集成
电路
系统公司
ICS84329B-01
700MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
完全集成的PLL ，无需外部环路滤波器的要求
1差分LVPECL 3.3V输出
晶体振荡器接口
输出频率范围： 31.25MHz到700MHz的
VCO范围： 250MHz的700MHz的到
并行接口进行编程计数器
并在上电期间输出分频器
串行3线接口
RMS周期抖动： 5.5ps （最大值）
周期到周期抖动： 35ps （最大）
3.3V电源电压
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
无铅封装，完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS84329B -01是一种通用的，单
输出高频率合成器和一个构件
HiPerClockS
在HiPerClockS的系列高性能
从ICS时钟解决方案。 VCO的工作在
频率范围为250MHz到700MHz的的。该VCO
频率被编程在步骤相等的值
晶振频率除以16的VCO输出频率
可以通过串行或并行接口进行编程
配置逻辑。该输出可以被配置为将
VCO频率被1 ，2，4 ， 8，和输出频率的步骤
小至125kHz至1MHz的可使用16MHz的实现
晶因输出分频器。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
÷
16
P
IN
A
SSIGNMENT
M0
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
N0
N1
V
EE
TEST
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
nP_LOAD
V
CC
XTAL_OUT
XTAL_IN
nc
nc
V
CCA
S_LOAD
S-DATA
S_CLOCK
V
CC
FOUT
NFOUT
V
EE
PLL
相位检测器
1
VCO
÷
M
0
÷1
÷2
÷4
÷8
FOUT
NFOUT
ICS84329B-01
28引脚SOIC
7.5毫米X 18.05毫米X 2.25毫米包体
男包
顶视图
NFOUT
FOUT
TEST
V
CC
V
CC
V
EE
V
EE
S_LOAD
S-DATA
S_CLOCK
nP_LOAD
M0:M8
N0:N1
CON组fi guration
接口
逻辑
TEST
25 24 23 22 21 20 19
S_CLOCK
S-DATA
S_LOAD
V
CCA
nc
nc
XTAL_IN
26
27
28
1
18
17
N1
N0
M8
M7
M6
M5
M4
ICS84329B-01
16
28引脚PLCC
15
11.6毫米X 11.4毫米X 4.1毫米
14
2
V封装
13
3
顶视图
4
5
XTAL2_OUT
12
6
VCC
7
nP_LOAD
8
M0
9 10 11
M1
M2
M3
84329BM-01
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1
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F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
ICS84329B-01
700MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
通过N1 M8和N0的直接传递到M分频器和
N个输出分频器。论在低到高的跳变
nP_LOAD输入时，数据被锁存，对M分频器遗体
直到装上nP_LOAD或直到下一个从高到低的跳变
串行事件发生。测试输出模式为000（移位寄
存器输出）中的并行输入模式下操作时。厘清
VCO频率之间tionship ，晶振频率
和M个除法器的定义如下：为fvco =值为fXTAL ×M个
16
M值和M0通过M8所需要的值
表3B所示，可编程VCO频率功能
表。有效的M值的量， PLL将实现锁是
定义为250
≤
M
≤
511.频出被定义为
如下： FOUT = FVCO =值为fXTAL ×M的
N
N
16
发生串行操作时nP_LOAD为高和S_LOAD
为LOW 。该移位寄存器是通过采样S-DATA装
比特与S_CLOCK的上升沿。的内容
移位寄存器被加载到M个除法时S_LOAD转录
位数从低到高。在M鸿沟和N分频输出
值被锁存S_LOAD的高到低的跳变。
如果S_LOAD被拉高，在S-DATA输入数据传递
直接将上S_CLOCK的每个上升沿对M分频器。
在串行模式可以用来编程M和N位
和测试位T2 ： T0 。内部寄存器T2 ： T0确定
测试输出的状态，如下所示：
注：下面的功能描述描述OP-
关合作使用16MHz的晶振。有效的PLL环路分频值
不同的晶体或输入频率在在 - 定义
把频率特性，表6 ，注1 。
该ICS84329B - 01拥有一个完全集成的PLL和there-
前无需外部元件设置循环频带 -
宽度。并联谐振，基频晶体作为
输入到内部振荡器。振荡器的输出是
由16之前的鉴相器分。用16MHz的crys-
TAL这提供了一个1MHz的参考频率。的压控振荡器
PLL的工作在250MHz的范围内，以700MHz的的。该
M个除法器的输出也被加到相位检测器。
相位检测器和M个分频器迫使VCO输出
频率为M倍基准频率÷16通过AD-
justing VCO控制电压。需要注意的是对于M的一些值
（过高或过低）时，PLL将不实现锁定。该
VCO的输出由除法器被发送到前缩放
每个LVPECL输出缓冲器。除法器提供了一个50％的
输出占空比。
在ICS84329B -01支持两个可编程功能
输入模式进行编程并购分频器和N分频器的输出。
两个输入的操作模式是并行和串行。
图 -
URE 1
示出了每种模式的时序图。在并行模式
该nP_LOAD输入为低电平。通过对输入M0数据
T2
0
0
0
0
1
1
1
1
S_CLOCK
S-DATA
S_LOAD
nP_LOAD
t
T1
0
