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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第600页 > ISL6594ACBZ-T
ISL6594A ， ISL6594B
数据表
2006年7月31日
FN9157.3
先进的同步整流降压
有保护功能的MOSFET驱动器
该ISL6594A及ISL6594B是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动结合
ISL6592数字多相降压PWM控制器和
N沟道MOSFET构成一个完整的核心电压
先进的微处理器稳压器解决方案。
该ISL6594A驱动上部栅极至12V，而下
门可以独立驱动的范围内从5V到
12V 。该ISL6594B过驱动上下两个门
范围为5V至12V 。这种驱动电压提供
必要的灵活性，以优化涉及与贸易应用
栅极电荷和导通损耗之间的平衡。
自适应零贯通保护集成到
防止两个从导通的上部和下部的MOSFET
同时并尽量减少死区时间。这些
产品中添加过电压保护功能的操作
前VCC超过它的导通阈值，在该
相节点被连接到低压侧的栅极
MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压是
然后通过低边MOSFET的阈值时，限制其
提供一些保护以微处理器如果上
MOSFET （S ）在初始启动短路。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
双MOSFET驱动器的同步整流桥
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（高达2MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线（ DFN ）封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介TB417的动力传动系设计，布局
指引和反馈补偿设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6594A ， ISL6594B
订购信息
产品型号
ISL6594ACB
ISL6594ACB-T
ISL6594ACBZ （注）
ISL6594ACBZ -T （注）
ISL6594ACR
ISL6594ACR-T
ISL6594ACRZ （注）
ISL6594ACRZ -T （注）
ISL6594BCB
ISL6594BCB-T
ISL6594BCBZ （注）
ISL6594BCBZ -T （注）
ISL6594BCR
ISL6594BCR-T
ISL6594BCRZ （注）
ISL6594BCRZ -T （注）
最热
ISL6594ACB
ISL6594ACB
6594ACBZ
6594ACBZ
94AC
94AC
94AZ
94AZ
ISL6594BCB
ISL6594BCB
6594BCBZ
6594BCBZ
94BC
94BC
94BZ
94BZ
温度。
范围（° C）
0到85
8 Ld的SOIC卷带
0到85
8 Ld的SOIC （无铅）
M8.15
包
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
0到85
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴（无铅）
0到85
8 Ld的SOIC卷带
0到85
8 Ld的SOIC （无铅）
M8.15
8 Ld的SOIC
M8.15
8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
0到85
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴（无铅）
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
引脚配置
ISL6594ACB ， ISL6594BCB （ SOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
PVCC
VCC
LGATE
ISL6594ACR ， ISL6594BCR （ 10 LD的3x3 DFN ）
顶视图
CRD L
UGATE
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
BAT
相
BOOT
USB
N / C
PPR
PW M
HG
NTC或
GND
OVP
或En
PVCC
ICDL
GND
N / C
VCC
USBP
IUSB
LGATE
框图
ISL6594A及ISL6594B
UVCC
VCC
+5V
10K
PWM
POR /
控制
8K
逻辑
LGATE
PRE- POR过压保护
特点
BOOT
UGATE
相
（ LVCC ）
PVCC
UVCC = VCC FOR ISL6594A
UVCC = PVCC FOR ISL6594B
拍摄开启
通过
保护
GND
PAD
FOR DFN -DEVICES ，在底部垫
该程序包必须焊接到电路的地。
2
FN9157.3
2006年7月31日
典型应用 - 4通道转换器使用ISL6592和ISL6594A栅极驱动器
+12V
ISL6594
+5V
1 UGATE
2 BOOT
3 PWM
4 GND
第8阶段
7 PVCC
VCC 6
LGATE 5
3
+3.3V
VDD
V12_SEN
GND
ISL6594
1 UGATE
2 BOOT
3 PWM
4 GND
第8阶段
7 PVCC
VCC 6
ISL6592
VID4
VID3
VID2
VID1
从μP
VID0
VID5
LL0
LL1
OUTEN
OUT1
OUT2
ISEN1
OUT3
OUT4
ISEN2
OUT5
OUT6
ISEN3
OUT7
OUT8
ISL6594A ， ISL6594B
LGATE 5
VOUT
ISL6594
1 UGATE
2 BOOT
3 PWM
4 GND
第8阶段
7 PVCC
VCC 6
LGATE 5
RTN
以微处理器
VCC_PWRGD
ISEN4
OUT9
RESET_N
OUT10
ISEN5
ISL6594
1 UGATE
2 BOOT
3 PWM
4 GND
第8阶段
7 PVCC
VCC 6
LGATE 5
故障
输出
FAULT1
FAULT2
OUT11
OUT12
ISEN6
SDA
I2C I / F
公共汽车
FN9157.3
2006年7月31日
TEMP_SEN
RTHERM
CAL_CUR_EN
CAL_CUR_SEN
VSENP
VSENN
SCL
SADDR
ISL6594A ， ISL6594B
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
(V
PVCC
= 12V)
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ， VBOOT - GND<36V ）
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
DFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
I
