I
产出,V
O
封装的热阻抗,
θ
JA
贮藏温度,T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
190
10
单位
V
V
mA
A
T
ABLE
4B 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
CLK
NCLK
CLK
NCLK
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.465V
V
IN
= V
DD
= 3.465V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.465V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.465V
-5
-150
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
150
5
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模电压范围;
GND + 0.5
V
CMR
注1,2
注1 :共模电压定义为V
IH
.
注2 :对于单端应用,最大输入电压为CLK , NCLK为V
DD
+ 0.3V.
T
ABLE
4C 。 LVHSTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
输出高电压;
V
OH
注1
输出低电压;
V
OL
注1
V
OX
输出电压交叉
测试条件
最低
0.9
0
40 % ×( V
OH
–V
OL
) + V
OL
典型
最大
1.3
0.4
60 %× (V
OH
–V
OL
) + V
OL
单位
V
V
V
注1 :输出端接50
Ω
到地面。
8520DYI-02
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3
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电路
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
1.1
典型
1.35
最大
500
1.6
110
300MHz
> 300MHz的
≤ 133MHz的
200
200
48
450
900
600
52
54
55
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
%
ICS8520I-02
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
最大
t
PD
t
SK ( O)
t
SK (PP)的
t
R
/t
F
ODC
参数
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2: 4
帕吨至帕吨倾斜;注3,注4
输出上升/下降时间
输出占空比
133 <
300MHz
46
> 300MHz的
45
注1:从差分输入交叉点的差分输出中交叉点。
注2 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。
测得的输出差分交叉点。
注3 :定义为扭曲在不同的设备输出,在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入,输出被测量
在差分交叉点。
注4 :该参数定义符合JEDEC标准65 。
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
ICS8520I-02
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
3.3V±5%
1.8V±0.2V
V
DD
V
DD
V
DDO
Qx
范围
NCLK
V
PP
HSTL
GND
nQx
交叉点
V
CLK
CMR
GND
0V
3.3V / 1.8V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
nQx
Qx
NQY
Qy
TSK ( O)
D
。微分
I
NPUT
L
伊维尔基尼
Qx
第1部分
nQx
Qy
第2部分
NQY
TSK ( PP)
O
安输出
S
KEW
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
NCLK
80%
时钟
输出
20%
t
R
t
F
80%
V
SW I N G -
20%
CLK
nQ0 : nQ15
Q0:Q15
t
PD
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
nQ0 : nQ15
Q0:Q15
P
ROPAGATION
D
ELAY
t
PW
t
ODC =
t
PW
t
x 100%
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
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电路
系统公司
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
16个差分LVHSTL兼容输出
每个驱动50Ω至地面的能力
一个差分CLK , NCLK输入对
CLK , NCLK对可以接受以下差异
输入电平: LVPECL , LVDS , LVHSTL , SSTL , HCSL
最大输出频率: 500MHz的
平移单端输入电平LVHSTL
与电阻偏置NCLK输入电平
V
OH
: 1.3V (最大)
的V = 40 %
OH
Vcrossover
V 60 %
OH
输出偏斜: 110ps (最大)
部件到部件的偏斜: 450ps (最大)
3.3V核心, 1.8V输出工作电源电压
-40 ° C至85°C的工作环境温度
提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
ICS8520I-02
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8520I -02是一种低歪斜,高性能
1至16差分至LVHSTL扇出缓冲器和
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列中的一员
从ICS高性能时钟解决方案。该
ICS8520I - 02有1个差分时钟输入对。
在CLK , NCLK对可以接受最标准差
输入电平。
IC
S
保证输出歪斜,部件到部件歪斜和交叉
电压特性使得ICS8520I -02的理想
nterfacing当今最先进的微处理器和
静态RAM 。
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK
NCLK
P
IN
A
SSIGNMENT
NCLK
V
DDO
Q15
nQ15
Q14
nQ14
GND
Q13
nQ13
Q12
nQ12
V
DDO
Q0
nQ0
Q1
nQ1
Q2
nQ2
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
Q6
nQ6
Q7
nQ7
Q15
nQ15
Q14
nQ14
Q13
nQ13
Q12
nQ12
Q11
nQ11
Q10
nQ10
Q9
nQ9
Q8
nQ8
V
DDO
Q11
nQ11
Q10
nQ10
GND
Q9
nQ9
Q8
nQ8
V
DDO
V
DD
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
1
36
2
35
3
34
4
33
5
32
6
31
7
30
8
29
9
28
10
27
11
26
12
25
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
ICS8520I-02
CLK
V
DDO
nQ0
Q0
nQ1
Q1
GND
nQ2
Q2
nQ3
Q3
V
DDO
48引脚TQFP , E-垫
采用7mm x 7mm X 1.0毫米体封装
Y封装
顶视图
8520DYI-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
V
DDO
nQ4
Q4
nQ5
Q5
GND
nQ6
Q6
nQ7
Q7
V
DDO
V
DD
REV 。 B二〇〇五年十一月一十六日
集成
电路
系统公司
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
产量
产量
动力
产量
产量
动力
产量
产量
产量
产量
产量
产量
