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ISL6596
数据表
2010年1月22日
FN9240.1
同步整流MOSFET驱动器
该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道功率MOSFET的同步
降压转换器拓扑结构。此驱动程序结合Intersil的
多相降压PWM控制器,形成一个完整的单
以高效率阶段核心电压稳压器
表现在高开关频率为先进
微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压(5V)施力,
高MOSFET栅极驱动器最大限度地降低开关损耗
电容和高开关频率的应用。
每个驱动器能够驱动一个3nF的负载小于
10ns的上升/下降时间。上部栅极驱动器的自举是
通过内部的低正向压降的二极管来实现,
降低实施成本,复杂性,并且使
使用更高的性能,成本效益的N通道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
该ISL6596拥有4A典型的灌电流低
栅极驱动器,增强了下MOSFET的栅极压紧
在第一阶段的节点能力的上升沿,防止权力
所造成的损失自导通的下MOSFET的因
交换节点的高dV / dt 。
该ISL6596还具有输入的识别
高阻抗状态,工作与Intersil的
多相3.3V或5V PWM控制器,以防止负
瞬变的受控的输出电压时操作
暂停。这个特性消除了对肖特基
二极管可以在一个电力系统被用于保护
负载从负输出电压的损害。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
快速输出上升时间和下降时间
低三州拖延时间(为20ns )
支持3.3V和5V PWM输入
低静态电流
上电复位
可扩展的底部铜焊盘的热扩散
双列扁平无引线( DFN )封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息,产品外形
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅(符合RoHS )
订购信息
部分
(注)
ISL6596CBZ*
ISL6596CRZ*
ISL6596IBZ*
ISL6596IRZ*
部分
记号
6596 CBZ
596Z
6596 IBZ
96IZ
温度
范围
(°C)
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
0至+70 8 Ld的SOIC
0至+70 10 Ld的3×3 DFN L10.3x3C
-40到+85 8 Ld的SOIC
M8.15
应用
核心电压供应为英特尔和AMD?
微处理器
高频薄型高效率DC / DC
转换器
大电流低电压DC / DC转换器
同步整流用于隔离型电源
-40到+85 10 Ld的3×3 DFN L10.3x3C
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347的细节
卷筒规格。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属
材料和100 %雾锡板加退火( E3终止完成,
这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅兼容
焊接操作) 。 Intersil无铅产品分类MSL在
达到或超过了无铅无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
相关文献
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN ( MLFP )包“
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 Intersil公司(设计)是Intersil美洲公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2005年, 2010年版权所有
英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices ,Inc.的注册商标。
ISL6596
引脚
ISL6596
( 8 LD SOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCTRL
VCC
LGATE
ISL6596
( 10 LD DFN )
顶视图
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
VCTRL
N / C
VCC
LGATE
框图
ISL6596
VCC
VCTRL
拍摄开启
通过
保护
控制
逻辑
7k
VCC
BOOT
UGATE
7k
PWM
LGATE
GND
VCTRL = VCC控制器
2
FN9240.1
2010年1月22日
ISL6596
典型应用 - 多相位转换器使用ISL6596栅驱动器
V
IN
+5V
+3.3V
+3.3V
VCC
FB
VCC
VSEN
PWM1
PGOOD
PWM2
PWM
调节器
(ISL69XX)
VID
(可选)
ISEN1
ISEN2
+5V
V
IN
+V
CORE
COMP
VCTRL
PWM
ISL6596
LGATE
UGATE
R
UGPH
BOOT
VCC
FS / EN
GND
VCTRL
PWM
ISL6596
BOOT
UGATE
R
UGPH
LGATE
R
UGPH
对于一些特殊的电源排序应用
(参见应用信息部分第8页)
3
FN9240.1
2010年1月22日
ISL6596
绝对最大额定值
电源电压( VCC , VCTRL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压(V
EN
, V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
) 。 。 。 -0.3V至25V ( DC )或36V ( <200ns )
引导到相电压(V
BOOT -PHASE
) 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V ( DC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至9V ( <10ns )
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V ( DC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -8V ( <20ns脉冲宽度, 10μJ )至30V ( <100ns )
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V ( DC )到V
BOOT
. . . . . . . . . . . V
- 5V ( <20ns脉宽, 10μJ )到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V ( DC )到VCC + 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 2.5V ( <20ns脉宽, 5μJ )至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
HBM ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110
不适用
DFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
7
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 100°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
3.
