CMOS静态RAM
16K （ 16K ×1位）
集成设备技术有限公司
IDT6167SA
IDT6167LA
产品特点：
高速（平等机会和循环时间）
- 军事量：15/ 20/25 /35 /五十五分之四十五/ 70/ 85/ 100纳秒（最大）
- 商业： 15/20 /25 /为35ns （最大值）
低功耗
电池备份操作 - 2V的数据保持电压
（仅IDT6167LA ）
提供20引脚CERDIP和塑料DIP和20引脚
SOJ
拥有先进的CMOS高性能生产
技术
CMOS工艺几乎消除了α粒子软
错误率
独立的数据输入和输出
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
描述：
该lDT6167是16,384位高速静态RAM奥尔加
的发布为16K X 1的部分是采用IDT的高制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。
存取时间快15ns的都可用。该电路还
提供了降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，
该电路将自动进入，并保持在一个备用
模式，只要
CS
仍然很高。此功能提供
显著的系统级功耗和散热成本。在低
功率（ LA ）的版本还提供了一个备用电池数据保留
能力，在电路的典型功耗只有1μW
经营过一个2V的电池。
所有的输入和IDT6167的输出为TTL -相容
IBLE并用单5V电源工作，从而简化
系统设计。
的IDT6167打包在一个节省空间的20引脚， 300密耳
塑料DIP或陶瓷浸渍，塑料20引脚SOJ ，提供高
板级封装密度。
军工级产品的制造符合
MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的
适用于军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0
V
CC
GND
地址
解码
16,384-BIT
存储阵列
A
13
D
IN
I / O控制
D
OUT
CS
WE
控制
逻辑
2981 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年3月
2981/5
5.2
1
IDT6167SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 16K ×1位）
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
D
OUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1,
D20-1,
＆放大器;
S020-1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
D
IN
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
DC输出
当前
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
°C
°C
°C
W
mA
WE
GND
CS
2981 DRW 02
DIP / SOJ
顶视图
引脚说明
A
0
–A
13
地址输入
芯片选择
写使能
动力
数据
IN
数据
OUT
地
2981 TBL 01
注意：
2981 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
CS
WE
V
CC
D
IN
D
OUT
GND
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
MAX 。 UNIT
7
7
pF
pF
真值表
模式
待机
读
写
(1)
CS
H
L
L
WE
X
H
L
注意：
2981 TBL 04
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是
生产测试。
产量
高-Z
数据
OUT
高-Z
动力
待机
活跃
活跃
2981 TBL 02
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
MAX 。 UNIT
5.5
0
6.0
0.8
V
V
V
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
2981 TBL 06
V
IH
V
IL
注意：
2981 TBL 05
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ，每循环一次。
5.2
2
IDT6167SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 16K ×1位）
军用和商用温度范围
DC电气特性
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
– 0.2V)
6167SA/LA15
符号
I
CC1
参数
工作电源电流
CS
≤
V
IL
，输出打开，
V
CC
=最大值， F = 0
(3)
动态工作电流
CS
≤
V
IL
，输出打开，
V
CC
=最大值，女= F
MAX(3)
待机电源电流
（ TTL电平）
CS
≥
V
IH
，输出打开，
V
CC
=最大值，女= F
MAX(3)
全部备用电源电流
（ CMOS电平）
CS
≥
V
HC ，
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
或V
IN
≤
V
LC
, f = 0
(3)
电源Com'l 。
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
90
55
120
100
50
35
5
0.9
米尔。
90
60
130
110
50
35
10
2
6167SA/LA20
Com'l 。
90
55
100
80
35
30
5
0.05
米尔。
90
60
110
85
35
30
10
2
6167SA/LA25
Com'l 。
90
55
100
70
35
25
5
0.05
米尔。
90
60
100
75
35
25
10
0.9
mA
mA
mA
单位
mA
I
CC2
I
SB
I
SB1
DC电气特性
(1)
（续）
(V
CC
= 5.0V
±
10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
– 0.2V)
6167SA / LA35 6167SA / LA45
(2)
6167SA/LA55
(2)
6167SA/LA70
(2)
符号
I
CC1
参数
工作电源电流
CS
≤
V
IL
，输出打开，
V
CC
=最大值， F = 0
(3)
动态工作电流
CS
≤
V
IL
，输出打开，
V
CC
=最大值，女= F
MAX(3)
待机电源电流
（ TTL电平）
CS
≥
V
IH
，输出打开，
V
CC
=最大值，女= F
MAX(3)
全部备用电源电流
（ CMOS电平）
CS
≥
V
HC ，
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
或V
IN
≤
V
LC
, f = 0
(3)
电源Com'l 。
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
90
55
100
65
35
20
5
0.05
米尔。
90
60
100
70
35
20
10
0.9
Com'l 。
—
—
—
—
—
—
—
—
米尔。
90
60
100
65
35
20
10
0.9
Com'l 。
—
—
—
—
—
—
—
—
米尔。
90
60
100
60
35
20
10
0.9
Com'l 。
—
—
—
—
—
—
—
—
米尔。
90
60
100
60
35
15
10
0.9
2981 TBL 07
单位
mA
I
CC2
mA
I
SB
mA
I
SB1
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。也可; 85ns和100ns的军事设备。
3. f
最大
= 1/t
RC
只有解决投入骑自行车在f
最大
。 F = 0表示无地址输入变化。
5.2
3
IDT6167SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 16K ×1位）
军用和商用温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
5V
480
数据
OUT
255
30pF*
数据
OUT
255
5pF*
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
2981 TBL 10
5V
480
2981 DRW 04
2981 DRW 05
图1. AC测试负载
*包括范围和夹具。
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
CHZ
, t
WHZ
和T
OW
)
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 ％ ，全温度范围）
6167SA15
6167LA15
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ(2)
t
CHZ(2)
t
OH
t
PU
(2)
6167SA20 / 25 6167SA35 / 45
(1)
6167SA55
(1)
/70
(1)
6167LA20 / 25 6167LA35 / 45
(1)
6167LA55
(1)
/70
(1)
分钟。马克斯。
20/25
—
—
5/5
—
5/5
0/0
—
20/20
15/20
15/20
0/0
15/20
0/0
12/15
0/0
—
0/0
—
20/25
20/25
—
10/10
—
—
20/25
—
—
—
—
—
—
—
—
8/8
—
分钟。
35/45
—
—
5/5
—
5/5
0/0
—
30/45
30/40
30/40
0/0
30/30
0/0
17/20
0/0
—
0/0
马克斯。
—
35/45
35/45
—
15/30
—
—
35/45
—
—
—
—
—
—
—
—
15/30
—
分钟。
55/70
—
—
5/5
—
5/5
0/0
—
55/70
45/55
45/55
0/0
35/40
0/0
25/30
0/0
—
0/0
马克斯。
—
55/70
55/70
—
40/40
—
—
55/70
—
—
—
—
—
—
—
—
40/40
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2981 TBL 11
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片取消选择到输出中低Z
芯片在高Z选择输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消掉电时间
写周期时间
芯片选择到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
写使能在高阻输出
输出从主动结束了，写
分钟。
15
—
—
3
—
3
0
—
15
15
15
0
13
0
10
0
—
0
马克斯。
—
15
15
—
10
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
7
—
t
PD(2)
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ(2)
t
OW(2)
写周期
注意事项：
1. -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。也可用： 85ns和100ns的军事设备。
2.此参数是保证交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
5.2
5
