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PD- 94160
IRF7704
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型( < 1.1毫米)
可在磁带卷&
V
DSS
-40V
R
DS ( ON)
MAX( MΩ)
)
46@V
GS
= -10V
74@V
GS
= -4.5V
I
D
-4.6A
-3.7A
描述
HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术,以实现EX-
tremely低导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合加固装置的设计,即间
国家整流器是众所周知的,
提供thedesigner
1
2
3
4
1=
2=
3=
4=
D
S
S
G
D
8
7
G
6
用一个非常有效和可靠的装置,用于
电池和负载管理。
采用TSSOP -8封装少45%的占位面积比
标准的SO- 8 。这使得TSSOP - 8的理想
其中,印刷电路板空间设备的应用
是十分宝贵的。低调( <1.2毫米)允许它适应
易成非常薄的环境中,例如便携
电子和PCMCIA卡。
S
8=
7=
6=
5=
D
S
S
D
5
TSSOP-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ -10V
连续漏电流, V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-40
-4.6
-3.7
-19
1.5
1.0
12
± 20
-55到+ 150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
83
单位
° C / W
www.irf.com
1
3/19/01
IRF7704
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-40
–––
–––
–––
-1.0
7.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.03
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
25
10
9.5
25
360
190
100
3150
250
200
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
46
V
GS
= -10V ,我
D
= -4.6A
m
74
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -3.7A
-3.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ,我
D
= -4.6A
-10
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V ,T
J
= 70°C
-100
V
GS
= -20V
nA
100
V
GS
= 20V
38
I
D
= -4.6A
15
nC
V
DS
= -15V
14
V
GS
= -4.5V
–––
V
DD
= -20V
–––
I
D
= -1.0A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
V
GS
= -4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
= 1.0kHz
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
29
41
-1.5
A
-19
-1.2
44
62
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= -1.5A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -1.5A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装在1平方铜电路板
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
2
www.irf.com
IRF7704
1000
VGS
-15V
-10V
-4.5V
-3.7V
-3.5V
-3.3V
-3.0V
BOTTOM -2.7V
顶部
100
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
100
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
-15V
-10V
-4.5V
-3.7V
-3.5V
-3.3V
-3.0V
BOTTOM -2.7V
顶部
10
10
1
1
-2.70V
0.1
-2.70V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.01
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.0
2.0
10.0
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 4.6A
-I D,漏 - 源电流
)
TJ = 150℃
1.5
1.0
1.0
T J = 25°C
0.1
0.5
0.0
2.5
3.0
3.5
VDS = -25V
20μs的脉冲宽度
4.0
4.5
5.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V GS ,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7704
5000
12
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的,C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
I
D
=
-4.6A
V
DS
=-32V
V
DS
=-20V
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
4000
10
C,电容(pF )
西塞
3000
COSS = C + Cgd的
ds
8
6
2000
4
1000
科斯
CRSS
0
1
10
100
2
0
0
10
20
30
40
50
60
-V DS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域
限于由R DS ( ON)
-I
SD
,反向漏电流( A)
10
-ID ,漏极 - 源极电流(A )
10
100sec
T
J
= 150
°
C
1msec
1
10msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V DS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7704
5.0
V
DS
4.0
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-I
D
,漏电流( A)
3.0
V
GS
2.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
0.0
25
50
75
100
125
150
V
GS
10%
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
90%
V
DS
图10B 。
开关时间波形
100
D = 0.50
热响应(Z
thJA
)
0.20
10
0.10
0.05
0.02
P
DM
1
0.01
t
1
t
2
单脉冲
(热反应)
0.1
0.00001
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图10 。
典型的有效瞬态热阻抗,结到环境
www.irf.com
-
V
DD
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF7704
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    -
    -
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IRF7704
IR
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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IOR
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IRF7704
IR
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