θ
JC
, "case temperature"位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
这些规范适用于“推荐工作条件”第4页,除非另有
指出。
符号
测试条件
最大
(注5 )典型值(注5 )单位
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
VCTRL输入
阈值上升
下降阈值
PWM输入
下沉阻抗
源阻抗
三州LowerThreshold
I
VCC
PWM引脚悬空,V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
190
3.4
3.0
400
-
4.2
-
-
A
mV
-
2.4
2.75
2.65
2.90
-
V
V
R
PWM_SNK
R
PWM_SRC
V
VCTRL
= 3.3V ( -110mV滞后)
V
VCTRL
= 5V ( -250mV滞后)
-
-
-
-
-
-
-
3.5
3.5
1.1
1.5
1.9
3.25
20
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
ns
三态阈值上限
V
VCTRL
= 3.3V ( +仅为110mV迟滞)
V
VCTRL
= 5V ( + 250mV的滞后性)
三州关机释抑时间
开关时间
(参见图1 6页)
UGATE上升时间(注4 )
LGATE上升时间(注4 )
UGATE下降时间(注4 )
LGATE下降时间(注4 )
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
t
tSSHD
t
PDLU
或T
PDLL
+门下降时间
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDHU
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
-
-
-
-
-
-
-
8.0
8.0
8.0
4.0
20
15
19
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
FN9240.1
2010年1月22日
ISL6596
电气规格
这些规范适用于“推荐工作条件”第4页,除非另有
指出。
(续)
符号
t
PDHL
t
PT的
测试条件
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
最大
(注5 )典型值(注5 )单位
-
-
18
30
-
-
ns
ns
参数
LGATE导通传播延迟
三态,以UG / LG瑞星传输延迟
产量
(注4 )
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意事项:
R
UG_SRC
R
UG_SNK
R
LG_SRC
R
LG_SNK
250毫安源电流
250毫安灌电流
250毫安源电流
250毫安灌电流
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
0.4
2.5
2.5
2.5
1.0
Ω
Ω
Ω
Ω
4.限制设立的特性,不生产测试。
5.参数与MIN和/或最大极限100%经过测试,在+ 25 ° C,除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
5
FN9240.1
2010年1月22日
ISL6596
数据表
2005年11月2日
FN9240.0
同步整流MOSFET驱动器
该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道功率MOSFET的同步
降压转换器拓扑结构。此驱动程序结合Intersil的
多相降压PWM控制器,形成一个完整的单
以高效率阶段核心电压稳压器
表现在高开关频率为先进
微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压(5V)施力,
高MOSFET栅极驱动器最大限度地降低开关损耗
电容和高开关频率的应用。
每个驱动器能够驱动一个3nF的负载小于
10ns的上升/下降时间。上部栅极驱动器的自举是
通过内部的低正向压降的二极管来实现,
降低实施成本,复杂性,并且使
使用更高的性能,成本效益的N通道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
该ISL6596拥有4A典型的灌电流低
栅极驱动器,增强了下MOSFET的栅极压紧
在第一阶段的节点能力的上升沿,防止权力
所造成的损失自导通的下MOSFET的因
交换节点的高dV / dt 。
该ISL6596还具有输入识别一个高
阻抗状态,与Intersil的多相一起工作
3.3V或5V PWM控制器,以防止负瞬变
在受控的输出电压时操作
暂停。这个特性消除了对肖特基
二极管可以在一个电力系统被用于保护
负载从负输出电压的损害。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 低三州拖延时间(为20ns )
支持3.3V和5V PWM输入
= LOW
电源电流
上电复位
可扩展的底部铜焊盘的热扩散
双列扁平无引线( DFN )封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息,产品外形
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有(符合RoHS )
订购信息
部分
ISL6596CBZ
(注)
部分
记号
6596CBZ
温度
范围
(°C)
0到70
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
ISL6596CBZ -T 6596CBZ
(注)
ISL6596CRZ
(注)
596Z
8 Ld的SOIC卷带
0到70
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
应用
核心电压供应为英特尔和AMD?
微处理器
高频薄型高效率DC / DC
转换器
大电流低电压DC / DC转换器
同步整流用于隔离型电源
ISL6596CRZ -T 596Z
(注)
ISL6596IBZ
(注)
ISL6596IBZ-T
(注)
ISL6596IRZ
(注)
ISL6596IRZ-T
(注)
96IZ
96IZ
10 Ld的DFN磁带和卷轴
-40到85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC卷带
-40到85
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的DFN磁带和卷轴
M8.15
相关文献
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN ( MLFP )包“
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 Intersil公司(设计)是Intersil美洲公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2005.版权所有
英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices ,Inc.的注册商标。
ISL6596
引脚
ISL6596 ( SOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCTRL
VCC
LGATE
1
2
3
4
5
ISL6596 ( DFN )
顶视图
10
9
8
7
6
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
VCTRL
N / C
VCC
LGATE
框图
ISL6596
VCC
VCTRL
BOOT
UGATE
拍摄开启
通过
保护
控制
逻辑
7k
VCC
LGATE
GND
7k
PWM
VCTRL = VCC控制器
2
FN9240.0
2005年11月2日
ISL6596
典型应用 - 多相位转换器使用ISL6596栅驱动器
V
IN
+5V
+3.3V
+3.3V
VCC
VCTRL
PWM1
PWM2
PWM
调节器
(ISL69XX)
VID
(可选)
ISEN1
ISEN2
+5V
V
IN
+V
CORE
PWM
ISL6596
LGATE
BOOT
UGATE
R
UGPH
FB
VCC
VSEN
COMP
PGOOD
FS / EN
GND
VCC
VCTRL
PWM
ISL6596
BOOT
UGATE
R
UGPH
LGATE
R
UGPH
对于一些特殊的电源排序应用
(参见应用信息部分第8页)
3
FN9240.0
2005年11月2日
ISL6596
绝对最大额定值
电源电压( VCC , VCTRL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压(V
EN
, V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
) 。 。 。 -0.3V至25V ( DC )或36V ( <200ns )
引导到相电压(V
BOOT -PHASE
) 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V ( DC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至9V ( <10ns )
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V ( DC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -8V ( <20ns脉冲宽度, 10μJ )至30V ( <100ns )
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V ( DC )到V
BOOT
. . . . . . . . . . . V
- 5V ( <20ns脉宽, 10μJ )到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V ( DC )到VCC + 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 2.5V ( <20ns脉宽, 5μJ )至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
HBM ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
热信息
热阻(注1 , 2 , 3 & )
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110
不适用
DFN封装(注2 & 3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
7
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ℃至100 ℃的
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
3.
