ISL8105B
绝对最大额定值
偏置电压，V
BIAS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 15.0V
启动电压，V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 36.0V
TGATE电压，V
TGATE
. . . . . . . . . . . V
LX
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
BGATE / BSOC电压，V
BGATE / BSOC
。 .GND - 0.3 V
BIAS
+ 0.3V
LX电压，V
LX
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
上部驱动器电源电压，V
BOOT
- V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . .15V
钳位电压V
BOOT
- V
BIAS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24V
FB ， COMP / EN电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至6V
ESD分类， HBM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5KV
ESD分类， MM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150V
ESD分类，清洁发展机制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在1.0kV
热信息
热阻（注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
DFN封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
44
5.5
最高结温
（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
偏置电压，V
BIAS
。 。 。 。 。 + 5V ± 10 ％ ， + 12V ± 20 ％ ，或6.5V至14.4V
环境温度范围
ISL8105BC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
ISL8105BI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
3.测试条件由设计仿真保证。
电气规格
参数
输入电源电流
SHUTDOWN V
BIAS
电源电流
关闭
关断阈值（ COMP / EN引脚）
振荡器
额定频率范围
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VBIAS_S
V
BIAS
= 12V ;残
4
5.2
7
mA
V
关闭
0.375
0.4
0.425
V
F
OSC
ISL8105BC
ISL8105BI
270
240
300
300
1.5
330
330
千赫
千赫
V
P-P
斜坡振幅（注3）
上电复位
瑞星V
BIAS
门槛
V
BIAS
POR阈值迟滞
参考
标称参考电压
参考电压容差
DV
OSC
V
POR_r
V
POR地= H
3.9
0.30
4.1
0.35
4.3
0.40
V
mV
V
REF
ISL8105BC （ 0 ° C至+ 70 ° C）
ISL8105BI （ -40 ° C至+ 85°C ）
-1.0
-1.5
0.6
+1.0
+1.5
V
%
%
误差放大器器
直流增益（注3）
单位增益带宽（注3 ）
压摆率（注3 ）
栅极驱动器
TGATE源电阻
TGATE源电阻
TGATE水槽电阻
R
TG- SRCH
R
TG- SRCL
R
TG- SNKh
V
BIAS
= 14.5V为50mA电源电流
V
BIAS
= 4.25V为50mA电源电流
V
BIAS
= 14.5V为50mA电源电流
3.0
3.5
2.7
Ω
Ω
Ω
收益
DC
UGBW
SR
96
20
9
dB
兆赫
V / μs的
4
FN6447.0
2007年2月13日
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