VCC
ISL6594A ，女
PWM
= 300kHz的，V
VCC
= 12V
ISL6594B ，女
PWM
= 300kHz的，V
VCC
= 12V
I
VCC
ISL6594A ，女
PWM
= 1MHz时， V
VCC
= 12V
ISL6594B ，女
PWM
= 1MHz时， V
VCC
= 12V
门驱动偏置电流
I
PVCC
ISL6594A ，女
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
ISL6594B ，女
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
I
PVCC
（注4 ）
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入（参见第6页的时序图）
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 3.3V
V
PWM
= 0V
PWM上限阈值（注4 ）
PWM下降阈值（注4 ）
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.23
-
-
-
505
-460
1.70
1.30
-
1.18
0.76
2.36
-
-
-
-
1.82
-
-
-
A
A
V
V
V
V
V
V
9.35
7.35
9.8
7.6
10.0
8.0
V
V
ISL6594A ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
ISL6594B ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
8
4.5
10.5
5
4
7.5
5
8.5
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
4
FN9157.3
2006年7月31日
ISL6594A ， ISL6594B
电气规格
参数
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间（注4 ）
LGATE下降时间（注4 ）
UGATE导通传播延迟（注4 ）
LGATE导通传播延迟（注4 ）
UGATE关断传播延迟（注4 ）
LGATE关断传播延迟（注4 ）
LG / UG三态传输延迟（注4 ）
产量
上驱动源电流（注4 ）
上驱动源阻抗
上驱动吸收电流（注4 ）
上驱动吸收阻抗
降低驱动源电流（注4 ）
降低驱动源阻抗
较低的驱动器吸收电流（注4 ）
下驱动水槽阻抗
注意：
4.通过设计保证。不是100 ％生产测试。
I
U_SOURCE
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
R
U_SOURCE
150毫安源电流
I
U_SINK
R
U_SINK
I
L_SOURCE
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
150毫安灌电流
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
-
1.4
-
0.9
-
0.85
-
0.60
1.25
2.0
2
1.65
2
1.3
3
0.94
-
3.0
-
3.0
-
2.2
-
1.35
A
A
A
A
t
tSSHD
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDHU
t
PDHL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDTS
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，10％至90％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，10％至90％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，90％至10％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，90％至10％的
V
PVCC
= 12V ， 3nF的负载，自适应
V
PVCC
= 12V ， 3nF的负载，自适应
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
VCC = 12V
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
1.96
245
26
18
18
12
10
10
10
10
10
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L_SOURCE
150毫安源电流
I
L_SINK
R
L_SINK
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
150毫安灌电流
功能引脚说明
封装引脚＃
SOIC
1
2
DFN
1
2
针
符号
UGATE
BOOT
功能
上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部自举
在说明的指导，选择电容值器件部分。
无连接。
PWM信号是控制输入的驱动程序。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看看
根据描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接到的PWM输出
控制器。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是驾驶者的动力接地回路。
更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚提供电源给在ISL6594B上下两个栅极驱动器;只有在ISL6594A低侧栅极驱动器。
它的工作范围为+ 5V至12V 。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚提供
返回路径的上部栅极驱动器。
通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面（ GND ） 。
-
3
3,8
4
N / C
PWM
4
5
6
7
8
9
5
6
7
9
10
11
GND
LGATE
VCC
PVCC
相
PAD
5
FN9157.3
2006年7月31日
ISL6594A ， ISL6594B
数据表
2005年5月6日
FN9157.1
先进的同步整流降压
有保护功能的MOSFET驱动器
该ISL6594A及ISL6594B是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动结合
ISL6592数字多相降压PWM控制器和
N沟道MOSFET构成一个完整的核心电压
先进的微处理器稳压器解决方案。
该ISL6594A驱动上部栅极至12V，而下
门可以独立驱动的范围内从5V到
12V 。该ISL6594B过驱动上下两个门
范围为5V至12V 。这种驱动电压提供
必要的灵活性，以优化涉及与贸易应用
栅极电荷和导通损耗之间的平衡。