0
1
1
0
0
1
1
T0
0
1
0
1
0
1
0
1
测试输出
FOUT
移位寄存器OUT
FOUT
高
FOUT
PLL参考的Xtal ÷ 16
FOUT
FOUT
VCO ÷男， （非50 ％占空比M分频器）
fOUT的， LVCMOS输出频率为200MHz <
FOUT
FOUT
低
S_CLOCK ÷ M
（非50 ％占空比M分频器）
S_CLOCK ÷ N分频器
FOUT - 4
FOUT
S
ERIAL
L
OADING
T2
S
T1
T0
N1
N0
M8
M7
M6
M5
M4
M3
M2
M1
M0
t
H
t
S
P
ARALLEL
L
OADING
M0 ： M8 ， N0 ： N1
nP_LOAD
t
S
M，N
t
H
S_LOAD
时间
F
IGURE
1. P
ARALLEL
＆放大器; S
ERIAL
L
OAD
O
PERATIONS
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700MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
描述
M分频器输入。数据锁存nP_LOAD投入低到高transistion 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
确定N个输出分频器值如表3C功能表定义。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
负电源引脚。
它用于在操作的串行模式的测试输出。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
核心供电引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
名字
M0, M1, M2, M3,
M4, M5, M6, M7, M8
N0, N1
V
EE
TEST
V
CC
nFOUT ， FOUT
S_CLOCK
S-DATA
S_LOAD
V
CCA
nc
XTAL_IN ，
XTAL_OUT
TYPE
输入
输入
动力
产量
动力
产量
输入
输入
输入
动力
未使用
输入
上拉
上拉
差分输出的合成器。 3.3V LVPECL接口电平。
时钟的串行数据存在于S-DATA输入到移位寄存器中
下拉
上S_CLOCK的上升沿。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
移位寄存器的串行输入。采样S_CLOCK的上升沿数据。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
数据控件从移位寄存器转换为M分频器。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
无连接。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。 XTAL_OUT是输出。
并行加载输入。确定当数据出现在M8 ： M0装入
M个分频器，并且当数据存在于N1： N0设置N个输出分频器值。
nP_LOAD
输入
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
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Z
, L
OW
J
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, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
ABLE
3A 。 P
ARALLEL
nP_LOAD
X
L
↑
H
H
H
M
X
数据
数据
X
X
X
和
S
ERIAL
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
S_LOAD
X
X
L
L
↑
↓
S_CLOCK
X
X
X
↑
L
L
X
S-DATA
X
X
X
数据
数据
数据
X
条件
复位。 M和N位全部置高。
直接传递到M分频器的M和N的输入数据和
N个输出分频器。测试模式000 。
数据被锁存到输入寄存器和保持加载
到明年LOW过渡，或者直到一个串口事件发生。
串行输入模式。移位寄存器装入数据
S-DATA上S_CLOCK的每个上升沿。
移位寄存器的内容被传递到M分频器
和N输出分频器。
M鸿沟和N分频的输出值被锁存。
并行或串行输入不影响移位寄存器。
N
X
数据
数据
X
X
X
H
X
X
L
注：L =低
H = HIGH
X =不关心
↑
=上升沿转变
↓
=下降沿
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
VCO F
Characteristic低频
F
油膏
T
ABLE
VCO频率
（兆赫）
250
251
252
253
509
510
511
M鸿沟
250
251
252
253
509
510
511
256
M8
0
0
0
0
1
1
1
128
M7
1
1
1
1
1
1
1
64
M6
1
1
1
1
1
1
1
32
M5
1
1
1
1
1
1
1
16
M4
1
1
1
1
1
1
1
8
M3
1
1
1
1
1
1
1
4
M2
0
0
1
1
1
1
1
2
M1
1
1
0
0
0
1
1
1
M0
0
1
0
1
1
0
1
注1 ：这M个分频值，并由此产生相应频率至16MHz的晶振频率。
T
ABLE
3C 。 P
ROGRAMMABLE
O
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
N1
0
0
1
1
N0
0
1
0
1
N分频器值
1
2
4
8
输出频率（ MHz）的
最低
250
125
62.5
31.25
最大
700
35 0
175
87.5
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TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