产量
产量
输入
输入
产量
产量
产量
产量
上拉
描述
输出电源引脚。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
电源接地。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
电源引脚。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平
差分输出对。 LVHSTL接口电平
下拉非INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
差分输出对。 LVHSTL接口电平。
ICS8520I-02
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
1, 11, 14, 24,
25, 35, 38, 48
2, 3
4, 5
6, 19, 30, 43
7, 8
9, 10
12, 13
1 5, 1 6
17, 18
20, 21
22, 23
26, 27
28, 29
31, 32
33, 34
36
37
39, 40
41, 42
44, 45
46, 47
名字
V
DDO
Q11 , nQ11
Q10 , nQ10
GND
Q9 , nQ9
Q8 , nQ8
V
DD
Q7 , nQ7
Q6 , nQ6
Q5 , nQ5
Q4 , nQ4
Q3 , nQ3
Q2 , NQ2
Q1 , NQ1
Q0 , nQ0
CLK
NCLK
Q15 , nQ15
Q14 , nQ14
Q13 , nQ13
Q12 , nQ12
注意:
上拉
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ,引脚特性,为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
T
ABLE
3. F
油膏
T
ABLE
输入
CLK
0
1
0
1
偏见;注1
偏见;注1
NCLK
1
0
偏见;注1
偏见;注1
0
1
Q0:Q15
输出
nQ0 : nQ15
输入到输出模式
差分至差分
差分至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
单端至差分
极性
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
非铟(Inver)婷
INVER婷
INVER婷
注1 :请参见应用信息部分, "Wiring的差分输入接受单端Levels" 。
8520DYI-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
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REV 。 B二〇〇五年十一月一十六日
集成
电路
系统公司
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
27.6 ℃/ W( 0 LFPM )
-65 ℃150 ℃的
注:如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
ICS8520I-02
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压,V
DD
输入,V
I
产出,V
O
封装的热阻抗,
θ
JA
贮藏温度,T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
190
10
单位
V
V
mA
A
T
ABLE
4B 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
CLK
NCLK
CLK
NCLK
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.465V
V
IN
= V
DD
= 3.465V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.465V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.465V
-5
-150
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
150
5
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模电压范围;
GND + 0.5
V
CMR
注1,2
注1 :共模电压定义为V
IH
.
注2 :对于单端应用,最大输入电压为CLK , NCLK为V
DD
+ 0.3V.
T
ABLE
4C 。 LVHSTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
输出高电压;
V
OH
注1
输出低电压;
V
OL
注1
V
OX
输出电压交叉
测试条件
最低
0.9
0
40 % ×( V
OH
–V
OL
) + V
OL
典型
最大
1.3
0.4
60 %× (V
OH
–V
OL
) + V
OL
单位
V
V
V
注1 :输出端接50
Ω
到地面。
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3
REV 。 B二〇〇五年十一月一十六日
集成
电路
系统公司
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
1.1
典型
1.35
最大
500
1.6
110
300MHz
> 300MHz的
≤ 133MHz的
200
200
48
450
900
600
52
54
55
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
%
%
ICS8520I-02
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
最大
t
PD
t
SK ( O)
t
SK (PP)的
t
R
/t
F
ODC
参数
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2: 4
帕吨至帕吨倾斜;注3,注4
输出上升/下降时间
输出占空比
133 <
300MHz
46
> 300MHz的
45
注1:从差分输入交叉点的差分输出中交叉点。
注2 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。
测得的输出差分交叉点。
注3 :定义为扭曲在不同的设备输出,在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入,输出被测量
在差分交叉点。
注4 :该参数定义符合JEDEC标准65 。
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电路
系统公司
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
D
。微分
-
TO
-LVHSTL F
ANOUT
B
UFFER
ICS8520I-02
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
3.3V±5%
1.8V±0.2V
V
DD
V
DD
V
DDO
Qx
范围
NCLK
V
PP
HSTL
GND
nQx
交叉点
V
CLK
CMR
GND
0V
3.3V / 1.8V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
nQx
Qx
NQY
Qy
TSK ( O)
D
。微分
I
NPUT
L
伊维尔基尼
Qx
第1部分
nQx
Qy
第2部分
NQY
TSK ( PP)
O
安输出
S
KEW
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
NCLK
80%
时钟
输出
20%
t
R
t
F
80%
V
SW I N G -
20%
CLK
nQ0 : nQ15
Q0:Q15
t
PD
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
nQ0 : nQ15
Q0:Q15
P
ROPAGATION
D
ELAY
t
PW
t
ODC =
t
PW
t
x 100%
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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