IXFH110N25T
符号
测试条件
特征值
分钟。
65
典型值。
110
9400
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
850
55
电阻开关时间
V
GS
= 15V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
,
R
G
= 2Ω （外部）
19
27
60
27
157
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25A
40
50
马克斯。
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.18 ° C / W
0.21
° C / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
TO- 247AD大纲
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 55A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 55A ， -di / DT = 250A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
DIM 。
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
110
350
1.2
170
946
17
A
A
V
ns
nC
A
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P 3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300毫秒;占空比D
≤
2%.
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试触点位置必须
5mm或从封装体少。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFH110N25T
图。 1.输出特性
@ 25C
110
100
90
80
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
250
225
200
175
V
GS
= 10V
8V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
5V
5.5V
150
125
6V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
5V
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
110
100
90
80
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
3.0
2.8
2.6
2.4
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 55A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
I
D
= 110A
I
D
= 55A
I
D
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
5V
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 55A价值
与漏电流
3.4
V
GS
= 10V
3.0
T
J
= 125C
70
90
80
图。 6，最大漏极电流与
外壳温度
外部引线电流限制
R
DS （ ON）
- 归
2.6
2.2
1.8
1.4
T
J
= 25C
1.0
0.6
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240 260
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
60
50
40
30
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXFH110N25T
图。 13.电阻导通
上升时间与结温
29
28
27
R
G
= 2Ω
V
GS
= 15V
V
DS
= 125V
27
29
28
T
J
= 25C
图。 14.电阻导通
上升时间与漏极电流
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
26
R
G
= 2Ω
25
24
23
22
21
20
T
J
= 125C
V
GS
= 15V
V
DS
= 125V
26
25
24
I
23
22
21
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
D
I
= 55A
D
= 110A
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通
开关时间与栅极电阻
50
31
38
36
34
图。 16.电阻关断
开关时间与结温
74
30
29
t
r
45
V
DS
= 125V
t
D（上）
- - - -
t
f
V
DS
= 125V
t
D（关闭）
- - - -
72
70
T
J
= 125°C ，V
GS
= 15V
R
G
= 2Ω, V
GS
= 15V
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O N）
- 纳秒
28
27
I
D
32
68
I
D
= 55A
66
64
62
I
D
= 110A
60
58
56
54
52
t
r
- 纳秒
40
= 110A, 55A
t
f
- 纳秒
30
28
26
24
22
20
18
16
14
25
35
45
55
65
75
26
25
24
35
30
23
22
25
21
20
20
2
3
4
5
6
7
8
9
10
19
85
95
105
115
50
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断
开关时间与漏电流
30
29
28
90
图。 18.电阻关断
开关时间与栅极电阻
100
90
80
220
t
f
R
G
= 2Ω,
V
DS
= 125V
t
D（关
)
- - - -
V
GS
= 15V
T
J
= 25C
85
80
75
70
t
f
V
DS
= 125V
t
D（关闭）
- - - -
I
D
= 55A, 110A
200
180
160
140
120
100
80
60
40
T
J
= 125°C ，V
GS
= 15V
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O F F ）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
27
26
25
24
23
22
21
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
T
J
= 125C
T
J
= 25C
T
J
= 125C
t
f
- 纳秒
70
60
50
40
30
20
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
65
60
55
50
45
120
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： T_110N25T （ 8W ） 08年8月11日-A
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