IXGR 32N60CD1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
25
2700
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
240
50
110
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
22
40
25
20
85
55
0.32
25
25
1
110
100
0.85
0.15
170
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
0.75兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.90 K / W
K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
ISOPLUS 247外形
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
T
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
注：1。我
T
= 32A
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
6
100
25
1.6
2.5
V
V
A
ns
ns
1.15 K / W
I
F
= I
T
, V
GE
= 0 V ，脉冲测试
t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
T
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
T
J
= 100°C
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V T，
J
= 25°C
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
IXGR 32N60CD1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
25
2700
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
240
50
110
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
22
40
25
20
85
55
0.32
25
25
1
110
100
0.85
170
160
1.25
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.83
5.21
A
1
2.29
2.54
A
2
1.91
2.16
b
1.14
1.40
b
1
1.91
2.13
b
2
2.92
3.12
C
0.61
0.80
D 20.80 21.34
E
15.75 16.13
e
5.45 BSC
L
19.81 20.32
L1
3.81
4.32
Q
5.59
6.20
R
4.32
4.83
S
13.21 13.72
T
15.75 16.26
U
1.65
3.03
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
ISOPLUS 247 （ IXGR ）概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
T
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
0.15
0.90 K / W
K / W
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
注：1。我
T
= 32A
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
6
100
25
1.6
2.5
V
V
A
ns
ns
1.15 K / W
I
F
= I
T
, V
GE
= 0 V ，脉冲测试
t
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
T
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / MS
V
R
= 100 V
T
J
= 100°C
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / MS; V
R
= 30 V T，
J
= 25°C
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-5
QQ：2881677436 复制