自适应零贯通保护集成到
防止两个从导通的上部和下部的MOSFET
同时并尽量减少死区时间。这些
产品中添加过电压保护功能的操作
前VCC超过它的导通阈值，在该
相节点被连接到低压侧的栅极
MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压是
然后通过低边MOSFET的阈值时，限制其
提供一些保护以微处理器如果上
MOSFET （S ）在初始启动短路。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
双MOSFET驱动器的同步整流桥
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（高达2MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线（ DFN ）封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅可（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介TB400和TB417的动力传动系
设计，布局指南，回馈补偿
设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2004年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6594A ， ISL6594B
订购信息
温度。
PART数的范围（ ℃）
ISL6594ACB
ISL6594ACB-T
ISL6594ACR
ISL6594ACR-T
ISL6594BCB
ISL6594BCB-T
ISL6594BCR
ISL6594BCR-T
ISL6594ACBZ*
ISL6594ACBZ-T*
0到85
包
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
订购信息
（续）
温度。
PART数的范围（ ℃）
ISL6594ACRZ*
ISL6594ACRZ-T*
L10.3x3
包
PKG 。
DWG 。 ＃
0到85
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
L10.3x3
8 Ld的SOIC卷带
0到85
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴（无铅）
0到85
8 Ld的SOIC （无铅）
M8.15
ISL6594BCBZ*
ISL6594BCBZ-T*
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
8 Ld的SOIC
M8.15
8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
0到85
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
L10.3x3
ISL6594BCRZ*
ISL6594BCRZ-T*
8 Ld的SOIC卷带
0到85
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴（无铅）
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
8 Ld的SOIC （无铅）
M8.15
8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
注： * Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
引脚配置
ISL6594ACB ， ISL6594BCB （ SOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
PVCC
VCC
LGATE
ISL6594ACR ， ISL6594BCR （ 10L的3x3 DFN ）
顶视图
CRD L
UGATE
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
BAT
相
BOOT
USB
N / C
PPR
PW M
HG
NTC或
GND
OVP
或En
PVCC
ICDL
GND
N / C
VCC
USBP
IUSB
LGATE
框图
ISL6594A及ISL6594B
UVCC
VCC
+5V
10K
PWM
POR /
控制
8K
逻辑
OTP和
PRE- POR过压保护
特点
BOOT
UGATE
相
（ LVCC ）
PVCC
拍摄开启
通过
保护
UVCC = VCC FOR ISL6594A
UVCC = PVCC FOR ISL6594B
LGATE
GND
PAD
FOR DFN -DEVICES ，在底部垫
该程序包必须焊接到电路的地。
2
FN9157.1
2005年5月6日
典型应用 - 4通道转换器使用ISL6592和ISL6594A栅极驱动器
+12V
+5V
ISL6594
1 UGATE
2 BOOT
3 PWM
4 GND
第8阶段
7 PVCC
VCC 6
LGATE 5
3
+3.3V
VDD
V12_SEN
GND
ISL6594
1 UGATE
2 BOOT
3 PWM
4 GND
第8阶段
7 PVCC
VCC 6
ISL6592
VID4
VID3
VID2
VID1
从μP
VID0
VID5
LL0
LL1
OUTEN
OUT1
OUT2
ISEN1
OUT3
OUT4
ISEN2
OUT5
OUT6
ISEN3
OUT7
OUT8
ISL6594A ， ISL6594B
LGATE 5
ISL6594
1 UGATE
2 BOOT
3 PWM
4 GND
第8阶段
7 PVCC
VCC 6
LGATE 5
VOUT
以微处理器
VCC_PWRGD
ISEN4
OUT9
RTN
RESET_N
OUT10
ISEN5
ISL6594
1 UGATE
2 BOOT
3 PWM
4 GND
第8阶段
7 PVCC
VCC 6
LGATE 5
故障
输出
FAULT1
FAULT2
OUT11
OUT12
ISEN6
SDA
I2C I / F
公共汽车
FN9157.1
2005年5月6日
TEMP_SEN
CAL_CUR_EN
CAL_CUR_SEN
VSENP
VSENN
RTHERM
SCL
SADDR
ISL6594A ， ISL6594B
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
(V
PVCC
= 12V)
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至24V （ <200ns ，V
BOOT -PHASE
= 12V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
DFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
I
VCC
ISL6594A ，女
PWM
= 300kHz的，V
VCC
= 12V
ISL6594B ，女
PWM
= 300kHz的，V
VCC
= 12V
I
VCC
ISL6594A ，女
PWM
= 1MHz时， V
