IXFE 55N50
IXFE 50N50
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
0.07
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V ;我
D
= I
T
注2
特征值
分钟。典型值。马克斯。
45
9400
1200
460
45
60
120
45
330
55
185
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
ISOPLUS -227 B
源极 - 漏极二极管
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
测试条件
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0
重复;
脉冲宽度限制T
JM
55N50
50N50
55N50
50N50
特征值
分钟。典型值。马克斯。
55
50
220
200
1.3
180
30
2
8
A
A
A
A
V
ns
ns
C
A
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V T，
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
请参阅IXFN55N50数据表
对于特性曲线。
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
JM 。
2.脉冲检验，t
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3. I
T
测试电流：
IXFE55N50 ：我
T
= 27.5 A
IXFE50N50 ：我
T
= 25 A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
