【PD - 93937B开关电源MOSFET应用l高频DC-DC隔离转换器的同步整流对于电信和工业应用】,IC型号IRF3707,IRF3707 PDF资料,IRF3707经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 93937B

开关电源MOSFET

应用

l

高频DC-DC隔离

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

l

IRF3707

IRF3707S

IRF3707L

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

30V

R

DS （ ON）

最大

12.5m

I

D

62A

高频降压转换器的

计算机处理器电源

好处

l

l

l

超低栅极阻抗

非常低R

DS （ ON）

充分界定雪崩电压

和电流

TO-220AB

IRF3707

D

2

PAK

IRF3707S

TO-262

IRF3707L

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 70°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 70°C

T

J

, T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

30

± 20

62

52

248

87

61

0.59

-55 + 175

单位

V

V

A

W

W

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

结到环境（印刷电路板安装） *

典型值。

–––

0.50

–––

–––

马克斯。

1.73

–––

62

40

单位

° C / W

*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994

笔记

通过

在第10页

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1

8/22/00

IRF3707/3707S/3707L

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

分钟。

30

–––

–––

静态漏 - 源极导通电阻

–––

栅极阈值电压

1.0

–––

漏极至源极漏电流

–––

栅 - 源正向漏

–––

栅 - 源反向漏

–––

典型值。

–––

0.027

9.0

12.6

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

12.5

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

m

17

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 12A

3.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

20

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

A

100

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

200

V

GS

= 16V

nA

-200

V

GS

= -16V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

输出栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

37

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

19

8.2

6.3

18

8.5

78

11.8

3.3

1990

707

50

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 15V ，我

D

= 49.6A

–––

I

D

= 24.8A

–––

NC V

DS

= 15V

–––

V

GS

= 4.5V

27

V

GS

= 0V, V

DS

= 15V

–––

V

DD

= 15V

–––

I

D

= 24.8A

ns

–––

R

G

= 1.8

–––

V

GS

= 4.5V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 15V

–––

pF

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

–––

马克斯。

213

62

单位

mJ

A

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向

反向

反向

反向

恢复

恢复

恢复

恢复

时间

收费

时间

收费

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

0.88

0.8

39

49

42

62

62

A

248

1.3

–––

59

74

63

93

V

ns

nC

ns

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 31A ，V

GS

= 0V

T

J

≤ 125 ° C，I

S

= 31A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 31A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

T

J

≤ 125 ° C，I

F

= 31A ，V

R

=20V

的di / dt = 100A / μs的

2

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IRF3707/3707S/3707L

1000

VGS

顶部

10.0V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

BOTTOM 3.5V

1000

VGS

10.0V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

BOTTOM 3.5V

顶部

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

3.5V

10

3.5V

10

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

1

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

T

J

= 25

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 62A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

T

J

= 175

°

C

1.5

100

1.0

0.5

10

3.0

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

6.0

7.0

4.0

5.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF3707/3707S/3707L

3000

2500

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

=

24.8A

8

V

DS

= 15V

C，电容（pF ）

2000

西塞

6

1500

1000

C

OSS

4

500

2

C

RSS

0

1

10

100

0

0

10

20

30

40

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 175

°

C

10us

100

100us

10

T

J

= 25

°

C

1

10

1ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

1

10

10ms

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF3707/3707S/3707L

70

V

DS

V

GS

R

G

R

D

60

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

50

-

V

DD

10V

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

30

图10A 。

开关时间测试电路

20

V

DS

10

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.1

0.0001

0.001

0.01

1

P

DM

t

1

t

2

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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36070

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