IXDD504 / IXDE504
4安培双低侧超快MOSFET驱动器
具有使能快速，受控关闭
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护高达4安培
高4A峰值输出电流
宽工作电压范围： 4.5V至30V
-55°C
至+ 125 °C扩展工作
温度
能够禁止在故障输出
高容性负载
驱动能力： 1800pF的<15ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
在单一封装中的两个驱动器
概述
该IXDD504和IXDE504各由两个4安培
用于驱动的CMOS高速MOSFET栅极驱动器
最新IXYS的MOSFET &的IGBT 。每个双输出
可源出或吸入峰值电流4安培同时生产
荷兰国际集团的电压上升和小于15ns的下降时间。输入
每个驱动器的TTL或CMOS兼容，几乎是
免疫闭锁。 *专利的创新设计消除
交叉传导电流"shoot - through" 。改进
速度和驱动能力由快进一步增强，
匹配的上升和下降时间。
此外，每个IXDD504或IXDE504驱动程序包含一个
独特的能力以禁止在故障条件下的输出。
当一个逻辑低的压入使能的输入
驱动程序，无论是它的最终输出级的MOSFET （ NMOS和
PMOS）截止。其结果，各自的输出
该IXDD504进入三态模式和，用另外的
cicuitry ，实现了软关断MOSFET / IGBT时的
当检测到短路。这有助于防止损坏该
可能发生在MOSFET / IGBT的，如果它是要被切换
关突然由于dv / dt的过电压瞬变。
该IXDD504和IXDE504分别在8引脚可用
P- DIP （PI）的封装， 8引脚SOIC （ SIA）的包，并且
8引脚DFN （D2）的包装， （它占据不到65％的
8引脚SOIC封装的电路板面积） 。
*美国专利6917227
应用
限制的di / dt在短路
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
功率电荷泵
订购信息
产品型号
IXDD504PI
IXDD504SIA
IXDD504SIAT/R
IXDD504D2
IXDD504D2T/R
IXDE504PI
IXDE504SIA
IXDE504SIAT/R
IXDE504D2
IXDE504D2T/R
描述
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
包
TYPE
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚DFN
8引脚DFN
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚DFN
8引脚DFN
包装方式
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
PACK
数量
50
94
2500
56
2500
50
94
2500
56
2500
CON组fi guration
双非
反相
司机
启用
双反相
DRIVERS
与反演
启用
注意：
所有部件均采用无铅设计并符合RoHS标准
2007 IXYS公司保留所有权利
DS99568A(10/07)
首次发行
IXDD504 / IXDE504
图1 - IXDD504双非反相+启用4A栅极驱动器功能框图
VCC
200 K
P
防跨
传导
电路*
OUT A
N
IN A
EN一
*
200 K
P
防跨
传导
电路*
OUT B
N
IN B
EN B
*
GND
图2 - IXDE504双反相+启用4A栅极驱动器功能框图
VCC
200 K
P
防跨
传导
电路*
OUT A
N
IN A
EN一
*
200 K
P
防跨
传导
电路*
OUT B
N
IN B
EN B
*
GND
*
美国专利6917227
2007 IXYS公司保留所有权利
2
IXDD504 / IXDE504
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
所有其他引脚（除另有规定
否则）
结温
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
35 V
0.3 V到V
CC
+ 0.3V
150
°
C
-65
°
C至150
°
C
300
°
C
工作额定值
(2)
参数
价值
工作电源电压
4.5V至30V
工作温度范围
-55
°
C至125
°
C
封装热阻
*
θ
J- á
（典型值） 125
°
C / W
8-PinPDIP
（PI）的
8引脚SOIC
（ SIA ）
θ
J- á
（典型值） 200
°
C / W
8引脚DFN
(D2)
θ
J- á
（典型值）， 125-200
°
C / W
θ
J-
（最大值） 2.1
°
C / W
8引脚DFN
(D2)
8引脚DFN
(D2)
θ
-S
（典型值）
6.4 °
C / W
电气特性@ T
A
= 25
o
C
(3)
除非另有说明， 4.5V
≤
V
CC
≤
30V .