θ
JC
, "case temperature"位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
VCTRL输入
阈值上升
下降阈值
PWM输入
下沉阻抗
源阻抗
三州LowerThreshold
三态阈值上限
三州关机释抑时间
这些规范适用于
推荐的工作条件,
除非另有说明。
符号
I
VCC
测试条件
PWM引脚悬空,V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
-
2.4
R
PWM_SNK
R
PWM_SRC
V
VCTRL
= 3.3V ( -110mV滞后)
V
VCTRL
= 5V ( -250mV滞后)
V
VCTRL
= 3.3V ( +仅为110mV迟滞)
V
VCTRL
= 5V ( + 250mV的滞后性)
t
tSSHD
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDHU
t
PDHL
t
PT的
R
UG_SRC
R
UG_SNK
R
LG_SRC
R
LG_SNK
t
PDLU
或T
PDLL
+门下降时间
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
250毫安源电流
250毫安灌电流
250毫安源电流
250毫安灌电流
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
190
3.4
3.0
400
2.75
2.65
3.5
3.5
1.1
1.5
1.9
3.25
20
8.0
8.0
8.0
4.0
20
15
19
18
30
1.0
1.0
1.0
0.4
最大
-
4.2
-
-
2.90
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.5
2.5
2.5
1.0
mV
V
V
k
k
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
A
开关时间
(参见图1第5页)
UGATE上升时间(注4 )
LGATE上升时间(注4 )
UGATE下降时间(注4 )
LGATE下降时间(注4 )
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
三态,以UG / LG瑞星传输延迟
产量
(注4 )
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意:
4.通过特性保证。不是100 %生产测试。
4
FN9240.0
2005年11月2日
ISL6596
功能引脚说明
注:引脚数是指该SOIC封装。入住
图中相应的引脚DFN封装。
LGATE (引脚5 )
更低的栅极驱动器输出。连接到低压侧的栅极
N沟道功率MOSFET 。栅极电阻是永远
推荐该引脚上,因为它与操作干扰
击穿保护电路。
UGATE (引脚1 )
上栅极驱动输出。连接到高侧的门
N沟道功率MOSFET 。栅极电阻是永远
推荐该引脚上,因为它与操作干扰
击穿保护电路。
VCC (引脚6 )
该引脚连接到+ 5V偏置电源。与本地绕过
高品质的陶瓷电容器接地。
BOOT (引脚2 )
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电
用于打开上部MOSFET 。见
引导
注意事项
在选择用于引导部分
适当的电容值。
VCTRL (引脚7 )
该引脚设置PWM的逻辑阈值。将此引脚连接到
3.3V电源为3.3V PWM输入
并拉至5V源
5V PWM输入。
PHASE (引脚8 )
该引脚连接到上层MOSFET的源极。这
引脚提供用于上部的栅极驱动器的电流的返回路径。
PWM (引脚3 )
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家,看到了
三态PWM输入
部分作进一步的详细信息。连接该引脚
到控制器的PWM输出。
散热焊盘(在DFN只)
IC的中心下方的金属垫是热
基材。 PCB的“热地”设计,这种暴露
模具垫应包括过孔掉落下来,连接到
一个或多个埋铜平面( S) 。这种组合
过孔的垂直散热逃生和掩埋面热
扩展允许DFN充分发挥其热
势。此焊盘应既接地或浮,
和它不应该被连接到其他节点。请参阅
TB389的设计指南。
GND (引脚4 )
接地引脚。所有的信号都参考这个节点。
时序图
VCC的50%的
PWM
t
PDHU
t
PDLU
t
RU
t
PT的
1V
UGATE
LGATE
1V
t
RL
t
tSSHD
t
PDLL
t
PDHL
t
FL
t
RU
t
tSSHD
t
FU
t
PT的
图1.时序图
5
FN9240.0
2005年11月2日
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