HiPerFET
TM
功率MOSFET
V
DSS
IXFE44N50QD2 IXFE44N50QD3
500 V
IXFE48N50QD2 IXFE48N50QD3
500 V
3
4
I
D（续）
39 A
41A
R
DS （ ON）
t
rr
0.12
35纳秒
0.11
35纳秒
3
巴克&升压型配置的
PFC &电机控制电路
2
2
4
D2
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
HiPerFET MOSFET
1
D3
ISOPLUS 227
TM
（ IXFE ）
2
1
1
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C,
脉冲宽度有限的最大值。牛逼
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， -di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤150°C,
R
G
= 2
T
C
= 25°C
44N50Q
48N50Q
44N50Q
48N50Q
最大额定值
500
500
±20
±30
39
41
176
192
48
60
2.5
15
400
600
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
V
A
A
W
°
C
°
C
°
C
V~
V~
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
V
RRM
3
2 - 门
1 - 来源
4
3 =漏极
4 =阳极/阴极
I
FAVM
I
FRM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
C
= 70 ℃;矩形的峰，d = 0.5
TP <10
s;
脉冲宽度限制T
J
T
C
= 25°C
60
800
180
-40 ... +150
150
-40 ... +150
特点
热门降压& Boost电路
拓扑结构
符合SOT- 227B外形
隔离电压3000 V
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低漏 - 壳电容
（ <60 pF的）
- 减少RFI
超快二极管FRED软
反向恢复
应用
功率因数控制和降压
稳压器
直流伺服和机器人驱动器
直流斩波器
二极管
例
V
ISOL
M
d
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
2500
3000
安装力矩
终端连接力矩（ M4）的
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
19
g
开关磁阻电机控制
优势
容易用2个螺丝安装
节省空间
紧密结合FRED
重量
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
DS98903C(03/04)
IXFE44N50QD2
IXFE44N50QD3
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
0.12
0.11
V
V
nA
A
mA
IXFE48N50QD2
IXFE48N50QD3
ISOPLUS -227 B
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
=
I
T
44N50Q
48N50Q
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
δ ≤
2 %
测试条件
符号
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
30
36
8000
930
220
33
22
75
10
190
40
86
0.31
0.07
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V，I
D
=
I
T
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=
I
T
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=
I
T
超快速二极管
符号
I
R
V
F
t
rr
I
RM
R
thJC
R
thJK
测试条件
T
J
= 25°C ; V
R
= V
RRM
T
J
= 150 ℃; V
R
= 0.8V
RRM
I
F
= 60A ，V
GS
= 0 V
Note1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
2.5
2.05
T
J
= 150°C
35
1.4
50
8.3
A
mA
V
V
ns
A
请注意：
对于特性曲线，请参阅
IXFK48N50Q
I
I
= 1A ，的di / dt = -200 A / μs的，V
R
= 30 V ，T
J
= 25°C
I
F
= 60A ，的di / dt = -100 A / μs的，V
R
= 100 V，T
J
= 100°C
0.05
0.7 K / W
K / W
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2.
IXFE44N50我
T
= 22A
IXFE48N50我
T
= 24A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
QQ：2881677436 复制
