IXFH340N075T2
IXFT340N075T2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
TO-247
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 1Ω
（外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
65
110
19
2230
490
1.7
26
50
60
35
300
68
70
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.16
° C / W
° C / W
e
1
2
3
TO- 247 （ IXFH ）大纲
P
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 170A ，V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 37.5V
75
4.4
165
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
340
1360
1.3
A
A
V
ns
A
nC
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268 （ IXFT ）大纲
注1.脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFH340N075T2
IXFT340N075T2
图。 7.输入导纳
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
T
J
= 150C
25C
- 40C
200
25C
240
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
160
I
D
- 安培
120
150C
80
40
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
300
图。 10.栅极电荷
10
9
V
DS
= 37.5V
I
D
= 170A
I
G
= 10毫安
250
8
7
I
S
- 安培
200
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
6
5
4
3
2
1
150
T
J
= 150C
100
50
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0
50
100
150
200
250
300
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS （ ON）
极限
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
25s
10,000
西塞
100
外部引线电流限制
100s
I
D
- 安培
100ms
10
T
J
= 175C
DC
1ms
1,000
科斯
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
1
10ms
T
C
= 25C
单脉冲
10
100
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_340N075T2 （ V8 ） 09年9月15日
QQ：2880707522 复制
