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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第129页 > IXFK21N100F
HiPerRF
TM
功率MOSFET
F级：兆赫切换
单个MOSFET模
N沟道增强模式
额定雪崩，
低Q
g
，低的固有
g
高dv / dt ，
LOW吨
rr
IXFX 21N100F
IXFK 21N100F
V
DSS
= 1000 V
I
D25
= 21 A
R
DS （ ON）
= 0.50
t
rr
≤
250纳秒
PLUS 247
TM
（ IXFX ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
安装力矩
TO-264
PLUS 247
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
21
84
21
60
2.5
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
G =门
S =源
（ TAB ）
D
G
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
S
（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
0.4 / 6牛米/ lb.in 。
5
10
g
g
特点
l
射频MOSFET的能力
l
双金属工艺的低门
阻力
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
l
快速内在整流器
应用
l
DC- DC转换器
l
开关模式和谐振模
电源，开关>500kHz
l
直流斩波器
l
13.5 MHz的工业应用
l
脉冲产生
l
激光驱动器
l
射频放大器
优势
l
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
l
节省空间
l
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
3.0
V
5.0 V
±100
nA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
A
2毫安
0.50
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
版权所有2002 IXYS所有权利。
98880 (01/02)
IXFK 21N100F
IXFX 21N100F
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
15
32
5500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
640
190
21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
16
55
15
160
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
35
77
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.26 K / W
0.15
K / W
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
DIM 。
终端：
1 - GATE
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 247
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
21
84
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
TO- 264 AA大纲
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1.4
10
DIM 。
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
分钟。
英寸
马克斯。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
HiPerRF
TM
功率MOSFET
F级：兆赫切换
IXFK21N100F
IXFX21N100F
V
DSS
= 1000V
= 21A
I
D25
R
DS （ ON）
≤
500mΩ
Ω
t
rr
≤
250ns
TO- 264 （ IXFK ）
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
低
内在
g
，高dv / dt ，低吨
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±
20
±
30
21
84
21
2.5
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G
D
S
TAB
PLUS247 （ IXFX ）
G
D
S
TAB
D =漏
TAB =漏
G =门
S =源
特点
射频MOSFET的能力
双金属工艺的低门
电阻
额定雪崩
快速内在整流器
优势
高功率密度
易于安装
节省空间
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 264 ）
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1000
3.0
5.5
±
200
V
V
nA
应用
DC- DC转换器
开关模式和谐振模
电源，开关>500kHz
直流斩波器
13.5 MHz的工业应用
脉冲产生
激光驱动器
射频放大器
100
μA
2毫安
500 mΩ
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2010 IXYS公司，版权所有
DS98880A(05/10)
IXFK21N100F
IXFX21N100F
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
15
32
5500
640
190
21
16
55
15
160
35
77
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.26
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
端子： 1 - 门
2 - 漏极
3 - 来源
4 - 漏极
TO- 264外形
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 25A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
21
84
1.5
A
A
V
250纳秒
1.4
10
μC
A
PLUS247
TM
概要
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
端子： 1 - 门
2 - 漏极
3 - 来源
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
HiPerRF
TM
功率MOSFET
F级：兆赫切换
单个MOSFET模
N沟道增强模式
额定雪崩，
低Q
g
，低的固有
g
高dv / dt ，
LOW吨
rr
IXFX 21N100F
IXFK 21N100F
V
DSS
= 1000 V
I
D25
= 21 A
R
DS （ ON）
= 0.50
t
rr
≤
250纳秒
PLUS 247
TM
（ IXFX ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
安装力矩
TO-264
PLUS 247
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
21
84
21
60
2.5
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
G =门
S =源
（ TAB ）
D
G
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
S
（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
0.4 / 6牛米/ lb.in 。
5
10
g
g
特点
l
射频MOSFET的能力
l
双金属工艺的低门
阻力
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
l
快速内在整流器
应用
l
DC- DC转换器
l
开关模式和谐振模
电源，开关>500kHz
l
直流斩波器
l
13.5 MHz的工业应用
l
脉冲产生
l
激光驱动器
l
射频放大器
优势
l
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
l
节省空间
l
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
3.0
V
5.0 V
±100
nA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
A
2毫安
0.50
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
版权所有2002 IXYS所有权利。
98880 (01/02)
IXFK 21N100F
IXFX 21N100F
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
15
32
5500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
640
190
21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
16
55
15
160
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
35
77
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.26 K / W
0.15
K / W
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
DIM 。
终端：
1 - GATE
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 247
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
21
84
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
TO- 264 AA大纲
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1.4
10
DIM 。
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
分钟。
英寸
马克斯。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
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