IRS21952SPBF
特点
2低边输出通道共享的共同点
1高边输出通道
CMOS施密特触发器输入上拉下拉电阻
在所有通道上的欠压锁定
5 V兼容逻辑电平输入
免疫-Vs秒杀和宽容,以DVS / DT & DVSS / DT
射穿预防逻辑
HIGH SIDE &双路低侧
驱动IC
产品概述
V
OFFSET
(低压侧)
V
OFFSET
(高压侧)
V
OUT
t
on
/t
关闭
(典型值)
I
o+/-
-600 V( VSS )
600 V ( COM )
10到20V
330纳秒/ 330纳秒
0.5 A/0.5 A
说明
该IRS21952包含2个低边输出共享
共同点和1个高侧输出。低侧驱动器
可以容忍高达-600V,下面的输入信号(VSS :输入
电源回路) 。高侧驱动器可耐受高达600伏
上述低侧接地( COM :低端电源回路) 。
该IRS21952具有更好的传播延迟和热
特性相比,光耦合器驱动程序。该
逻辑输入与标准CMOS或LSTTL兼容
输出。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS
技术使坚固耐用的单片式结构。
包
16引脚SOIC (窄体
)
典型连接图
IRS21952SPBF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。
参数参考COM绝对的电压。
所有的电压
符号
HIN
LIN1
LIN2
VDD
VSS
VB
VS
HO
VCC
LO1
LO2
DVS / DT
DVSS / DT
P
D
R
θJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
浮动逻辑电平输入电压
浮动逻辑输入电源电压
浮动逻辑输入电源回路电压
高侧浮动电源良好电压
高侧浮动电源良好电压回报
高侧浮动栅极驱动输出电压
低端电源电压
低侧输出电压
允许VS瞬态偏移相对于接地
VSS允许的瞬态偏移相对于接地
包装功耗@ T
A
< = + 25 C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
民
VSS-0.3
-0.3
VDD-25
-0.3
VB-25
VS-0.3
-0.3
-0.3
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
VDD+0.3
625
VDD+0.3
625
VB+0.3
VB+0.3
25
VCC+0.3
50
50
1
100
150
150
300
单位
V
V / ns的
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
C
C
推荐工作条件
对于正确的操作,该设备应在推荐的条件内使用。所有电压参数是绝对的
电压参考COM 。
符号
HIN
LIN1
LIN2
VDD
VSS
VB
VS
HO
VCC
LO1
LO2
T
A
德网络nition
浮动逻辑电平输入电压
浮动逻辑输入电源电压
浮动逻辑输入电源回路电压
高侧浮动电源良好电压
高侧浮动电源良好电压回报
高侧浮动栅极驱动输出电压
低端电源电压
低侧输出电压
环境温度
民
VSS
VSS+4.5
-5
VS+10
-5
VS
10
0
-40
最大
VDD
VSS+5.5
600
VS+20
600
VB
20
VCC
125
单位
V
C
注1 :
对于V逻辑操作
S
-5 V至600 V的逻辑状态保持V
S
-5 V至-V
BS
。 (请参考设计技巧
DT97-3有详细介绍) 。
2
IRS21952SPBF
动态电气特性(所有数值都是对象数据)
( VB - VS )= 15 V.
L
= 1000pF的,除非另有规定。所有的参数都是引用COM 。牛逼
A
= 25
o
C除非
另有规定ED 。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT_on
MT_off
德网络nition
开启高传播延迟
和低侧
关断的高传播延迟
和低侧
开启高和低上升时间
SIDE
关断落的高电平和低电平时间
SIDE
打开的传播延迟
匹配
关闭传播延迟
匹配
民
---
---
---
---
---
---
典型值
330
330
25
25
---
---
最大
---
---
70
单位
测试条件
V
SS
=200 V, V
S
=0 V
V
SS
=200 V, V
S
=400 V
ns
70
50
50
V
SS
=200 V, V
S
=0 V
V
SS
=200 V, V
S
=400 V
V
SS
=200 V, V
S
=0 V
V
SS
=200 V, V
S
=400 V
4