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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第600页 > IT121
IT120A IT120 IT121 IT122
线性集成系统
单片双
NPN
晶体管
特点
直接替代Intersil的IT120系列
引脚对引脚兼容
绝对最大额定值注1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
I
C
集电极电流
10mA
C1
C2
E1
3
5
E2
B1
2
6
B2
最高温度
存储温度范围
工作温度范围
最大功率耗散
设备损耗@自由空气
线性降额因子
-65 ° C到+ 200℃
-55 ° C至+ 150°C
B1
一面
250mW
2.3mW/°C
两旁
500mW
4.3mW/°C
E1
E2
B2
1
C1
7
C2
26 X 29 MILS
底部视图
电气特性T
A
=25
°
℃(除非另有说明)
符号特性
IT120A IT120 IT121
BV
CBO
集电极 - 基极电压
45
45
45
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CCO
h
FE
集电极到发射极电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极集电极电压
直流电流增益
45
6.2
60
200
225
V
CE
( SAT )集电极饱和电压
I
EBO
I
CBO
C
敖包
C
C1C2
I
C1C2
f
T
NF
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
输出电容
集电极集电极电容
集电极集电极漏电流
电流增益带宽积
窄带噪声图
0.5
1
1
2
2
10
220
3
45
6.2
60
200
225
0.5
1
1
2
2
10
220
3
45
6.2
60
80
100
0.5
1
1
2
2
10
180
3
IT122
45
分钟。
45
6.2
60
80
100
0.5
1
1
2
2
10
180
3
分钟。
分钟。
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
单位条件
V
I
C
= 10μA我
E
= 0
V
V
V
I
C
= 10A
I
E
= 10A
I
C
= 10A
I
C
= 10A
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
I
B
= 0
I
C
= 0
I
E
= 0
V
CE
= 5V
注2
I
C
= 1.0毫安V
CE
= 5V
I
C
= 0.5毫安我
B
= 0.05毫安
I
C
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
V
CC
= 0
V
CC
=
±60V
I
C
= 1毫安
V
CE
= 5V
V
EB
= 3V
V
CB
= 45V
V
CB
= 5V
I
C
= 100μA V
CE
= 5V
BW = 200Hz时,R
G
= 10 K
f=1KHz
线性集成系统
4042帆船法院,弗里蒙特,CA 94538 电话: ( 510 ) 490-9160 传真: ( 510 ) 353-0261
匹配特性@ 25
°
℃(除非另有说明)
符号
特征
IT120A IT120
|V
BE1
-V
BE2
|
基极发射极电压差分
随温度的变化
|I
B1
- I
B2
|
基极电流差动
2.5
5
1
3
2
5
|(V
BE1
-V
BE2
) | / ΔT基极发射极电压差分
IT121
3
10
25
IT122
5
20
25
单位条件
最大。毫伏
马克斯。
μV/°C
MAX 。 nA的
I
C
= 10
A
I
C
= 10
A
T = -55°C
I
C
= 10
A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
to
+125°C
V
CE
= 5V
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
2 3 4
1
5
8 7 6
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
C1
B1
E1
N / C
1
2
3
4
8
7
6
5
C2
B2
E2
N / C
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
C1
B1
E1
N / C
1
2
3
4
8
7
6
5
C2
B2
E2
N / C
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
注意事项:
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
2.反向基极 - 发射极电压绝不能超过6.2伏;反向基极 - 发射极电流不能超过10
A.
线性集成系统
4042帆船法院,弗里蒙特,CA 94538 电话: ( 510 ) 490-9160 传真: ( 510 ) 353-0261
IT120A IT120 IT121 IT122
线性集成系统
单片双
NPN
晶体管
特点
直接替代Intersil的IT120系列
引脚对引脚兼容
绝对最大额定值注1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
I
C
集电极电流
10mA
C1
C2
E1
3
5
E2
B1
2
6
B2
最高温度
存储温度范围
工作温度范围
最大功率耗散
设备损耗@自由空气
线性降额因子
-65 ° C到+ 200℃
-55 ° C至+ 150°C
B1
一面
250mW
2.3mW/°C
两旁
500mW
4.3mW/°C
E1
E2
B2
1
C1
7
C2
26 X 29 MILS
底部视图
电气特性T
A
=25
°
℃(除非另有说明)
符号特性
IT120A IT120 IT121
BV
CBO
集电极 - 基极电压
45
45
45
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CCO
h
FE
集电极到发射极电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极集电极电压
直流电流增益
45
6.2
60
200
225
V
CE
( SAT )集电极饱和电压
I
EBO
I
CBO
C
敖包
C
C1C2
I
C1C2
f
T
NF
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
输出电容
集电极集电极电容
集电极集电极漏电流
电流增益带宽积
窄带噪声图
0.5
1
1
2
2
10
220
3
45
6.2
60
200
225
0.5
1
1
2
2
10
220
3
45
6.2
60
80
100
0.5
1
1
2
2
10
180
3
IT122
45
分钟。
45
6.2
60
80
100
0.5
1
1
2
2
10
180
3
分钟。
分钟。
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
单位条件
V
I
C
= 10μA我
E
= 0
V
V
V
I
C
= 10A
I
E
= 10A
I
C
= 10A
I
C
= 10A
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
I
B
= 0
I
C
= 0
I
E
= 0
V
CE
= 5V
注2
I
C
= 1.0毫安V
CE
= 5V
I
C
= 0.5毫安我
B
= 0.05毫安
I
C