VCC
= 12V
ISL6594B ，女
PWM
= 1MHz时， V
VCC
= 12V
门驱动偏置电流
I
PVCC
ISL6594A ，女
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
ISL6594B ，女
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
I
PVCC
（注4 ）
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入（参见第6页的时序图）
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 3.3V
V
PWM
= 0V
PWM上限阈值（注4 ）
PWM下降阈值（注4 ）
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.23
-
-
-
505
-460
1.70
1.30
-
1.18
0.76
2.36
-
-
-
-
1.82
-
-
-
A
A
V
V
V
V
V
V
9.35
7.35
9.8
7.6
10.0
8.0
V
V
ISL6594A ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
ISL6594B ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
8
4.5
10.5
5
4
7.5
5
8.5
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
4
FN9157.1
2005年5月6日
ISL6594A ， ISL6594B
电气规格
参数
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间（注4 ）
LGATE下降时间（注4 ）
UGATE导通传播延迟（注4 ）
LGATE导通传播延迟（注4 ）
UGATE关断传播延迟（注4 ）
LGATE关断传播延迟（注4 ）
LG / UG三态传输延迟（注4 ）
产量
上驱动源电流（注4 ）
上驱动源阻抗
上驱动吸收电流（注4 ）
上驱动吸收阻抗
降低驱动源电流（注4 ）
降低驱动源阻抗
较低的驱动器吸收电流（注4 ）
下驱动水槽阻抗
注意：
4.通过设计保证。不是100 ％生产测试。
I
U_SOURCE
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
R
U_SOURCE
150毫安源电流
I
U_SINK
R
U_SINK
I
L_SOURCE
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
150毫安灌电流
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
-
1.4
-
0.9
-
0.85
-
0.60
1.25
2.0
2
1.65
2
1.3
3
0.94
-
3.0
-
3.0
-
2.2
-
1.35
A
A
A
A
t
tSSHD
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDHU
t
PDHL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDTS
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，10％至90％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，10％至90％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，90％至10％的
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载，90％至10％的
V
PVCC
= 12V ， 3nF的负载，自适应
V
PVCC
= 12V ， 3nF的负载，自适应
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
VCC = 12V
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
1.96
245
26
18
18
12
10
10
10
10
10
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L_SOURCE
150毫安源电流
I
L_SINK
R
L_SINK
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
150毫安灌电流
功能引脚说明
封装引脚＃
SOIC
1
2
DFN
1
2
针
符号
UGATE
BOOT
功能
上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部自举
在说明的指导，选择电容值器件部分。
无连接。
PWM信号是控制输入的驱动程序。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看看
根据描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接到的PWM输出
控制器。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是驾驶者的动力接地回路。
更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚提供电源给在ISL6594B上下两个栅极驱动器;只有在ISL6594A低侧栅极驱动器。
它的工作范围为+ 5V至12V 。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚提供
返回路径的上部栅极驱动器。
通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面（ GND ） 。
-
3
3,8
4
N / C
PWM
4
5
6
7
8
9
5
6
7
9
10
11
GND
LGATE
VCC
PVCC
相
PAD
5
FN9157.1
2005年5月6日
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推荐型号
IDT7130SA100CG
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IDT6198S45L
IXGH12N100A
IDT7143LA90FB
IRLML5103
IDT7133LA90JI
IL2405
IRS21952STRPBF
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IDT7164LL
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ISL6125IRZA
IDT70T16L25BFI
ISL23710
IRKU27-18
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