46.2 ℃/ W（ 0 LFPM ）
37.8 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
对于28引脚SOIC
对于28引脚PLCC
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 DC P
OWER
S
UPPLY
C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
CC
V
CCA
I
CC
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
125
15
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
参数
S_LOAD ， nP_LOAD ，
输入高电压
S-DATA ， S_CLOCK ，
M0 ： M8 ， N0 ： N1
S_LOAD ， nP_LOAD ，
输入低电压
S-DATA ， S_CLOCK ，
M0 ： M8 ， N0 ： N1
M0 - M8 ， N0 ， N1 ，
nP_LOAD
输入高电流
S_LOAD ，
S-DATA ， S_CLOCK
M0 - M8 ， N0 ， N1 ，
nP_LOAD
输入低电平电流
S_LOAD ，
S-DATA ， S_CLOCK
输出高电压;注1
测试条件
最小典型
2
最大
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
IL
-0.3
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
2.6
0.8
5
15 0
V
A
A
A
A
V
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
输出低电压;注1
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CC
/ 2 。参见图"3.3V输出负载测试Circuit"在
"Parameter测量Information"部分。
0.5
V
T
ABLE
4C 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
测试条件
最低
V
CC
- 1.4
V
CC
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CC
- 0.9
V
CC
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CC
- 2V.
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700MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
完全集成的PLL ，无需外部环路滤波器的要求
1差分LVPECL 3.3V输出
晶体振荡器接口
输出频率范围： 31.25MHz到700MHz的
VCO范围： 250MHz的700MHz的到
并行接口进行编程计数器
并在上电期间输出分频器
串行3线接口
RMS周期抖动： 5.5ps （最大值）
周期到周期抖动： 35ps （最大）
3.3V电源电压
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
无铅封装，完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS84329B -01是一种通用的，单
输出高频率合成器和一个构件
HiPerClockS
在HiPerClockS的系列高性能
从ICS时钟解决方案。 VCO的工作在
频率范围为250MHz到700MHz的的。该VCO
频率被编程在步骤相等的值
晶振频率除以16的VCO输出频率
可以通过串行或并行接口进行编程
配置逻辑。该输出可以被配置为将
VCO频率被1 ，2，4 ， 8，和输出频率的步骤
小至125kHz至1MHz的可使用16MHz的实现
晶因输出分频器。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
÷
16
P
IN
A
SSIGNMENT
M0
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
N0
N1
V
EE
TEST
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
nP_LOAD
V
CC
XTAL_OUT
XTAL_IN
nc
nc
V
CCA
S_LOAD
S-DATA
S_CLOCK
V
CC
FOUT
NFOUT
V
EE
PLL
相位检测器
1
VCO
÷
M
0
÷1
÷2
÷4
÷8
FOUT
NFOUT
ICS84329B-01
28引脚SOIC
7.5毫米X 18.05毫米X 2.25毫米包体
男包
顶视图
NFOUT
FOUT
TEST
V
CC
V
CC
V
EE
V
EE
S_LOAD
S-DATA
S_CLOCK
nP_LOAD
M0:M8
N0:N1
CON组fi guration
接口
逻辑
TEST
25 24 23 22 21 20 19
S_CLOCK
S-DATA
S_LOAD
V
CCA
nc
nc
XTAL_IN
26
27
28
1
18
17
N1
N0
M8
M7
M6
M5
M4
ICS84329B-01
16
28引脚PLCC
15
11.6毫米X 11.4毫米X 4.1毫米
14
2
V封装
13
3
顶视图
4
5
XTAL2_OUT
12
6
VCC
7
nP_LOAD
8
M0
9 10 11
M1
M2
M3
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1
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电路
