IXFH160N15T
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1兆赫
特征值
分钟。
65
典型值。
105
8800
1170
150
21
21
52
29
160
43
46
0.25
马克斯。
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.18 ° C / W
° C / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
TO- 247AD大纲
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
1
2
3
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
= 0.5
I
D25
R
G
= 2Ω （外部）
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
= 25A
DIM 。
源极 - 漏极二极管
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 80A ， -di / DT = 200A / μs的
V
R
= 75V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
160
430
1.2
90
12
0.55
160
A
A
V
μs
A
μC
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P 3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFH160N15T
图。 13.电阻导通
上升时间与结温
24
R
G
= 2Ω
22
V
GS
= 15V
V
DS
= 75V
22
20
18
16
14
12
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
45
50
55
60
65
70
75
80
T
J
= 125C
R
G
= 2Ω
V
GS
= 15V
V
DS
= 75V
T
J
= 25C
24
图。 14.电阻导通
上升时间与漏极电流
t
r
- 纳秒
18
16
14
I
12
10
D
I
D
= 40A
= 80A
T
J
- 摄氏
t
r
- 纳秒
20
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通
开关时间与栅极电阻
42
38
34
27
40
图。 16.电阻关断
开关时间与结温
110
t
r
V
DS
= 75V
t
D（上）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GS
= 15V
26
36
t
f
R
G
= 2Ω,
V
DS
= 75V
t
D（关闭）
- - - -
V
GS
= 15V
100
t
（O N）
- 纳秒
25
I
D
= 80A, 40A
24
23
22
21
20
19
t
（O F F ）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
f
- 纳秒
32
90
30
26
22
18
14
10
2
3
28
I
D
= 40A
80
24
I
D
= 80A
70
20
60
16
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
4
5
6
7
8
9
10
50
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断
开关时间与漏电流
40
110
110
100
100
90
图。 18.电阻关断
开关时间与栅极电阻
260
t
f
36
T
J
= 25C
V
DS
= 75V
t
D（关闭）
- - - -
t
f
V
DS
= 75V
t
D（关闭）
- - - -
240
220
R
G
= 2Ω, V
GS
= 15V
T
J
= 125°C ，V
GS
= 15V
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O F F ）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
32
90
t
f
- 纳秒
80
70
60
50
40
30
20
I
D
= 40A
200
180
I
D
28
T
J
= 125C
80
= 80A
160
140
120
100
80
60
24
T
J
= 25C
70
20
T
J
= 125C
16
40
45
50
55
60
65
70
75
80
60
50
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： T_160N15T （ 8W ） 07年6月7日
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