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ISL6597
数据表
2006年11月22日
FN9165.0
双同步整流MOSFET
DRIVERS
该ISL6597集成了两个驱动器ISL6596 ,是
优化驱动两个独立的电源通道,
同步整流降压转换器拓扑结构。这些
驱动器,并结合了Intersil的多相PWM
控制,形成一个完整的高效率稳压器
的解决方案。
该IC是由一个单一的低电源电压(5V)施力,
高MOSFET栅极驱动器最大限度地降低开关损耗
电容和高开关频率的应用。
每个驱动器能够驱动一个3nF的负载小于
10ns的上升/下降时间。上部栅极驱动器的自举是
通过内部的低正向压降的二极管来实现,
降低实施成本,复杂性,并且使
使用更高的性能,成本效益的N通道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
该ISL6597拥有4A典型的灌电流低
栅极驱动器,增强了下MOSFET的栅极压紧
在第一阶段的节点能力的上升沿,防止权力
所造成的损失自导通的下MOSFET的因
交换节点的高dV / dt 。
该ISL6597还具有输入识别一个高
阻抗状态,与Intersil的多相一起工作
3.3V或5V PWM控制器,以防止负瞬变
在受控的输出电压时操作
暂停。这个特性消除了对肖特基
二极管可以在一个电力系统被用于保护
负载从负输出电压的损害。
特点
四5V N沟道MOSFET驱动器的两
同步整流桥
自适应贯通保护
可编程死区时间的效率优化
二极管仿真的效率和预偏置启动
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升和下降
- 超低三州拖延时间(为20ns )
低V
F
内置自举二极管
低偏置电源电流
支持3.3V和5V PWM输入
使能输入和上电复位
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息,产品外形
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
在档案的利用和稀释剂
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
核心电压供应为英特尔和AMD?
微处理器
高频薄型高效率DC / DC
转换器
大电流低电压DC / DC转换器
同步整流用于隔离型电源
订购信息
部分
(注)
ISL6597CRZ
部分
记号
65 97CRZ
温度。
范围
(°C)
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
相关文献
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN ( MLFP )包“
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD器件)
0至+70 16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利
AMD是Advanced Micro Devices ,Inc.的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6597
引脚
ISL6597
( 16 LD QFN )
顶视图
PHASE1
13
12 UGATE1
17
保护地
PVCC 3
EN 4
5
保护地
6
LGATE2
7
VCTRL
8
PHASE2
10 BOOT2
9
UGATE2
11 BOOT1
PWM2
PWM1
15
16
GND 1
LGATE1 2
框图
ISL6597
VCC PVCC
VCTRL
BOOT1
UGATE1
VCC
14
3.5K
PWM1
3.5K
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
通道1
PVCC1
LGATE1
保护地
EN
VCTRL
控制
逻辑
保护地
BOOT2
UGATE2
PVCC
3.5K
PWM2
3.5K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
PVCC
通道2
LGATE2
保护地
PAD
2
FN9165.0
2006年11月22日
ISL6597
典型应用 - 多相转换器使用ISL6597栅驱动器
+3.3V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCTRL
PHASE1
+5V
+3.3V
PVCC
VCC
FB
VSEN
COMP
V
CC
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
ISL65xx
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
EN
UGATE2
司机
ISL6597
BOOT2
+12V
LGATE1
VID
GND
保护地
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE1
VCTRL
PHASE1
+5V
LGATE1
PVCC
VCC
司机
ISL6597
BOOT2
EN
UGATE2
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
+12V
+3.3V
BOOT1
+12V
GND
保护地
3
FN9165.0
2006年11月22日
ISL6597
绝对最大额定值
电源电压( PVCC , VCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压(V
EN
, V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
) 。 。 。 -0.3V至25V ( DC )或36V ( <200ns )
引导到相电压(V
BOOT -PHASE
) 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V ( DC )
-0.3V至9V ( <10ns )
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V ( DC )
GND -8V ( <20ns脉冲宽度, 10μJ )至30V ( <100ns )
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V ( DC )到V
BOOT
V
- 5V ( <20ns脉宽, 10μJ )到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V ( DC )到VCC + 0.3V
GND - 2.5V ( <20ns脉宽, 5μJ )至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
HBM ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
热信息
热阻(注1及2 )
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
8.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
温度+ 150 ℃以下的结温是为很短的时间,以防止缩短寿命。在150℃下持续动作可能缩短部件的使用寿命。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
2.
