IXFH 68N20 74N20 IXFH
IXFT 68N20 74N20 IXFT
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
35
45
5400
1160
560
40
55
120
26
280
39
135
0.25
0.35
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1
2
3
AD TO- 247 ( IXFH )大纲
终端:
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
W
(外部)
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
( TO- 247封装)
IXFH68N20 & IXFH74N80特性曲线可以在IXFK72N20找到/
IXFK80N20数据表。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 25A
-di / DT = 100 A / MS ,
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
68N20
74N20
68N20
74N20
68
74
272
296
1.5
200
0.85
8
A
A
A
A
V
ns
mC
A
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
女士,
占空比
2 %
闵推荐足迹
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025