IS61C256AH
32K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10，12， 15，20， 25纳秒
低有功功率： 400毫瓦（典型值）
低待机功耗
— 250
W
（典型值） CMOS待机
- 55毫瓦（典型值） TTL待机
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V电源
ISSI
1999年5月
描述
该
ISSI
IS61C256AH是一个非常高速，低功耗，
由8位静态RAM， 32,768字。他们使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度可靠
再加上创新的电路设计技能的过程
niques ，产量存取时间快最多10纳秒。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗可被降低至
250
W
（典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（
CE
）输入和一个低电平有效输出使能（
OE
)
输入。该低电平有效写使能（
WE
）控制两种写作
和读取内存。
该IS61C256AH与其他32K ×8的SRAM引脚兼容
并在28引脚PDIP可用， SOJ ，和TSOP （ I型）
包。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
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SR020-1O
05/24/99
1
IS61C256AH
引脚配置
28引脚DIP和SOJ
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
ISSI
引脚配置
28引脚TSOP
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
A0-A14
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
真值表
模式
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
WE
CE OE
H
L
L
L
X
H
L
X
I / O操作，VCC电源电流
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
未选择
X
（掉电）
输出禁用
读
H
写
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-55到+125
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
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IS61C256AH
工作范围
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
速度
-10, -12
-15, -20, -25
-12
-15, -20, -25
V
CC
5V
±
5%
5V
±
10%
5V
±
5%
5V
±
10%
ISSI
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.5
–5
–10
–5
–10
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
5
10
5
10
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
-12
-15
-20
-25
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
—
—
—
—
—
—
165
—
25
—
2
—
—
—
—
—
—
—
155
165
25
30
2
10
—
—
—
—
—
—
145
155
25
30
2
10
—
—
—
—
—
—
135
145
25
30
2
10
—
—
—
—
—
—
125
135
25
30
2
10
mA
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
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IS61C256AH
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
-10
MIN 。 MAX
10
—
2
—
—
0
—
2
—
0
—
—
10
—
10
5
—
5
—
5
—
10
-12
分钟。马克斯。
12
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
12
—
12
5
—
6
—
7
—
12
-15
分钟。马克斯。
15
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
15
—
15
7
—
7
—
8
—
15
-20
分钟。马克斯。
20
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
20
—
20
8
—
9
—
9
—
18
-25
分钟。马克斯。
25
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
25
—
25
9
—
10
—
10
—
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
0至图1中指定的3.0V和输出负载。
2.在图2中转换测试，与负载测量
±500
毫伏从稳态电压。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1
图2
4
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SR020-1O
05/24/99
IS61C256AH
AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
地址
ISSI
t
AA
t
OHA
D
OUT
以前的数据有效
t
OHA
数据有效
READ1.eps
读周期2号
(1,3)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OHA
t
美国能源部
CE
t
HZOE
t
LZOE
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
数据有效
CE_RD2.eps
D
OUT
高-Z
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE
,
CE
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
低转换。
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SR020-1O
05/24/99
5
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