256K ×32
CMOS静态RAM模块
集成设备技术有限公司
IDT7MP4045
IDT7MP4145
产品特点：
高密度的1兆字节静态RAM模块
（ IDT7MP4145升级到4兆， IDT7MP4120 ）
薄型64脚ZIP （ Z形直插立式包装）
或64引脚SIMM （单列直插内存模块）的
IDT7MP4045和72引脚SIMM （单列直插内存
模块）的IDT7MP4145
非常快速存取时间： 15ns的（最大）
表面贴装塑料部件上的环氧
层压板（ FR -4）的基片
单5V （ ± 10 ％ ）电源
多GND引脚和去耦电容的马克西 -
妈妈噪声抗扰度
输入/输出直接TTL兼容
描述：
该IDT7MP4045 / 4145是一个256K ×32静态RAM模块
上的环氧层压板（FR-4 ）底物利用8构成
256K ×4的静态RAM塑料SOJ封装。可用性
4片选信号线（每个组的二个RAM ）
提供字节访问。该IDT7MP4045可与
访问时间以最快的速度为10ns最小的功耗。
该IDT7MP4045打包在一个64针的FR-4的邮政编码（ Zig-
字形在网上纵包）或64引脚SIMM （单列直插
存储器模块） ，其中作为7MP4145打包在一个72
引脚SIMM （单列直插内存模块）。在4045 ZIP
配置允许64引脚放置在包3.65
英寸长， 0.365英寸宽。该7MP4045 ZIP仅
0.585英寸高，这种薄型封装，非常适合系统
以最小的板间距，而SIMM配置
允许使用边缘安装插座，以确保该模块。
在IDT7MP4045 / 4145的所有输入和输出都与TTL
从单一5V电源兼容和操作。全异步
异步的电路，不需要时钟或刷新操作
并提供了平等的机会和周期时间的易用性。
提供了用于应用程序的识别标签，其中
模块的不同密度的版本被使用。如此，
目标系统可以读取的PD的相应的水平
引脚
to
确定一个256K的深度。
接触销均镀以100微英寸的镍
覆盖30微英寸的最小选择性的金。
引脚配置 - 7MP4045
(1)
1
PD
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
A
7
A
8
A
9
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
ZIP ，
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
WE
CS
1
CS
3
A
14
GND
PD
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
A
0
A
1
A
2
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
A
15
PD
0
= GND
PD
1
= GND
功能框图
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
地址
18
2
SIMM
顶视图
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
CS
2
CS
4
A
17
PD
A
16
GND
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
A
10
A
11
A
12
A
13
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
OE
WE
OE
8
256K ×32
内存
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
A
3
A
4
A
5
V
CC
A
6
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
2703 DRW 01
8
8
8
2703 DRW 02
I / O
0-31
引脚名称
I / O
0
–
31
A
0
–
17
数据输入/输出
地址
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
深度识别
动力
地
无连接
2703 TBL 01
CS
1–4
WE
OE
PD
0–1
V
CC
GND
NC
注意：
1.引脚2和3 （PD
0
和PD
1
）由用户读取，以确定密度
模块。如果PD
0
读GND和PD
1
读出GND ，则模块
拥有256K的深度。
IDT标志是集成设备技术公司的注册商标。
商业级温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年9月
DSC-2703/7
15.2
1
IDT7MP4045/7MP4145
256K ×32的CMOS静态RAM模块
商业级温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5V
±10%,
T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
“ 4045SxxZ ， ' 4045 / 4145SxxM
–15
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
(1)
(1)
–20
马克斯。
—
15
15
—
8
—
8
8
—
—
15
—
—
—
—
—
—
8
—
—
—
分钟。
20
—
—
5
—
0
—
—
3
0
—
20
15
15
0
15
0
—
12
0
0
马克斯。
—
20
20
—
10
—
10
10
—
—
20
—
—
—
—
—
—
13
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2703 TBL 11
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消掉电时间
写周期时间
芯片选择到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写使能在高阻输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出从主动结束了，写
分钟。
15
—
—
3
—
0
—
—
3
0
—
15
12
12
0
12
0
—
10
0
0
读周期
t
CHZ
t
OH
t
OHZ
t
PU(1)
t
PD(1)
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
WHZ(1)
t
DW
t
DH
t
OW(1)
写周期
注意：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
15.2
4
QQ：2881677436 复制
