IRF540
IRF540FI
N - CHANNEL100V - 00.50Ω - 30A - TO- 220 / TO- 220FI
功率MOSFET
TYPE
IRF540
IRF540F我
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
100 V
100 V
R
DS （ ON）
< 0.077
< 0.077
I
D
30 A
16 A
典型
DS （ ON）
= 0.050
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
175
o
C的工作温度
面向应用
表征
1
2
3
1
2
3
TO-220
TO-220FI
应用
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
的DC-DC &直流 - 交流转换器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊，灯驱动器等）
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
VISO
T
英镑
T
j
参数
IRF530
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
绝缘耐压（ DC ）
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
o
价值
IRF 530FI
100
100
±
20
30
21
120
150
1
-
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤30 Α,
的di / dt
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
UNI吨
V
V
V
17
12
120
45
0.3
2000
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1998年4月
1/6
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
IRF540 ， IRF540S
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
低热阻
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 100 V
I
D
= 23 A
g
R
DS （ ON）
≤
77 m
s
概述
N沟道增强型场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
T.V.和电脑显示器电源
该IRF540是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该IRF540S是在SOT404 （提供
2
PAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
±
20
23
16
92
100
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：该SOT404包2中
1999年8月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
IRF540 ， IRF540S
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
10
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
T
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
P
D
0.1
tp
D = TP / T
0.01
1E-06
1E-05
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
9V
8V
7V
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
6V
5V
4V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
0.8
0.7
1000
100
RDS （ ON）= VDS / ID
TP = 10我们
0.6
0.5
4V
0.4
0.3
5V
0.2
0.1
VGS = 9 V
5.5V
6V
6.5V
7V
8V
10
特区
1
100美
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0
0
10
20
30
漏极电流ID （ A）
40
50
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年8月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
IRF540 ， IRF540S
漏极电流ID （ A）
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
VDS > ID X RDS （ ON）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
175 C
TJ = 25℃
1.5
1
0.5
0
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
栅 - 源电压，V GS （V）的
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
TJ = 25℃
175 C
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.0E-01
1.0E-02
最低
典型
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-03
1.0E-06
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
漏极电流ID （ A）
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
正规化的导通状态电阻
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
10000
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
5
启1.100
N沟道100V - 0.055
- 图22A的TO-220
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
IRF540
s
s
s
s
s
IRF540
V
DSS
100 V
R
DS （ ON）
<0.077
I
D
22 A
典型
DS
（上） = 0.055Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低栅电荷
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
订购信息
销售类型
记号
IRF540&
TO-220
包
管
包装
IRF540
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
100
100
± 20
22
15
88
85
0.57
9
220
-55至175
1) I
SD
≤22A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 12A ，V
DD
= 30V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年2月
新的数据表，根据PCN DSG / CT / 1C16标记： IRF540 &
1/8
IRF540
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 12 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 80 V I
D
= 22 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
60
45
30
6
10
41
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 12 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
50
20
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 22 A
V
GS
= 0
100
375
7.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
22
88
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 22 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
IRF540 ， SiHF540
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
72
11
32
单身
D
特点
100
0.077
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
175°C的工作温度
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF540PbF
SiHF540-E3
IRF540
SiHF540
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
100
± 20
28
20
110
1.0
230
28
15
150
5.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 440微亨，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 28 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
28 A， di / dt的
≤
170 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91021
S- 81240 -REV 。 A， 16军08
www.vishay.com
1
IRF540 ， SiHF540
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A
b
A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 17
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 17 A，V
DS
= 80 V,
参见图。 6和13
b
100
-
2.0
-
-
-
-
8.7
-
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.077
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
1700
560
120
-
-
-
11
44
53
43
4.5
7.5
-
-
-
72
11
32
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
DD
= 50 V，I
D
= 17 A
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 2.9
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
180
1.3
28
A
110
2.5
360
2.8
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 28 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
www.vishay.com
2
文档编号： 91021
S- 81240 -REV 。 A， 16军08
QQ：2880707522 复制
