PD 91785A
IRG4IBC20W
绝缘栅双极晶体管
特点
用于开关模式电源设计明确
供应和PFC （功率因数校正）
应用
2.5kV的， 60年代绝缘电压
V
行业标杆开关损耗提高
所有的电源拓扑结构的效率
减少50％的Eoff参数
低IGBT的导通损耗
最新一代IGBT的设计和施工报价
更严格的参数分布，卓越的可靠性
工业标准隔离TO- 220 FULLPAK
TM
概要
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.16V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 6.5A
N沟道
好处
更低的开关损耗，让更具成本效益
操作比功率MOSFET高达150千赫
（ "hard switched"模式）
特别有利于单端转换器和
升压PFC拓扑150W及以上
低导通损耗和最小的少数载流子
重组使这些一个很好的选择
谐振模式的切换，以及（高达>>300 kHz）的
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
S
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
11.8
6.2
52
52
± 20
200
34
14
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
3.7
65
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
12/30/00
IRG4IBC20W
25
F R B 日：
特里亚体中ü LA R W一个已经：
20
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
摹吃了驱动器指定
宝宽E R d为的IP一个TIO N = 1 3 W
拉·M P VO LTA克E：
8 0 ％ F RA TE
负载电流（A ）
15
S曲是波：
6 0 ％ F RA TE
V LTA克é
10
5
身份证电子人 IO德s
0
0.1
1
10
100
A
1000
男，频率（馀Z）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
°
C
10
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
V
= 15V
20μs的脉冲宽度
GE
1
10
T
J
= 25
°
C
V
= 50V
5μs脉宽
CC
5
6
7
9
10
11
1
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
PD -95636
IRG4IBC20WPbF
绝缘栅双极晶体管
特点
明确了开关电源设计
供应和PFC （功率因数校正）
应用
2.5kV的， 60年代绝缘电压
??行业标杆
开关损耗，提高
所有的电源拓扑结构的效率
减少50％的Eoff参数
低压IGBT的导通损耗
最新一代IGBT的设计和施工报价
更严格的参数分布，卓越的可靠性
工业标准隔离TO- 220 FULLPAK
TM
概要
LEAD -FREE
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.16V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 6.5A
N沟道
好处
更低的开关损耗允许更具成本效益的
操作比功率MOSFET高达150千赫
（ "hard switched"模式）
特别有利于单端转换器和
升压PFC拓扑150W及以上
低导通损耗和最小的少数载流子
重组使这些一个很好的选择
谐振模式的切换，以及（高达>>300 kHz）的
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
的TO-220 FULLP
AK
绝对最大额定值
马克斯。
600
11.8
6.2
52
52
± 20
200
34
14
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
3.7
65
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
07/23/04
PD 91785A
IRG4IBC20W
绝缘栅双极晶体管
特点
用于开关模式电源设计明确
供应和PFC （功率因数校正）
应用
2.5kV的， 60年代绝缘电压
V
行业标杆开关损耗提高
所有的电源拓扑结构的效率
减少50％的Eoff参数
低IGBT的导通损耗
最新一代IGBT的设计和施工报价
更严格的参数分布，卓越的可靠性
工业标准隔离TO- 220 FULLPAK
TM
概要
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.16V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 6.5A
N沟道
好处
更低的开关损耗，让更具成本效益
操作比功率MOSFET高达150千赫
（ "hard switched"模式）
特别有利于单端转换器和
升压PFC拓扑150W及以上
低导通损耗和最小的少数载流子
重组使这些一个很好的选择
谐振模式的切换，以及（高达>>300 kHz）的
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
S
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
11.8
6.2
52
52
± 20
200
34
14
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
3.7
65
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
12/30/00
IRG4IBC20W
25
F R B 日：
特里亚体中ü LA R W一个已经：
20
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
摹吃了驱动器指定
宝宽E R d为的IP一个TIO N = 1 3 W
拉·M P VO LTA克E：
8 0 ％ F RA TE
负载电流（A ）
15
S曲是波：
6 0 ％ F RA TE
V LTA克é
10
5
身份证电子人 IO德s
0
0.1
1
10
100
A
1000
男，频率（馀Z）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
°
C
10
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
V
= 15V
20μs的脉冲宽度
GE
1
10
T
J
= 25
°
C
V
= 50V
5μs脉宽
CC
5
6
7
9
10
11
1
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
