IXDF502 / IXDI502 / IXDN502
2安培双低侧超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护高达2 A
高2A峰值输出电流
宽工作电压范围： 4.5V至30V
-55°C
至+ 125 °C扩展工作
温度
高容性负载
驱动能力： 1000pF的在<10ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
在单芯片双驱动
概述
该IXDF502 ， IXDI502和IXDN502每个由两个2-
对于驾驶放大器的CMOS高速MOSFET栅极驱动器
最新IXYS MOSFET的&的IGBT 。每双
输出可源出或吸入2安培的峰值电流，而
产生的电压上升和小于15ns的下降时间。该
每个驱动器的输入为TTL或CMOS兼容，
几乎不受闭锁。 *专利设计创新
消除交叉传导电流"shoot - through" 。
改进的速度和驱动能力进一步增强
通过非常快&匹配的上升和下降时间。
该IXDF502配置有一个闸极驱动器反相
加一门极驱动器非反相。该IXDI502被配置
置的为双反相栅极驱动器，以及IXDN502是
配置为双非反相栅极驱动器。
该IXDF502 ， IXDI502和IXDN502在每个可用
8引脚P- DIP （ PI ）封装， 8引脚SOIC （ SIA ）封装
年龄和6引脚DFN （D1）的包装， （它占据
低于65 ％的8引脚SOIC的电路板面积） 。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
功率电荷泵
*美国专利6917227
订购信息
产品型号
IXDF502PI
IXDF502SIA
IXDF502SIAT/R
IXDF502D1
IXDF502D1T/R
IXDI502PI
IXDI502SIA
IXDI502SIAT/R
IXDI502D1
IXDI502D1T/R
IXDN502PI
IXDN502SIA
IXDN502SIAT/R
IXDN502D1
IXDN502D1T/R
描述
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
2A低侧栅极驱动器I.C.
包
TYPE
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
6引线DFN
6引线DFN
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
6引线DFN
6引线DFN
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
6引线DFN
6引线DFN
包装方式
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
包配置
数量
50
双通道，一个
94
反相驱动
2500和1名司机
56
非反相
2500
50
双通道，既
94
DRIVERS
2500
反相
56
2500
50
双通道，既
94
非司机
2500
反相
56
2500
注意：
所有部件均采用无铅设计并符合RoHS标准
2007 IXYS公司保留所有权利
DS99573B(03/10)
首次发行
IXDF502 / IXDI502 / IXDN502
图1 - IXDF502反相+非反相2A栅极驱动器功能框图
VCC
P
IN A
防跨
传导
电路*
*
OUT A
N
P
IN B
防跨
传导
电路*
*
OUT B
N
GND
图2 - IXDI502双反相2A栅极驱动器功能框图
VCC
P
IN A
防跨
传导
电路*
OUT A
N
*
P
IN B
防跨
传导
电路*
OUT B
N
*
GND
图3 - IXDN502 2A双非反相栅极驱动器功能框图
VCC
P
IN A
防跨
传导
电路*
OUT A
N
P
IN B
防跨
传导
电路*
OUT B
N
GND
*
美国专利6917227
2007 IXYS公司保留所有权利
2
IXDF502 / IXDI502 / IXDN502
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
所有其他引脚
结温
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
35V
0.3 V到V
CC
+ 0.3V
150
°
C
-65
°
C至150
°
C
300
°
C
工作额定值
(2)
参数
价值
工作电源电压
4.5V至30V
工作温度范围
-55
°
C至125
°
C
封装热阻
*
8-PinPDIP
（PI）的
θ
J- á
（典型值） 125
°
C / W
8引脚SOIC
（ SIA ）
θ
J- á
（典型值） 200
°
C / W
6引线DFN
(D1)
θ
J- á
（典型值）， 125-200
°
C / W
6引线DFN
(D1)
θ
J-
（最大值） 3.3
°
C / W
6引线DFN
(D1)
θ
-S
（典型值）
7.3 °
C / W
电气特性@ T
A
= 25
o
C
(3)
除非另有说明， 4.5V
≤
V
CC
≤
30V .
