技术参数
IW4050B
六角缓冲器/转换器
高压硅栅CMOS
该IW4050B是同相的十六进制缓冲器和功能逻辑电平
转换只使用一个电源（电压（V
CC
） 。在输入信号的高
电平（V
IH
）可以超过V
CC
电源电压时，这些设备是
用于逻辑电平转换。这些设备旨在用作
CMOS到DTL / TTL转换器。
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
μA
在18 V以上全包温
范围; 100 nA的18 V 25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
高到低的电平转换
订购信息
IW4050BN塑料
IW4050BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
NC =无连接
功能表
输入
A
L
引脚13 ， 16 = NO CONNECTION
引脚1 -V
CC
PIN 8 = GND
H
产量
Y
L
H
启示录00
IW4050B
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
V
CC**
+18
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
**
该IW4050B具有高至低的电平的电压转换的能力，但不低到高的电平;因此，它是
建议V
IN
≥
V
CC
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
**
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
V
CC**
0
-55
最大
18
18
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
该IW4050B具有高至低的电平的电压转换的能力，但不低到高的电平;因此，它是
建议V
IN
≥
V
CC
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IW4050B
后缀塑料
（ MS - 001BB ）
A
16
9
B
1
8
外形尺寸，毫米
符号
A
B
民
18.67
6.10
0.36
1.14
2.54
7.62
0°
2.92
7.62
0.20
0.38
10°
3.81
8.26
0.36
最大
19.69
7.11
5.33
0.56
1.78
F
L
C
D
F
C
-T-
座位
飞机
N
G
D
0.25 （ 0.010 ）M牛逼
K
M
H
J
G
H
J
K
L
M
N
注意事项：
1. imensions “A” ， “B”不包括塑模毛边或突起。
最大塑模毛边或每边突起0.25毫米（ 0.010 ） 。
后缀SOIC
（ MS - 012AC ）
A
16
9
外形尺寸，毫米
符号
.
民
9.80
3.80
1.35
0.33
0.40
1.27
5.72
0°
0.10
0.19
5.80
0.25
8°
0.25
0.25
6.20
0.50
最大
10.0
4.00
1.75
0.51
1.27
B
P
H
A
B
C
C
×45
1
G
8
D
F
G
-T-
D
0.25 （ 0.010 ）M牛逼C M
K
座位
飞机
J
F
M
H
J
K
M
P
R
注意事项：
1.Dimensions A和B不包括塑模毛边或突起。
2.最大塑模毛边或突起0.15毫米（ 0.006 ），每边为A，为
B - 每边0.25毫米（ 0.010 ） 。
启示录00
技术参数
IW4050B
六角缓冲器/转换器
高压硅栅CMOS
该IW4050B是同相的十六进制缓冲器和功能逻辑电平
转换只使用一个电源（电压（V
CC
） 。在输入信号的高
电平（V
IH
）可以超过V
CC
电源电压时，这些设备是
用于逻辑电平转换。这些设备旨在用作
CMOS到DTL / TTL转换器。
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
高到低的电平转换
订购信息
IW4050BN塑料
IW4050BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
NC =无连接
功能表
输入
A
L
引脚13 ， 16 = NO CONNECTION
引脚1 -V
CC
PIN 8 = GND
H
产量
Y
L
H
93
IW4050B
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
V
CC**
+18
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
**
该IW4050B具有高至低的电平的电压转换的能力，但不低到高的电平;因此，它是
建议V
IN
≥
V
CC
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
**
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
V
CC**
0
-55
最大
18
18
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
该IW4050B具有高至低的电平的电压转换的能力，但不低到高的电平;因此，它是
建议V
IN
≥
V
CC
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
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