IRFZ48RS ， IRFZ48RL ， SiHFZ48RS ， SiHFZ48RL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
110
29
36
单身
D
特点
60
0.018
先进的工艺技术
动态的dV / dt
175 ° C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
丢弃在更换IRFZ48 / SiHFZ48的
线性/音频应用
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
描述
Vishay的先进的功率MOSFET采用先进的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
在一个典型的表面2 W的安装应用程序。
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ48RSPbF
SiHFZ48RS-E3
IRFZ48RS
SiHFZ48RS
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRFZ48RLPbF
SiHFZ48RL-E3
-
-
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
漏电流脉冲
A，E
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
d
10秒
T
C
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 20
50
50
290
1.3
100
190
4.5
- 55 + 175
300
d
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91296
S-挂起-REV 。 A， 22 -JUL- 08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
IRFZ48RS ， IRFZ48RL ， SiHFZ48RS ， SiHFZ48RL
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
安装力矩
6-32或M3螺丝
符号
极限
10
1.1
单位
磅力·中
N·m的
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 22 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 72 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
72 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于包装， （死亡电流= 72 A） 。
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
0.8
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
c
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 43 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 43 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
27
-
0.60
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.018
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
2400
1300
190
-
-
-
8.1
250
210
250
4.5
7.5
-
-
-
110
29
36
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 72 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 72 A,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 0.34
Ω,
参见图。 10
B，C
-
-
-
-
-
G
S
www.vishay.com
2
文档编号： 91296
S-挂起-REV 。 A， 22 -JUL- 08
IRFZ48RS ， IRFZ48RL ， SiHFZ48RS ， SiHFZ48RL
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
120
0.50
50
c
A
290
2.0
180
0.80
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 72 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 72 A， di / dt的= 100 A / μs的
B，C
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。目前受限于包装， （死亡电流= 72 A） 。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 2 - 典型的输出特性
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3
IRFZ48RS ， IRFZ48RL ， SiHFZ48RS ， SiHFZ48RL
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图。 3 - 典型的传输特性
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
I
D
= 72A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60
80
100 120 140 160 180
T
J
，结温（
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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4
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IRFZ48RS ， IRFZ48RL ， SiHFZ48RS ， SiHFZ48RL
Vishay Siliconix公司
80
不限按包
I
D
，漏电流（ A）
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
1000
V
DS
R
D
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
R
G
V
GS
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
100
100us
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
1ms
图。 10A - 开关时间测试电路
10
10ms
V
DS
90
%
1
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 175 °C
单脉冲
1
10
100
1000
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 10B - 开关时间波形
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IRFZ48RS ， IRFZ48RL ， SiHFZ48RS ， SiHFZ48RL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
110
29
36
单身
D
特点
60
0.018
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
先进的工艺技术
动态的dV / dt
175 ° C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
丢弃在更换IRFZ48 ， SiHFZ48的
线性/音频应用
符合RoHS指令2002/95 / EC
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
描述
Vishay的先进的功率MOSFET采用先进的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性和功耗最高
在一个典型的表面2 W的安装应用程序。
I
2
PAK （ TO- 262 ）
-
IRFZ48RLPbF
SiHFZ48RL-E3
G
G
G
D
S
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHFZ48RS-GE3
IRFZ48RSPbF
SiHFZ48RS-E3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
50
50
290
1.3
100
190
4.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 22 μH ，R
g
= 25
,
I
AS
= 72 A（见图12 ） 。
C.我
SD
72 A， di / dt的
200 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于包装， （死亡电流= 72 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91296
S11-1054 -REV 。 C， 30日， 11
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本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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IRFZ48RS ， IRFZ48RL ， SiHFZ48RS ， SiHFZ48RL
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
0.8
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
c
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 43 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 43 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
27
-
0.60
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.018
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
2400
1300
190
-
-
-
8.1
250
210
250
4.5
7.5
-
-
-
110
29
36
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 72 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 72 A,
R
g
= 9.1
,
R
D
= 0.34
,
参见图。 10
B，C
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
120
0.50
50
c
A
290
2.0
180
0.80
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 72 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 72 A， di / dt的= 100 A / μs的
B，C
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
。目前受限于包装， （死亡电流= 72 A） 。
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
I
D
= 72A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（
°
C)
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
I
D
，漏电流（ A）
100
100us
1ms
10
10ms
1
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 175 °C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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80
不限按包
V
GS
R
g
V
DS
R
D
D.U.T.
+
- V
DD
I
D
，漏电流（ A）
60
10 V
40
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
20
V
DS
90 %
0
25
50
75
100
125
150
175
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.1
1
10
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 91296
S11-1054 -REV 。 C， 30日， 11
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5
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PD - 95761
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先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
滴在更换IRFZ48的
线性/音频应用
LEAD -FREE
HEXFET功率MOSFET
D
IRFZ48RSPbF
IRFZ48RLPbF
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 0.018
G
S
I
D
= 50*A
先进的HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率
能力和尽可能低的导通电阻，在任何现有
表面贴装封装。对D
2
白是适宜于大电流
因为它的低的内部连接电阻和能应用
耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
描述
D
2
PAK
IRFZ48RS
TO-262
IRFZ44RL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
50*
50*
290
190
1.3
± 20
100
4.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.8
–––
62
单位
° C / W
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08/24/04
IRFZ48RS/LPbF
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
I
D
= 72A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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