系统公司
F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
ICS84329B-01
700MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
通过N1 M8和N0的直接传递到M分频器和
N个输出分频器。论在低到高的跳变
nP_LOAD输入时，数据被锁存，对M分频器遗体
直到装上nP_LOAD或直到下一个从高到低的跳变
串行事件发生。测试输出模式为000（移位寄
存器输出）中的并行输入模式下操作时。厘清
VCO频率之间tionship ，晶振频率
和M个除法器的定义如下：为fvco =值为fXTAL ×M个
16
M值和M0通过M8所需要的值
表3B所示，可编程VCO频率功能
表。有效的M值的量， PLL将实现锁是
定义为250
≤
M
≤
511.频出被定义为
如下： FOUT = FVCO =值为fXTAL ×M的
N
N
16
发生串行操作时nP_LOAD为高和S_LOAD
为LOW 。该移位寄存器是通过采样S-DATA装
比特与S_CLOCK的上升沿。的内容
移位寄存器被加载到M个除法时S_LOAD转录
位数从低到高。在M鸿沟和N分频输出
值被锁存S_LOAD的高到低的跳变。
如果S_LOAD被拉高，在S-DATA输入数据传递
直接将上S_CLOCK的每个上升沿对M分频器。
在串行模式可以用来编程M和N位
和测试位T2 ： T0 。内部寄存器T2 ： T0确定
测试输出的状态，如下所示：
注：下面的功能描述描述OP-
关合作使用16MHz的晶振。有效的PLL环路分频值
不同的晶体或输入频率在在 - 定义
把频率特性，表6 ，注1 。
该ICS84329B - 01拥有一个完全集成的PLL和there-
前无需外部元件设置循环频带 -
宽度。并联谐振，基频晶体作为
输入到内部振荡器。振荡器的输出是
由16之前的鉴相器分。用16MHz的crys-
TAL这提供了一个1MHz的参考频率。的压控振荡器
PLL的工作在250MHz的范围内，以700MHz的的。该
M个除法器的输出也被加到相位检测器。
相位检测器和M个分频器迫使VCO输出
频率为M倍基准频率÷16通过AD-
justing VCO控制电压。需要注意的是对于M的一些值
（过高或过低）时，PLL将不实现锁定。该
VCO的输出由除法器被发送到前缩放
每个LVPECL输出缓冲器。除法器提供了一个50％的
输出占空比。
在ICS84329B -01支持两个可编程功能
输入模式进行编程并购分频器和N分频器的输出。
两个输入的操作模式是并行和串行。
图 -
URE 1
示出了每种模式的时序图。在并行模式
该nP_LOAD输入为低电平。通过对输入M0数据
T2
0
0
0
0
1
1
1
1
S_CLOCK
S-DATA
S_LOAD
nP_LOAD
t
T1
0
0
1
1
0
0
1
1
T0
0
1
0
1
0
1
0
1
测试输出
FOUT
移位寄存器OUT
FOUT
高
FOUT
PLL参考的Xtal ÷ 16
FOUT
FOUT
VCO ÷男， （非50 ％占空比M分频器）
fOUT的， LVCMOS输出频率为200MHz <
FOUT
FOUT
低
S_CLOCK ÷ M
（非50 ％占空比M分频器）
S_CLOCK ÷ N分频器
FOUT - 4
FOUT
S
ERIAL
L
OADING
T2
S
T1
T0
N1
N0
M8
M7
M6
M5
M4
M3
M2
M1
M0
t
H
t
S
P
ARALLEL
L
OADING
M0 ： M8 ， N0 ： N1
nP_LOAD
t
S
M，N
t
H
S_LOAD
时间
F
IGURE
1. P
ARALLEL
＆放大器; S
ERIAL
L
OAD
O
PERATIONS
84329BM-01
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2
REV 。一个2005年6月10日
集成
电路
系统公司
ICS84329B-01
700MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
描述
M分频器输入。数据锁存nP_LOAD投入低到高transistion 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
确定N个输出分频器值如表3C功能表定义。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
负电源引脚。
它用于在操作的串行模式的测试输出。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
核心供电引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
名字
M0, M1, M2, M3,
M4, M5, M6, M7, M8
N0, N1
V
EE
TEST
V
CC
nFOUT ， FOUT
S_CLOCK
S-DATA
S_LOAD
V
CCA
nc
XTAL_IN ，
XTAL_OUT
TYPE
输入
输入
动力
产量
动力
产量
输入
输入
输入
动力
未使用
输入
上拉
上拉
差分输出的合成器。 3.3V LVPECL接口电平。
时钟的串行数据存在于S-DATA输入到移位寄存器中
下拉
上S_CLOCK的上升沿。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
移位寄存器的串行输入。采样S_CLOCK的上升沿数据。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
数据控件从移位寄存器转换为M分频器。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
无连接。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。 XTAL_OUT是输出。
并行加载输入。确定当数据出现在M8 ： M0装入
