ISL9209
数据表
2006年4月25日
FN6274.0
充电系统的安全电路
该ISL9209是集成电路（ IC）的优化，以提供
以锂离子电池的故障冗余安全防护
的充电系统。上述IC监视输入电压，所述
电池电压和充电电流。当任一
三个参数超过其极限时，IC会关闭内部
P沟道MOSFET ，以从充电拔出电源
系统。除了上述的保护参数，所述
IC还监视其内部温度和关闭
当温度超过所述P沟道MOSFET
140℃。连同电池充电器IC和
在电池组中的保护模块，所述充电系统
使用ISL9209具有三重保护水平，是两个故障
宽容。
在IC被设计成开启内部PFET慢慢
避免浪涌电流的功率上升，但将关闭PFET
很快当输入过电压，以去除所述
任何损害之前电源发生。该ISL9209具有逻辑
警告输出指示故障和一个使能输入到
允许该系统以除去输入功率。
特点
全集成保护电路三级保护
变量
高精度保护阈值
用户可编程的过电流保护阈值
输入过电压保护在不到1μs的时间
高抗扰性的误触发瞬态下
报警输出，用于指示故障的发生
使能输入
易于使用
热增强型TDFN封装
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
·手机
- 数码相机
PDA和智能电话
订购信息
产品型号
部分
温度。
（注）
打标范围大（ ° C）
ISL9209IRZ
ISL9209IRZ-T
09Z
09Z
-40到85
包
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
- 便携式仪器
台式充电器
12 Ld的为4x3 TDFN L12.4x3A
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封装的半导体器件“
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表面贴装准则QFN封装“
12 Ld的TDFN 4x3的磁带和卷轴
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
典型应用电路
输入
VIN
OUT
ISL6292
电池
充电器
引脚
ISL9209
（ 4×3 TDFN ）
顶视图
C
1
ISL9209
ILIM
R
ILIM
GND
VB
EN
WRN
R
VB
电池
PACK
VIN
VIN
GND
WRN
NC
NC
1
2
3
EPAD
4
5
6
12 NC
11 OUT
10个
9
8
7
ILIM
VB
EN
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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ISL9209
绝对最大额定值（参考GND）
电源电压（ VIN ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 30V
输出和VB引脚（ OUT ， VB ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3至7V
其他引脚（ ILIM ， WRN ， EN） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 5.5V
ESD额定值
人体模型（每MIL -STD- 883方法3015.7 ） 。 。 .3500V
机器型号（每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ） 。 。 。 。 。 。 。 .350V
热信息
热电阻（典型，注2 ， 3 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
为4x3 TDFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
41
3.5
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
电源电压VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.3V至5.5V
工作电流范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0A至1.0A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.最大额定电压的情况下连续运转的VB引脚为5.5V 。所有其他引脚允许在连续操作
绝对最大额定值。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
“外壳温度”的位置是在包装上的底面露出的金属垫的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
上电复位
VIN上升门限
POR迟滞
VIN偏置电流
VIN偏置电流
PROTECTIONS
典型值是在VIN = 5V时测得25℃环境温度下，最大值和最小值是
保证在推荐的工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
POR
I
VIN
当启用
当残疾人
2.45
-
0.75
30
-
125
0.9
60
3.0
-
1.05
100
V
mV
mA
μA
输入过压保护（ OVP ）
输入OVP迟滞
输入过压保护阈值下降
输入OVP传播延迟
过电流保护
过流保护消隐时间
电池过压保护阈值
电池过压保护阈值迟滞
电池过压保护阈值下降
电池OVP消隐时间
VB引脚漏电流
过温保护阈值上升
过温保护阈值下降
逻辑
EN输入逻辑高电平
EN输入逻辑低
EN内部下拉电阻
WRN输出逻辑低
WRN输出逻辑高电平漏电流
功率MOSFET
抗性
V
OVP
5.65
-
5.55
-
5.85
50
-
-
1.0
170
4.4
75
-
180
-
140
90
6.0
100
-
1
1.07
-
4.475
-
-
-
20
-
-
V
mV
V
μs
A
μs
V
mV
V
μs
nA
°C
°C
I
OCP
BT
OCP
V
BOVP
V
VB
= 3V ，R
ILIM
= 25kΩ
0.93
-
4.325
-
4.225
BT
BOVP
V
VB
= 4.4V
-
-
-
-
1.5
-
100
灌电流5mA
-
-
-
-
200
0.35
-
-
0.4
400
0.8
1
V
V
kΩ
V
μA
R
DS （ ON）
测得电流为500mA ， 4.3V < V
IN
＆ LT ; 5.5V
-
250
450
mΩ
2
FN6274.0
2006年4月25日
ISL9209
典型工作性能
测试条件典型工作表现是： V
IN
= 5V ，T
A
= 25°C,
R
ILIM
= 25.5kΩ的，R
VB
= 200kΩ的，除非另有说明。
输入电压（ 2V / DIV）
VIN（ 1V / DIV）
OUT （ 1V / DIV ）
OUT （ 2V / DIV ）
负载电流
(200mA/div)
时间：5ms /格
WRN （ 5V / DIV ）
时间： 5 us /格
图2.捕获的波形用于上电。 THE
输出端装有一个10Ω电阻
图3.捕获的波形，当输入
电压阶跃从5.5V至9.5V
时间： 500毫秒/格
输入电压（ 2V / DIV）
输入电压（ 2V / DIV）
OUT （ 2V / DIV ）
OUT （ 2V / DIV ）
WRN （ 5V / DIV ）
WRN （ 5V / DIV ）
时间：5ms /格
图4.捕获的波形，当输入
逐渐上升到输入
过电压阈值
图5.瞬态当输入电压阶跃
从6.5V至5.5V
时间： 20秒/格
输入电压（ 2V / DIV）
VIN（ 1V / DIV）
VB （ 1V / DIV ）
OUT （ 2V / DIV ）
ILIM （ 1V / DIV ）
WRN （ 5V / DIV ）时间：为500μs / DIV
OUT （ 1V / DIV ）
WRN （ 5V / DIV ）
图6.瞬态波形可以在输入步骤
从零到9V
图7.电池过压保护。该IC
被锁断之后16 COUNTS
保。 VB电压之间变化
4.3V至4.5V
4
FN6274.0
2006年4月25日
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