ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST
2004年5月
ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST
8A ， 600V隐形二极管
概述
该ISL9R860P2 ， ISL9R860S2和ISL9R860S3S是
隐形二极管的低损耗性能优化
高频硬开关应用。该
STEALTH 系列具有低反向恢复电流
(I
RRM
），并在典型的异常软恢复
操作条件。
本装置适用于用作续流或
提高电源供应器等功率二极管
开关应用。低我
RRM
和短T
a
相
降低损耗的开关晶体管。软恢复
最大限度地减少振铃，扩大的条件范围
根据该二极管可在不使用操作
额外的缓冲电路。请考虑使用
隐形二极管与IGBT的开关电源提供
最有效和最高的功率密度设计
更低的成本。
以前发育类型TA49409 。
特点
软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
b
/ t
a
> 2.5
快速恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
rr
< 25ns的
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
额定雪崩能量
应用
开关电源
硬开关PFC升压二极管
UPS续流二极管
电机驱动FWD
SMPS FWD
缓冲二极管
包
JEDEC TO- 220AC
阳极
阴极
符号
JEDEC风格-262
阳极
阴极
JEDEC TO- 263AB
K
阴极
（法兰）
阴极
（法兰）
阴极
（法兰）
N / C
阳极
A
器件的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
P
D
E
AVL
T
J
, T
英镑
T
L
T
PKG
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流（T
C
= 147 C)
重复峰值浪涌电流（ 20kHz的方波）
非重复性峰值浪涌电流（半波1期60赫兹）
功耗
雪崩能量（ 1A ， 40mH ）
工作和存储温度范围
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒
包体为10S ，见Techbrief TB334
o
评级
600
600
600
8
16
100
85
20
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
°C
°C
°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
2004仙童半导体公司
ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST牧师C1
ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST
包装标志和订购信息
器件标识
R860P2
R860S2
R860S3S
设备
ISL9R860P2
ISL9R860S2
ISL9R860S3ST
包
TO-220AC
TO-262
TO-263AB
胶带宽度
-
-
24mm
QUANTITY
-
-
800
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
关态特征
I
R
瞬时反向电流
V
R
= 600V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-
-
-
-
100
1.0
A
mA
对国家特性
V
F
正向电压
I
F
= 8A
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-
-
2.0
1.6
2.4
2.0
V
V
动态特性
C
J
结电容
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
-
30
-
pF
开关特性
t
rr
t
rr
I
RRM
Q
RR
t
rr
S
I
RRM
Q
RR
t
rr
S
I
RRM
Q
RR
dI
M
/ DT
反向恢复时间
反向恢复时间
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
软化系数（T
b
/t
a
)
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
软化系数（T
b
/t
a
)
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
吨时最大的di / dt
b
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 30V
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 30V
I
F
= 8A,
dI
F
/ DT = 200A / μs的，
V
R
= 390V ，T
C
= 25°C
I
F
= 8A,
dI
F
/ DT = 200A / μs的，
V
R
= 390V,
T
C
= 125°C
I
F
= 8A,
dI
F
/ DT = 600A / μs的，
V
R
= 390V,
T
C
= 125°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
21
28
3.2
50
77
3.7
3.4
150
53
2.5
6.5
195
500
25
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
nC
A / μs的
A
nC
ns
ns
ns
ns
A
nC
ns
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境TO- 220
热阻结到环境TO- 262
热阻结到环境TO- 263
-
-
-
-
-
-
1.75
62
62
62
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
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ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST牧师C1
ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST
典型性能曲线
16
14
I
F
，正向电流（ A）
12
10
8
100
o
C
6
4
2
0
0.1
100
175 C
150
o
C
25
o
C
125
o
C
I
R
，反向电流（ μA ）
150
o
C
10
125
o
C
o
100
175
o
C
100
o
C
1
25
o
C
0
0.25 0.5 0.75
1
1.25 1.5 1.75
2
2.25 2.5 2.75
200
300
400
500
600
V
F
，正向电压（ V）
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
80
V
R
= 390V ，T
J
= 125°C
70
t
b
日易迪
F
/ DT = 200A / μs的， 500A / μs的， 800A / μs的
T，恢复时间（纳秒）
60
T，恢复时间（纳秒）
50
40
30
20
10
t
a
日易迪
F
/ DT = 200A / μs的， 500A / μs的， 800A / μs的
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
F
，正向电流（ A）
图2.反向电流与反向电压
90
V
R
= 390V ，T
J
= 125°C
80
70
60
50
40
30
20
10
t
a
在我
F
= 16A, 8A, 4A
0
100
200
300 400
500
600
900
700 800
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
1000
t
b
在我
F
= 16A, 8A, 4A
图3吨
a
和T
b
曲线VS正向电流
I
RRM
，最大反向恢复电流（ A）
11
V
R
= 390V ，T
J
= 125°C
10
9
8
7
6
5
dI
F
/ DT = 200A / μs的
4
3
2
0
2
4
6
8
10
12
I
F
，正向电流（ A）
14
16
dI
F
/ DT = 500A / μs的
I
RRM
，最大反向恢复电流（ A）
14
图4吨
a
和T
b
曲线VS的dI
F
/ DT
dI
F
/ DT = 800A / μs的
V
R
= 390V ，T
J
= 125°C
12
10
8
6
4
2
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
I
F
= 8A
I
F
= 16A
I
F
= 4A
图5.最大反向恢复电流与
正向电流
图6.最大反向恢复电流与
dI
F
/ DT
2004仙童半导体公司
ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST牧师C1
ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST
典型性能曲线
（续）
S，反向恢复软化系数
6
Q
RR
，反向恢复电荷（ NC）
V
R
= 390V ，T
J
= 125°C
5
350
V
R
= 390V ，T
J
= 125°C
300
I
F
= 16A
250
4
I
F
= 16A
I
F
= 8A
200
I
F
= 8A
3
150
I
F
= 4A
100
2
I
F
= 4A
1
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
图7.反向恢复软度因子VS的dI
F
/ DT
1200
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
图8.反向恢复电荷VS的dI
F
/ DT
10
C
J
，结电容（pF ）
1000
8
800
6
600
4
400
2
200
0
0.1
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
0
140
145
150
155
160
165
170
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图9.结电容VS反向电压
图10.直流电流降额曲线
1.0
热阻抗
Z
θJA
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
图11.归一化最大瞬态热阻抗
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ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST牧师C1
ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
和T
2
控制I
F
L
I
F
DUT
R
G
当前
SENSE
+
V
DD
-
0
0.25 I
RM
I
RM
dI
F
dt
t
a
t
rr
t
b
V
GE
t
1
t
2
MOSFET
图12吨
rr
测试电路
图13吨
rr
波形和定义
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
V
DD
= 50V
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q1
R
+
I
L
V
DD
DUT
-
t
0
t
1
t
2
t
I V
I
L
V
AVL
图14.雪崩能量测试电路
图15.雪崩电流和电压
波形
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ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST牧师C1
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