所有电压测量相对于GND 。 IXD_504配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
(4)
符号
V
IH
, V
ENH
V
IL
, V
ENL
V
IN
V
EN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
t
ENOH
t
多尔德
V
CC
R
EN
I
CC
参数
高输入& EN电压
低输入& EN电压
输入电压范围
开启电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
高国输出电阻
较低的国家输出电阻
峰值输出电流
连续输出电流
上升时间
下降时间
导通时间传输延迟
关断时间传输延迟
能输出高延迟时间
禁用高阻抗状态
延迟时间
电源电压
使能上拉电阻
电源电流
测试条件
4.5V
≤
V
IN
≤
18V
4.5V
≤
V
IN
≤
18V
民
3
典型值
最大
单位
V
0.8
-5
- 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
10
0.025
V
V
V
A
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安
V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安
V
CC
= 15V
不限按包
耗散
C
负载
=1000pF
V
CC
=18V
C
负载
=1000pF
V
CC
=18V
C
负载
=1000pF
V
CC
=18V
C
负载
=1000pF
V
CC
=18V
1.5
1.2
4
2.5
2.0
1
9
8
19
18
15
63
4.5
18
200
16
14
40
35
30
100
30
20
3
20
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
k
A
mA
mA
V
CC
= 18V, V
IN
= 0V
V
IN
= 3.5V
V
IN
= V
CC
1
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
3
IXDD504 / IXDE504
电气特性@温度超过-55
o
C至125
o
C
(3)
除非另有说明， 4.5V
≤
V
CC
≤
30V ， TJ < 150
o
C
所有电压测量相对于GND 。 IXD_504配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
t
ENOH
t
多尔德
V
CC
I
HIOL
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出状态
阻力
低态输出
阻力
连续输出电流
上升时间
下降时间
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
民
3
典型值
最大
单位
V
0.8
-5
V
CC
+ 0.3
10
0.025
-10
V
CC
- 0.025
V
V
A
V
V
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
A
A
mA
mA
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
V
CC
= 18V ，我
OUT
= 10毫安
V
CC
= 18V ，我
OUT
= 10毫安
3
2.5
1
C
负载
= 1000pF的V
CC
=18V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=18V
10
9
23
32
60
120
4.5
18
30
200
150
3
150
导通时间传输延迟
负载
= 1000pF的V
CC
=18V
关闭时间传播延迟
负载
= 1000pF的V
CC
=18V
能到输出高
延迟时间
禁用于高阻抗
状态延迟时间
电源电压
高阻抗状态
V
CC
= 18V ，温度。 = 125°C
输出漏
V
CC
= 18V, V
IN
= 0V
V
IN
= 3.5V
电源电流
V
IN
= V
CC
注意事项：
1.经营超出列为“绝对最大额定值”参数中的设备可能会造成永久性
损坏设备。长期在绝对最大额定条件下长时间工作会影响器件
可靠性。
2.该设备不是要的工作额定值以外运行。
提供3电气特性与规定的测试条件有关。
4.典型的值在以通信设备如何被预期执行，但不一定
突出于该装置所保证的功能的任何具体的性能极限。
1）
θ
J- á
（典型值）被定义为结点到环境。该
θ
J- á
标准的单芯片8引脚PDIP和8引脚SOIC都是由占主导地位
封装的电阻，并且IXD_5XX是典型的。这些包的值是自然对流数值与垂直板
和的值将是较低的，强制对流。对于8引脚DFN封装，
θ
J- á
值设DFN封装焊接
在PCB上。该
θ
J- á
（典型值） 200
°
下用PCB上没有特别规定/ W ，但由于中心垫提供了低热阻
至模，很容易降低
θ
J- á
通过在PCB上增加连接的铜焊盘或迹线。这些可以减少
θ
J- á
（典型值） 125
°
C / W
容易，并且可能甚至更低。该
θ
J- á
对于DFN PCB上没有散热片或散热管理与规模显著变化，
建设，设计，材料等这种典型的范围内告诉用户什么，他很可能会得到，如果他不无热管理。
2)
θ
J-
（最大）被定义为juction到外壳，其中，壳体是DFN封装背面的大垫。该
θ
J-
值通常是不
公布了PDIP和SOIC封装。该
θ
J-
为DFN封装是很重要的，以显示从连接处的热阻低，以
管芯附着焊盘上的DFN的后面， - 和一个保护频带已被添加到安全。
3）
θ
-S
（典型值）被定义为结到散热片，其中， DFN封装焊接到被安装在散热片的热衬底。
因为存在着多种热基底的值必须是典型的。基于容易获得IMS在此值计算
美国或欧洲，而不是一个高级日本的IMS 。一个4密耳dialectric用2.2W / MC的热导率被假定。其结果是
作为典型，并指示用户所期望的一个典型的IMS基板上，并显示了潜在的低热阻
DFN封装。
2007 IXYS公司保留所有权利
*
下列注意事项是为了定义的条件
θ
J- á
,
θ
J-
和
θ
-S
价值观：
4
IXDD504 / IXDE504
引脚说明
符号
EN一
IN A
GND
IN B
OUT B
VCC
OUT A
EN B
功能
一个通道启用
通道的输入
地
B通道输入
B通道输出
电源电压
A声道输出
B通道启用
描述
通道A的使能引脚。当驱动为低电平时，此引脚禁用通道和
强制为高阻抗状态，以在A声道输出。
通道的输入信号TTL或CMOS兼容。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚提供
对于整个芯片的接地参考。该引脚应连接到低
噪声模拟地平面，以获得最佳的性能。
B通道输入信号TTL或CMOS兼容。
B通道驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过一个连接
电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
正电源电压输入。该引脚提供电源给整个
芯片。范围此电压为4.5V至30V 。
一个通道驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过一个连接
电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
通道B的使能引脚。当驱动为低电平时，此引脚禁用的B信道和
强制为高阻抗状态切换到B通道的输出。
注意：处理和装配组件时，请按照正确的ESD程序。
销刀豆网络gurations
8引脚DIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SIA ）
1 EN一
2在
3 GND
4 IN B
I
X
D
D
5
0
4
EN B 8
OUT A 7
VCC 6
OUT B 5
EN一
IN A
1
2
8引脚DIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SIA ）
I
X
D
E
5
0
4
8
7
6
5
EN B
OUT A
VCC
OUT B
GND 3
IN B
4
8引线DFN （ D2 ）
（底视图）
OUT A
GND
VCC
OUT B
8
7
6
5
I
X
D
D
5
0
4
1 EN一
2在
3 IN B
4 EN B
OUT A
GND
VCC
OUT B
8
7
6
5
8引线DFN （ D2 ）
（底视图）
I
X
D
E
5
0
4
1 EN一
2在
3 IN B
4 EN B
注意：
对DFN封装底部焊片接地
图3 - 特性测试图
V
IN
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
5
QQ：2881677436 复制
