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PD-9.1427
目标
IRGCC40KE
IRGCC40KE模具IGBT晶圆形式
C
G
E
600 V
尺寸4
速度超快
5"晶圆
电气特性(晶圆表)
参数
V
CE (上)
V
( BR ) CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
描述
集电极 - 发射极饱和电压
Colletor - 发射极击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
保证(最小/最大)
测试条件
4.1V最大。
I
C
= 20A ,T
J
= 25 ° C,V
GE
= 15V
600V民。
T
J
= 25 ° C,I
CES
= 250μA ,V
GE
= 0V
3.0V最小, 5.5V最大。
V
GE
= V
CE
, T
J
= 25 ° C,I
C
=250A
250 μA(最大值) 。
T
J
= 25 ° C,V
CE
= 600V
±
500 nA的最大。
T
J
= 25 ° C,V
GE
= +/- 20V
机械数据
公称Backmetal组成,厚度:
公称前端金属组成,厚度:
尺寸:
晶圆直径:
晶圆厚度:
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
墨点位置
推荐的存储环境:
参考标准封装的IR部分(设计) : IRGPC40K
铬镍银( 1kA的- 4KA - 6KA )
99 %的Al, 1 %的Si (3微米)的
0.170" X 0.232"
125毫米,性病。 < 100 >平
0.015" + / -.003"
01-5101
100微米
0.25毫米直径最小
见模具外形下图
储存于原装容器中,在dessicated
氮气,没有污染
模具大纲
墨点
位置
3.28
(.129 )
注意事项:
1.所有尺寸以毫米为单位显示(英寸)
2.控制尺寸: ( INCH )
3.字母标识:
S =源
G =门
4.尺寸公差
焊盘: <公差0.635 = 0.013 +/-
宽度
< ( 0.0250 )公差= + / - ( 0.0005 )
&放大器;
>公差0.635 = 0.025 +/-
> ( 0.0250 )公差= +/- ( 0.0010 )
总体DIE
< 1.270公差= 0.102 +/-
宽度
< ( .050 )公差= +/- ( 0.004)
&放大器;
>公差0.635 = 0.203 +/-
> ( .050 )公差= +/- ( 0.008 )
5.除非另有说明都死ARE GEN III
1.45
(.057 )
辐射源
5.89
(.232 )
G
0.73
(.029 )
0.72
(.028 )
4.31
(.170 )
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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