IXFH 6N100F
IXFT 6N100F
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
3
5.5
1770
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
186
53
11
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2.0
（外部）
8.6
21
8.3
54
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
14
27
0.65
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
24
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
TO- 268外形
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.6
4
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
闵推荐足迹
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFH 6N100F
IXFT 6N100F
图。 7.栅极电荷特性曲线
10
V
DS
= 500V
图。 8.电容曲线
2000
西塞
8
I
D
= 3A
I
G
= 10毫安
6
电容 - pF的
V
GE
- 伏特
1000
700
500
400
300
200
100
70
50
40
0
5
F = 1MHz的
科斯
4
2
CRSS
0
0
10
20
30
40
50
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
- nanocoulombs
V
DS
- 伏特
图。 9.源电流和源极到漏极电压
18
16
14
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
0.2
T
J
= 125 C
O
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
O
C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 伏特
图。 10.热阻抗
1
D=0.5
D=0.2
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D =占空比
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFH 6N100F
IXFT 6N100F
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
3
5.5
1770
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
186
53
11
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2.0
（外部）
8.6
21
8.3
54
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
14
27
0.65
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
24
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
TO- 268外形
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.6
4
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
闵推荐足迹
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFH 6N100F
IXFT 6N100F
图。 7.栅极电荷特性曲线
10
V
DS
= 500V
图。 8.电容曲线
2000
西塞
8
I
D
= 3A
I
G
= 10毫安
6
电容 - pF的
V
GE
- 伏特
1000
700
500
400
300
200
100
70
50
40
0
5
F = 1MHz的
科斯
4
2
CRSS
0
0
10
20
30
40
50
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
- nanocoulombs
V
DS
- 伏特
图。 9.源电流和源极到漏极电压
18
16
14
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
0.2
T
J
= 125 C
O
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
O
C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 伏特
图。 10.热阻抗
1
D=0.5
D=0.2
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D =占空比
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
QQ：2881677436 复制
