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HiPerFET

功率MOSFET

DSS

IXFH 26N60 / IXFT 26N60

IXFK 28N60

D25

DS （ ON）

0.25

N沟道增强模式

额定雪崩，高dv / dt ，低吨

初步数据

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）

安装力矩

300

1.13/10

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1兆瓦

连续

短暂

= 25 ℃，芯片能力

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

， di / dt的

100 A / MS ，V

DSS

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

IXFH / IXFT

IXFK

600 V一26

600 V一28

250纳秒

AD TO- 247 （ IXFH ）

600

±20

±30

104

1.5

360

600

±20

±30

112

1.5

416

150

V / ns的

TO- 264 AA （ IXFK ）

（ TAB ）

的TO- 268 （ D3），（ IXFT ）

（ TAB ）

°C

G =门

S =源

TAB =漏

-55 ... +150

300

D（ TAB ）

0.9 / 6牛米/ lb.in 。

或者可以使用在miniBLOC源终端

作为主要或开尔文源

特点

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

600

4.5

±200

= 25°C

= 125°C

0.25

国际标准封装

环氧符合UL 94 V - 0可燃性

分类

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

雪崩能量和额定电流

快速内在整流器

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 4毫安

±20

, V

= 0

= 0.8 V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

98511B (7/00)

1-2

IXFH26N60

IXFT26N60

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

5000

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

600

250

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 1.5

（外部）

110

250

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

115

26N60

28N60

TO-247

TO-264

0.25

0.15

300

150

0.35

0.30

K / W

IXFK28N60

AD TO- 247 （ IXFH ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

暗淡。毫米

分钟。马克斯。

19.81 20.32

20.80 21.46

15.75 16.26

3.55 3.65

4.32 5.49

5.4

6.2

1.65 2.13

4.5

1.0

1.4

10.8 11.0

4.7

0.4

5.3

0.8

英寸

分钟。马克斯。

0.780 0.800

0.819 0.845

0.610 0.640

0.140 0.144

0.170 0.216

0.212 0.244

0.065 0.084

0.177

0.040 0.055

0.426 0.433

0.185 0.209

0.016 0.031

0.087 0.102

1.5 2.49

TO- 264 AA （ IXFK ）大纲

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。马克斯。

26N60

28N60

26N60

28N60

104

112

1.5

250

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

2.54

2.00

1.12

2.39

2.90

0.53

25.91

19.81

5.46

0.00

20.32

2.29

3.17

6.07

8.38

3.81

1.78

6.04

1.57

5.13

2.89

2.10

1.42

2.69

3.09

0.83

26.16

19.96

BSC

0.25

20.83

2.59

3.66

6.27

8.69

4.32

2.29

6.30

1.83

英寸

分钟。

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

= I

-di / DT = 100 A / MS ，V

= 100 V

TO- 268AA （D

PAK ）

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.9

5.1

2.7

2.9

.02

.25

1.15

1.45

1.9

2.1

.65

13.80 14.00

15.85 16.05

13.3

13.6

5.45 BSC

18.70 19.10

2.40

2.70

1.20

1.40

1.00

1.15

0.25 BSC

3.80

4.10

英寸

分钟。马克斯。

.193 .201

.106 .114

.001 .010

.045 .057

.75

.83

.016 .026

.543 .551

.624 .632

.524 .535

0.215 BSC

.736 .752

.094 .106

.047 .055

.039 .045

0.010 BSC

.150 .161

分钟。推荐足迹

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-2

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