IXFK170N20T
IXFX170N20T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
85
140
19.6
1870
135
33
28
80
22
265
86
67
0.13
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 264 （ IXFK ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 60A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 80A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 75V, V
GS
= 0V
0.59
9.80
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
170
680
1.3
200
A
A
V
ns
μC
A
PLUS 247
TM
（ IXFX ）大纲
注1 ：
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
端子： 1 - 门
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFK170N20T
IXFX170N20T
图。 1.输出特性
@ 25C
180
160
140
250
120
7V
V
GS
= 10V
8V
7V
350
300
V
GS
= 10V
8V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
100
80
60
200
150
6V
100
6V
40
20
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
5V
50
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150C
180
160
140
V
GS
= 10V
8V
7V
3.0
2.8
2.6
2.4
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 85A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
120
100
80
60
6V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I
D
= 170A
I
D
= 85A
5V
40
20
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 85A价值
与漏电流
3.8
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0
50
100
150
200
250
300
350
T
J
= 25C
V
GS
= 10V
180
160
T
J
= 175C
140
120
100
80
60
40
20
0
-50
图。 6.漏电流与外壳温度
外部引线电流限制
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： F_170N20T （ 9W ） 09年3月23日
IXFK170N20T
IXFX170N20T
图。 13.最大瞬态热阻抗
1.000
Z
（ TH） J·C
- C / W
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： F_170N20T （ 9W ） 09年3月23日
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