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
V
CC
= 0
V
CC
=
±60V
I
C
= 1毫安
V
CE
= 5V
V
EB
= 3V
V
CB
= 45V
V
CB
= 5V
I
C
= 100μA V
CE
= 5V
BW = 200Hz时,R
G
= 10 K
f=1KHz
线性集成系统
4042帆船法院,弗里蒙特,CA 94538 电话: ( 510 ) 490-9160 传真: ( 510 ) 353-0261
匹配特性@ 25
°
℃(除非另有说明)
符号
特征
IT120A IT120
|V
BE1
-V
BE2
|
基极发射极电压差分
随温度的变化
|I
B1
- I
B2
|
基极电流差动
2.5
5
1
3
2
5
|(V
BE1
-V
BE2
) | / ΔT基极发射极电压差分
IT121
3
10
25
IT122
5
20
25
单位条件
最大。毫伏
马克斯。
μV/°C
MAX 。 nA的
I
C
= 10
A
I
C
= 10
A
T = -55°C
I
C
= 10
A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
to
+125°C
V
CE
= 5V
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
2 3 4
1
5
8 7 6
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
C1
B1
E1
N / C
1
2
3
4
8
7
6
5
C2
B2
E2
N / C
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
C1
B1
E1
N / C
1
2
3
4
8
7
6
5
C2
B2
E2
N / C
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
注意事项:
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
2.反向基极 - 发射极电压绝不能超过6.2伏;反向基极 - 发射极电流不能超过10
A.
线性集成系统
4042帆船法院,弗里蒙特,CA 94538 电话: ( 510 ) 490-9160 传真: ( 510 ) 353-0261
IT121
单片双
NPN晶体管
线性系统替换停产Intersil公司IT121
该IT121是单片对NPN晶体管的
安装在一个单一的TO- 78封装。单片
双芯片的设计减少了寄生效应,并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
该IT121是直接替换停产
Intersil的IT121 。
所述密封TO -78非常适合于高可靠性
和恶劣环境下的应用。
(见包装信息) 。
IT121产品特点:
fe
在低电流
严格匹配
紧V
BE
跟踪
低输出电容
特点是什么?
DirectReplacementforINTERSILIT121
HIGH“
h
FE
@低电流
输出电容
V
BE
跟踪
绝对最大额定值
1
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散(单面)
连续功率耗散(双方)
线性降额因子(单面)
线性降额因子(双方)
最大电流
集电极电流
MIN
‐‐
‐‐
‐‐
TYP
‐‐
‐‐
‐‐
MAX`
3
10
25
单位“
mV
μV/°C
nA
≥80@10A
≤2.0pF
≤10V°C
‐65°Cto+200°C
‐55°Cto+150°C
250mW
500mW
2.3mW/°C
4.3mW/°C
10mA
条件“
I
C
=10A,V
CE
=5V
I
C
=10A,V
CE
=5V
T
A
=‐55°Cto+125°C
I
C
=10A,V
CE
=5V
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisestated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
–V
BE2
|
基极发射极电压差分
|(V
BE1
–V
BE2
)|/T
基极发射极电压差分
随温度的变化
|I
B1
–I
B2
|
基极电流差动
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
CBO
集电极 - 基极电压
45
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
45
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
60
h
FE
直流电流增益
80
100
V
CE
( SAT )
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽积
180
NF
窄带噪声图
‐‐
点击购买
(典型值) *
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
0.5
1
1
2
2
10
‐‐
3
单位“
V
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
TO- 78 (底视图)
条件“
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=10A,I
B
=0
I
E
=10A,I
C
=0
2
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=10A,V
CE
=5V
I
C
=1.0mA,V
CE
=5V
I
C
=0.5mA,I
B
=0.05mA
I
C
=0,V
EB
=3V
I
E
=0,V
CB
=45V
I
E
=0,V
CB
=5V
V
CC
=0V
V
CC
=±60V
I
C
=1mA,V
CE
=5V
I
C
=100A,V
CE
=5V,BW=200Hz,R
G
=10KΩ,
f=1KHz
注意事项:
1.AbsoluteMaximumratingsarelimitingvaluesabovewhichserviceabilitymaybeimpaired
2.Thereversebase‐to‐emittervoltagemustneverexceed6.2volts;thereversebase‐to‐emittercurrentmustneverexceed10A.
可用的软件包:
IT121在TO- 78
IT121作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸:
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
www.micross.com/distribution.aspx
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第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IT121
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
IT121
√ 欧美㊣品
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IT121
INTERSIL / HAR
2024
1050
CAN/TO-3
原装现货上海库存,欢迎查询
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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