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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第38页 > IXFK16N90Q
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，高dv / dt
IXFH 16N90Q
IXFK 16N90Q
IXFT 16N90Q
V
DSS
= 900 V
=
16 A
I
D25
R
DS （ ON）
= 0.65
W
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
900
900
±20
±30
16
64
16
45
1.5
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
G
S
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
S
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-264
TO-247
TO-268
TO-264
300
D（ TAB ）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
0.9 / 6牛米/ lb.in 。
6
4
10
g
g
g
G =门
S =源
TAB =漏
特点
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
900
3.0
5.0
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
50
2
0.65
V
V
nA
mA
mA
W
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
低R
DS （ ON）
低Q
g
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98668 (11/99)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFH 16N90Q IXFK 16N90Q
IXFT 16N90Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
17
4000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
430
155
21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2.0
W
（外部）
24
56
14
133
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
25
67
0.35
TO-247
TO-264
0.25
0.15
170
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
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-
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0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
1.5 2.49
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
1
8
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
16
60
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
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.056
.094
.106
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1.030
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.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
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.062
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TO- 268AA （ IXFT ） （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
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13.80 14.00
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13.6
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1.00
1.15
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4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
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.75
.83
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0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
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.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
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5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，高dv / dt
IXFH 16N90Q
IXFK 16N90Q
IXFT 16N90Q
V
DSS
= 900 V
=
16 A
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R
DS （ ON）
= 0.65
W
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
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900
±20
±30
16
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16
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1.5
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
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W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
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G
S
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
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TO-247
TO-264
TO-247
TO-268
TO-264
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1.13 / 10牛米/ lb.in 。
0.9 / 6牛米/ lb.in 。
6
4
10
g
g
g
G =门
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特点
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
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3.0
5.0
±200
T
J
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T
J
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50
2
0.65
V
V
nA
mA
mA
W
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
低R
DS （ ON）
低Q
g
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
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V
GS
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±20
V
DC
, V
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V
DS
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DSS
V
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脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98668 (11/99)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFH 16N90Q IXFK 16N90Q
IXFT 16N90Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
17
4000
V
GS
= 0 V, V
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155
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V
GS
= 10 V, V
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, I
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= 0.5 I
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R
G
= 2.0
W
（外部）
24
56
14
133
V
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= 10 V, V
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TO-264
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pF
pF
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ns
ns
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nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
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3.55 3.65
4.32 5.49
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4.5
1.0
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4.7
0.4
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0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
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0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
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t
D（上）
t
r
t
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Q
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thJC
R
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D
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，脉冲测试
1.5 2.49
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
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脉冲测试，T
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女士，
占空比
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特征值
(T
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A
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A
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BSC
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6.27
8.69
4.32
2.29
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1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
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.079
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.010
.000
.010
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.238
.248
.062
.072
TO- 268AA （ IXFT ） （D
3
PAK ）
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A
A
1
A
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E
1
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L1
L2
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2.7
2.9
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.65
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13.3
13.6
5.45 BSC
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英寸
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0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
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.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
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5,017,508
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5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
查看更多IXFK16N90QPDF信息
推荐型号
ICS8421002AGI-01
IDT7025S20GB
IDT72221L20J
ISL97702IRZ-T7
ICL7663A
IS62C1024L-55T
IDT73200L12P
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ICH8520
ISL6612IR
IP3R18AK15
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ISL6612AECBZ-T
IXGA10N60AU1
IRKUF151-04CL
IDT60LVCR2245APG
IDT7005S25FB
IXGR32N60CD1
IC61LV256-15T
供货商
型号
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