IXFH12N100P IXFV12N100P
IXFV12N100PS
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
(TO-247&PLUS220)
0.25
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
4.8
8.8
1.9
4080
246
40
30
25
60
36
80
24
35
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.27
° C / W
° C / W
PLUS220大纲
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 6A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
12
48
1.5
A
A
V
的TO- 247概要
300纳秒
0.8
7.9
μC
1
2
3
P
A
记
1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
e
PLUS220SMD大纲
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
DIM 。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFH12N100P IXFV12N100P
IXFV12N100PS
图。 7.输入导纳
16
14
12
18
16
14
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
I
D
- 安培
10
8
6
4
2
0
3.0
3.5
4.0
4.5
g
F小号
- 西门子
T
J
= 125C
25C
- 40C
12
10
8
6
4
2
0
25C
125C
5.0
5.5
6.0
6.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
40
35
30
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
10
20
30
V
DS
= 500V
I
D
= 6A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
20
T
J
= 125C
15
T
J
= 25C
10
5
0
V
GS
- 伏特
25
40
50
60
70
80
90
100
110
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1
图。 12.最大瞬态热阻抗
西塞
电容 - 皮法
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
1,000
0.1
100
科斯
f
= 1兆赫
10
0
5
10
15
20
CRSS
0.01
0.0001
25
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_12N100P （ 75-744 ） 08年4月1日-A
QQ：2880707522 复制