所有电压测量相对于GND 。 IXD_502配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出状态
阻力
低态输出
阻力
峰值输出电流
连续输出电流
上升时间
下降时间
导通时间传输延迟
关断时间传输延迟
电源电压
电源电流
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
民
3.0
(4)
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
V
CC
= 15V
V
CC
= 15V
V
CC
= 15V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=15V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=15V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=15V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=15V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= +V
CC
2.5
2
2
4
3
1
7.5
6.5
25
20
15
1
0
10
9
32
30
30
3
15
15
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
3
IXDF502 / IXDI502 / IXDN502
电气特性@温度超过-55
o
C至125
o
C
(3)
除非另有说明， 4.5V
≤
V
CC
≤
30V ， TJ < 150
o
C
所有电压测量相对于GND 。 IXD_502配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出状态
阻力
低态输出
阻力
连续输出
当前
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
电源电压
电源电流
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
15V
4.5V
≤
V
CC
≤
15V
民
3.1
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
V
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
V
CC
= 15V
V
CC
= 15V
6
5
1
C
负载
= 1000pF的V
CC
=15V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=15V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=15V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=15V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
15
1
0
11
10
40
38
30
3
40
40
注意事项：
1.经营超出列为“绝对最大额定值”参数中的设备可能会造成永久性
损坏设备。长期在绝对最大额定条件下长时间工作会影响器件
可靠性。
2.该设备不是要的工作额定值以外运行。
提供3电气特性与规定的测试条件有关。
4.典型的值在以通信设备如何被预期执行，但不一定
突出于该装置所保证的功能的任何具体的性能极限。
*
下列注意事项是为了定义的条件
θ
J- á
,
θ
J-
和
θ
-S
价值观：
1）
θ
J- á
（典型值）被定义为结点到环境。该
θ
J- á
标准的单芯片8引脚PDIP和8引脚SOIC都是由占主导地位
封装的电阻，并且IXD_5XX是典型的。这些包的值是自然对流数值与垂直板
和的值将是较低的，强制对流。对于6引脚DFN封装，
θ
J- á
值设的DFN封装
焊接在PCB上。该
θ
J- á
（典型值） 200
°
下用PCB上没有特别规定/ W ，但由于中心垫提供了一种低
对于模具的耐热性，很容易降低
θ
J- á
通过在PCB上增加连接的铜焊盘或迹线。这些能减少
该
θ
J- á
（典型值） 125
°
C / W轻松，甚至有可能更低。该
θ
J- á
对于DFN PCB上没有散热片或散热管理
与规模，结构，布局，材料等这种典型的范围内变化显著告诉用户什么，他很可能会得到，如果他不无
热管理。
2)
θ
J-
（最大）被定义为juction到外壳，其中，壳体是DFN封装背面的大垫。该
θ
J-
值通常是不
公布了PDIP和SOIC封装。该
θ
J-
为DFN封装是很重要的，以显示从连接处的热阻低，以
管芯附着焊盘上的DFN的后面， - 和一个保护频带已被添加到安全。
3）
θ
-S
（典型值）被定义为结到散热片，其中， DFN封装焊接到被安装在散热片的热衬底。
因为存在着多种热基底的值必须是典型的。基于容易获得IMS在此值计算
美国或欧洲，而不是一个高级日本的IMS 。一个4密耳dialectric用2.2W / MC的热导率被假定。其结果是
作为典型，并指示用户所期望的一个典型的IMS基板上，并显示了潜在的低热阻
DFN封装。
2007 IXYS公司保留所有权利
4
IXDF502 / IXDI502 / IXDN502
引脚说明
针
2
1
3
2
4
3
5
4
6
5
7
6
包
SOIC ， DIP
DFN
SOIC ， DIP
DFN
SOIC ， DIP
DFN
SOIC ， DIP
DFN
SOIC ， DIP
DFN
SOIC ， DIP
DFN
符号
IN A
功能
通道的输入
描述
通道的输入信号TTL或CMOS兼容。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，
该引脚为整个芯片的接地参考。该引脚
应连接至一个低噪声模拟地平面为
最佳性能。
B通道输入信号TTL或CMOS兼容。
B通道驱动器输出。对于应用程序而言，该引脚为
通过一个电阻连接到MOSFET / IGBT的栅极。
正电源电压输入。该引脚提供电源
到整个芯片。范围此电压为4.5V至
30V.
一个通道驱动器输出。对于应用程序而言，该引脚为
通过一个电阻连接到MOSFET / IGBT的栅极。
GND
地
IN B
OUT B
V
CC
OUT A
B通道输入
B通道输出
电源电压
A声道输出
注意：处理和装配组件时，请按照正确的ESD程序。
引脚配置
IXDF502
1
2
3
4
IXDI502
8
7
6
1
2
3
4
IXDN502
8
7
6
1
2
3
4
NC
IN A
GND
INB
NC
UT一
V
S
NC
IN A
GND
INB
NC
UT一
V
S
NC
IN A
GND
INB
NC
UT一
V
S
8
7
6
UT B 5
UT B 5
UT B 5
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
（ SIA ）
IXDF402
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
（ SIA ）
IXDI402
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
（ SIA ）
IXDN402
6引线DFN （ D1 ）
（底视图）
6 OU中的1
T
5
VC
GND 2
IN B 3
6引线DFN （ D1 ）
（底视图）
6 OU中的1
T
5 Vc的
4 OU B
T
GND 2
IN B 3
6引线DFN （ D1 ）
（底视图）
6 OU中
T
5
VC
以1
GND 2
IN B 3
4 OU B
T
4 OU B
T
注意：
对DFN封装底部焊片接地
图4 - 特性测试图
VCC
10uF
0.01uF
1
NC
2
IN A
3
GND
4
IN B
NC
8
7
OUT A
VCC
6
OUT B
5
安捷伦1147A
电流探头
1000 pF的
安捷伦1147A
电流探头
1000 pF的
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
5
QQ：2881677436 复制
