IS61WV12816DALL/DALS
IS61WV12816DBLL/DBLS
IS64WV12816DBLL/DBLS
128K ×16高速异步
CMOS静态RAM
特点
高速： （ IS61 / 64WV12816DALL / DBLL ）
高速存取时间： 8 ， 10 ， 12 ， 20纳秒
低有功功率： 135毫瓦（典型值）
低待机功率： 12
μW
（典型值）
CMOS待机
低功耗： （ IS61 / 64WV12816DALS / DBLS ）
高速存取时间： 25日， 35纳秒
低有功功率： 55毫瓦（典型值）
低待机功率： 12
μW
（典型值）
CMOS待机
单电源供电
— V
DD
1.65V至2.2V （ IS61WV12816DAxx ）
— V
DD
2.4V至3.6V （ IS61 / 64WV12816DBxx ）
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业和汽车温度支持
无铅可
2008年5月
描述
该
ISSI
IS61WV12816DAxx / DBXX和IS64WV12816DBxx
是高速， 2,097,152位静态RAM组织为
131,072字由16位。它是使用制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术，
得到高性能和低功耗DE-
恶习。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS61WV12816DAxx / DBXX和IS64WV12816DBxx是
包装在JEDEC标准的44引脚TSOP II型和
48针Mini- BGA （ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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版本C
05/01/08
1
IS61WV12816DALL / DALS ， IS61WV12816DBLL / DBLS ，
IS64WV12816DBLL/DBLS
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
引脚配置
44引脚的TSOP （II型） （T）的
引脚说明
A0-A16
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
2
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版本C
05/01/08
IS61WV12816DALL / DALS ， IS61WV12816DBLL / DBLS ，
IS64WV12816DBLL/DBLS
引脚配置
48引脚小型BGA （B ）
1
2
3
4
5
6
1
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
NC
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
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05/01/08
3
IS61WV12816DALL / DALS ， IS61WV12816DBLL / DBLS ，
IS64WV12816DBLL/DBLS
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 3.3V + 5%
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC （脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 2.4V-3.6V
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
分钟。
1.8
—
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC （脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 1.65V-2.2V
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
DD
1.65-2.2V
1.65-2.2V
1.65-2.2V
1.65-2.2V
分钟。
1.4
—
1.4
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.2
V
DD
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC （脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
4
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IS61WV12816DALL / DALS ， IS61WV12816DBLL / DBLS ，
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AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平（V
REF
)
输出负载
R1 (
Ω
)
R2 (
Ω
)
V
TM
(V)
单位
(2.4V-3.6V)
0.4V至V
DD
- 0.3V
1V / ns的
VDD / 2
参见图1和2
1909
1105
3.0V
单位
(3.3V + 5%)
0.4V至V
DD
- 0.3V
1V / ns的
VDD + 0.05
2
参见图1和2
317
351
3.3V
单位
(1.65V-2.2V)
0.4V至V
DD
- 0.3V
1V / ns的
0.9V
参见图1和2
13500
10800
1.8V
1
2
3
4
R1
AC测试负载
VTM
5
6
R2
Z
O
= 50Ω
产量
50Ω
VDD/2
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
7
8
9
10
11
12
图1 。
图2中。
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5
QQ：2880707522 复制