θ
JC
“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
这些规范适用于对于T
A
= 0°C到+ 70°C ,除非另有说明
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC + PVCC
PWM引脚悬空,V
VCC
= V
PVCC
= 5V
F
PWM
= 300kHz的,V
VCC
= V
PVCC
= 5V
-
-
-
2.6
-
350
1.7
3.4
3.0
400
-
-
4.2
-
-
μA
mA
V
V
mV
POR上升
POR下降
迟滞
自举二极管
正向电压
VCTRL输入
导通阈值
迟滞
使能输入
EN低阈值
EN高门槛
EN迟滞
PWM输入
下沉阻抗
源阻抗
三州下限阈值
R
PWM_SNK
R
PWM_SRC
V
VCC
= 3.3V (为120mV迟滞)
V
VCC
= 5V ( 300mV的滞后性)
三态阈值上限
V
VCC
= 3.3V (仅为110mV迟滞)
V
VCC
= 5V ( 300mV的滞后性)
三州关机释抑时间
开关时间
(注3 ,见图1)
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
t
RU
t
RL
t
FU
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
tSSHD
V
F
正向偏置电流= 2毫安
0.3
0.6
0.7
V
2.5
-
2.8
100
-
-
V
mV
1.00
1.40
100
1.34
1.60
260
-
-
-
V
V
mV
-
-
-
-
1.65
3.00
-
3.5
3.5
1.15
1.55
1.85
3.18
80
-
-
1.4
1.75
-
-
-
V
V
V
V
ns
-
-
-
8.0
8.0
8.0
-
-
-
ns
ns
ns
4
FN9165.0
2006年11月22日
ISL6597
电气规格
参数
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
三态,以UG / LG瑞星传输延迟
输出(注3)
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意:
3.通过特性保证。不是100 %生产测试。
R
UG_SRC
R
UG_SNK
R
LG_SRC
R
LG_SNK
250毫安源电流
250毫安灌电流
250毫安源电流
250毫安灌电流
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
0.4
2.5
2.5
2.5
1.0
Ω
Ω
Ω
Ω
这些规范适用于对于T
A
= 0°C到+ 70°C ,除非另有说明
(续)
符号
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDHU
t
PDHL
t
PT的
测试条件
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V ,卸载,
V
VCC
= 5V ,卸载,
V
VCC
= 5V ,卸载,
V
VCC
= 5V ,卸载,
V
VCC
= 5V ,空载
-
-
-
-
-
-
典型值
4.0
18
25
18
23
30
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
功能引脚说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
符号
GND
LGATE1
PVCC
EN
保护地
LGATE2
VCTRL
PHASE2
UGATE2
BOOT2
功能
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。
通道1.将低栅极驱动输出至低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚提供电源,同时较低和较高的栅极驱动器。将高品质的低ESR陶瓷电容
这个引脚PGND 。
使能输入引脚。连接这个引脚为高电平使能,低禁用该驱动程序。
它既是低的栅极驱动器的电源接地回路。
通道2.将低栅极驱动输出至低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚设置PWM的逻辑阈值。该引脚连接到3.3V电源为3.3V PWM输入
并拉至5V源
5V PWM输入。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的通道2.该引脚漏极
提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。
通道2.将上层栅极驱动输出的高端电源N沟道MOSFET栅极。
浮动自举电源引脚用于通道2的上栅极驱动连接该引脚之间的自举电容
和PHASE2引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部
在选择电容值下的说明引导设备部分进行指导。
浮动自举电源引脚通道1的上栅极驱动连接该引脚之间的自举电容
和相位缓冲销。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部
在选择电容值下的说明引导设备部分进行指导。
通道1连接上层栅极驱动输出的高端电源N沟道MOSFET栅极。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的通道1 ,该引脚漏极
提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。
该引脚连接到+ 5V偏置电源。它提供电源,内部模拟电路。将高品质的低ESR陶瓷
电容此引脚与GND 。
PWM信号是控制输入为信道1的驱动程序。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的状态,
看看下面描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接到的PWM输出
控制器。
PWM信号是控制输入为通道2的司机。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的状态,
看看下面描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接到的PWM输出
控制器。
通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面( PGND ) 。
11
BOOT1
12
13
14
15
UGATE1
PHASE1
VCC
PWM1
16
PWM2
17
PAD
5
FN9165.0
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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