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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第916页 > IXFH86N30T
高级技术信息
TRENCH
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在整流器
IXFH86N30T
IXFT86N30T
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 300V
= 86A
≤
43mΩ
Ω
TO- 247 （ IXFH ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
最大额定值
300
300
±20
±30
86
190
15
2
830
20
-55到+150
+150
-55到+150
V
V
V
V
A
A
A
J
W
V / ns的
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
G
D
S
D（ TAB ）
TO- 268 （ IXFT ）
G
S
D（ TAB ）
G =门
S =源
特点
D
=漏
TAB =漏
1.6毫米（ 0.063in ）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 247 ）
TO-247
TO-268
300
260
1.13/10
6.0
4.0
国际标准封装
额定雪崩
高电流处理能力
快速内在整流器
低R
DS （ ON）
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
300
3.0
5.0
±200
50
1.75
V
V
nA
μA
mA
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
43 mΩ
2009 IXYS公司，版权所有
DS100208(11/09)
IXFH86N30T
IXFT86N30T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-247
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 3.3Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
70
115
11.3
720
87
16
18
54
15
180
48
50
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.15
° C / W
° C / W
e
1
2
3
TO- 247 （ IXFH ）大纲
P
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 43A ， -di / DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
8.5
460
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
86
340
1.5
150
A
A
V
ns
A
nC
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268 （ IXFT ）大纲
注1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFH86N30T
IXFT86N30T
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
90
80
70
60
6V
V
GS
= 10V
7V
200
180
160
140
6V
V
GS
= 10V
7V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5V
120
100
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
25
30
5V
5.5V
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
90
80
70
60
V
GS
= 10V
2.8
6V
2.4
3.2
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 43A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
I
D
= 86A
2.0
I
D
= 43A
1.6
1.2
0.8
0.4
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
5V
7
8
9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 43A价值
与漏电流
3.8
3.4
3.0
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
90
80
70
60
图。 6，最大漏极电流
与外壳温度
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
T
J
= 25C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
50
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2009 IXYS公司，版权所有
IXFH86N30T
IXFT86N30T
图。 7.输入导纳
140
120
100
T
J
= 125C
25C
- 40C
200
180
160
140
25C
120
100
80
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
125C
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
80
60
40
V
GS
- 伏特
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
240
10
9
200
8
7
V
DS
= 150V
I
D
= 43A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
160
120
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
6
5
4
3
2
1
80
40
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1,000.0
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
西塞
R
DS （
on
)
极限
100.0
25s
电容 - 皮法
10,000
1,000
科斯
I
D
- 安培
10.0
100s
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
1
10
100
1ms
100m
10ms
1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXFH86N30T
IXFT86N30T
图。 13.电阻导通
上升时间与结温
26
R
G
= 3.3 , V
GS
= 15V
24
V
DS
= 150V
24
26
R
G
= 3.3 , V
GS
= 15V
V
DS
= 150V
T
J
= 125C
22
图。 14.电阻导通
上升时间与漏极电流
t
r
- 纳秒
22
I
D
= 86A
20
I
= 43A
t
r
- 纳秒
20
18
D
18
T
J
= 25C
16
16
14
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
14
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通
开关时间与栅极电阻
26
25
24
17
24
图。 16.电阻关断
开关时间与结温
75
t
r
I
D
= 86A
V
DS
= 150V
t
D（上）
- - - -
17
16
16
15
T
J
= 125°C ，V
GS
= 15V
22
t
f
V
DS
= 150V
t
D（关闭）
- - - -
R
G
= 3.3, V
GS
= 15V
70
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O N）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
f
- 纳秒
23
22
21
20
19
18
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
D
= 43A
20
I
D
= 86A
65
18
60
I
D
= 43A
15
14
14
13
16
55
14
50
12
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
45
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断
开关时间与漏电流
20
19
18
80
22
图。 18.电阻关断
开关时间与栅极电阻
80
t
f
V
DS
= 150V
t
D（关闭）
- - - -
R
G
= 3.3, V
GS
= 15V
75
t
f
20
V
DS
= 150V
t
D（关闭）
- - - -
75
T
J
= 125°C ，V
GS
= 15V
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O F F ）
- 纳秒
70
65
t
f
- 纳秒
t
f
- 纳秒
18
I
= 86A
70
17
T
J
= 125C
16
15
14
13
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
T
J
= 25C
16
D
65
60
55
50
45
14
I
D
= 43A
60
12
55
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
50
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2009 IXYS公司，版权所有
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推荐型号
IDT7206S30P
IDT7217L35J
IRHM8130
IDT54FCT138ATQ
IDT74FCT823BTPB
IRKK141-12N
IRL8113PBF
IDT74FCT377CTEB
IRKTF71-10HP
IRKKF152-06EP
IS61VPS51218A-250TQI
IXLD4429MJA
IDT79R3052-33G
IRKU170-08N
IRF540
ICS843051
ICS8430-51
IRS2336JTRPBF
IDT7140SA45CB
I10SA50KSB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFH86N30T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXFH86N30T
IXYS/艾赛斯
21+
18600
TO-247
全新原装正品/质量有保证
昆山隆诚翔电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885615943 复制
电话：0512-82613006
联系人：曾小姐
地址：昆山市朝阳东路99号4楼
IXFH86N30T
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
深圳市华创欧科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ：1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ：2319599090 复制
电话：0755-23945755 83248872
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
IXFH86N30T
IXYS
22+
22620
TO-247
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471
深圳市巨盛邦电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885615954 复制

电话：19129493510
联系人：李
地址：福田区上步工业区101栋4楼
IXFH86N30T
IXYS
22+
3000
TO-247
进口原装
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFH86N30T
IXYS
24+
12000
TO-247
全新原装现货
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IXFH86N30T
IXYS/艾赛斯
18+
16000
TO-247
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
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