PD- 94160
IRF7704
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型( < 1.1毫米)
可在磁带卷&
V
DSS
-40V
R
DS ( ON)
MAX( MΩ)
)
46@V
GS
= -10V
74@V
GS
= -4.5V
I
D
-4.6A
-3.7A
描述
HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术,以实现EX-
tremely低导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合加固装置的设计,即间
国家整流器是众所周知的,
提供thedesigner
1
2
3
4
1=
2=
3=
4=
D
S
S
G
D
8
7
G
6
用一个非常有效和可靠的装置,用于
电池和负载管理。
采用TSSOP -8封装少45%的占位面积比
标准的SO- 8 。这使得TSSOP - 8的理想
其中,印刷电路板空间设备的应用
是十分宝贵的。低调( <1.2毫米)允许它适应
易成非常薄的环境中,例如便携
电子和PCMCIA卡。
S
8=
7=
6=
5=
D
S
S
D
5
TSSOP-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ -10V
连续漏电流, V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-40
-4.6
-3.7
-19
1.5
1.0
12
± 20
-55到+ 150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
83
单位
° C / W
www.irf.com
1
3/19/01