M个分频器，并且当数据存在于N1： N0设置N个输出分频器值。
nP_LOAD
输入
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
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集成
电路
系统公司
ICS84329B-01
700MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
ABLE
3A 。 P
ARALLEL
nP_LOAD
X
L
↑
H
H
H
M
X
数据
数据
X
X
X
和
S
ERIAL
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
S_LOAD
X
X
L
L
↑
↓
S_CLOCK
X
X
X
↑
L
L
X
S-DATA
X
X
X
数据
数据
数据
X
条件
复位。 M和N位全部置高。
直接传递到M分频器的M和N的输入数据和
N个输出分频器。测试模式000 。
数据被锁存到输入寄存器和保持加载
到明年LOW过渡，或者直到一个串口事件发生。
串行输入模式。移位寄存器装入数据
S-DATA上S_CLOCK的每个上升沿。
移位寄存器的内容被传递到M分频器
和N输出分频器。
M鸿沟和N分频的输出值被锁存。
并行或串行输入不影响移位寄存器。
N
X
数据
数据
X
X
X
H
X
X
L
注：L =低
H = HIGH
X =不关心
↑
=上升沿转变
↓
=下降沿
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
VCO F
Characteristic低频
F
油膏
T
ABLE
VCO频率
（兆赫）
250
251
252
253
509
510
511
M鸿沟
250
251
252
253
509
510
511
256
M8
0
0
0
0
1
1
1
128
M7
1
1
1
1
1
1
1
64
M6
1
1
1
1
1
1
1
32
M5
1
1
1
1
1
1
1
16
M4
1
1
1
1
1
1
1
8
M3
1
1
1
1
1
1
1
4
M2
0
0
1
1
1
1
1
2
M1
1
1
0
0
0
1
1
1
M0
0
1
0
1
1
0
1
注1 ：这M个分频值，并由此产生相应频率至16MHz的晶振频率。
T
ABLE
3C 。 P
ROGRAMMABLE
O
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
N1
0
0
1
1
N0
0
1
0
1
N分频器值
1
2
4
8
输出频率（ MHz）的
最低
250
125
62.5
31.25
最大
700
35 0
175
87.5
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集成
电路
系统公司
ICS84329B-01
700MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V
D
。微分
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
46.2 ℃/ W（ 0 LFPM ）
37.8 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
对于28引脚SOIC
对于28引脚PLCC
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 DC P
OWER
S
UPPLY
C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
CC
V
CCA
I
CC
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
125
15
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
参数
S_LOAD ， nP_LOAD ，
输入高电压
S-DATA ， S_CLOCK ，
M0 ： M8 ， N0 ： N1
S_LOAD ， nP_LOAD ，
输入低电压
S-DATA ， S_CLOCK ，
M0 ： M8 ， N0 ： N1
M0 - M8 ， N0 ， N1 ，
nP_LOAD
输入高电流
S_LOAD ，
S-DATA ， S_CLOCK
M0 - M8 ， N0 ， N1 ，
nP_LOAD
输入低电平电流
S_LOAD ，
S-DATA ， S_CLOCK
输出高电压;注1
测试条件
最小典型
2
最大
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
IL
-0.3
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
2.6
0.8
5
15 0
V
A
A
A
A
V
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
输出低电压;注1
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CC
/ 2 。参见图"3.3V输出负载测试Circuit"在
"Parameter测量Information"部分。
0.5
V
T
ABLE
4C 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
测试条件
最低
V
CC
- 1.4
V
CC
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CC
- 0.9
V
CC
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CC
- 2V.
84329BM-01
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5
REV 。一个2005年6月10日
QQ：2881677436 复制
