【ISL6580数据表2003年9月FN9060.2集成功率级该工作1GHz以上的处理器要求快速，智能】,IC型号ISL658090EVAL3,ISL658090EVAL3 PDF资料,ISL658090EVAL3经销商,ic,电子元器件-51电子网

ISL6580

数据表

2003年9月

FN9060.2

集成功率级

该工作1GHz以上的处理器要求快速，智能

电源系统。该ISL6580集成功率级是一个

高侧FET /驱动器组合，可提供高电流

每个转换器相功能在高开关频率。

该芯片集成了情报，以提供快速瞬态

响应和数字通信的ISL6590数字

控制器。该ISL6580集成了关键的功率级

组件快速功率传递，有效的散热设计

并增加了抗噪声能力。它集成了一个综合

P沟道的高边MOSFET ，高边MOSFET驱动器

和外部同步整流器的驱动器，低侧

的MOSFET。该ISL6580还具有窗口比较器

实现快速瞬态响应，以及板载电压和

智能数字通信当前的A / D转换器

并通过ISL6590控制器控制。

此外，通过所述通信总线上，配置

并经由ISL6590故障监视可用。

欲了解更多信息，请参阅ISL6590数据表。

特点

优化的英特尔VR10应用

V

IN

= 12V

为250kHz的相位开关频率为1MHz

相电流能力高达25A

高边P沟道MOSFET

低侧MOSFET驱动器

准确，无损的，电流检测

可编程MOSFET的非重叠时序（通过

ISL6590数字控制器）

主动瞬态响应（ ATR ）的电压降至最低

在大负载电流瞬变下垂/过冲。

用于系统监控的串行控制接口和

配置（与ISL6590控制器）

- 输入欠压保护

- 输出欠压/过电压保护

- 峰值电流限制

- 热关断

- ATR限制

提供最佳的电源解决方案，与合并

的ISL6590数字控制器

- 0.3VDC至1.85VDC输出电压调节范围

- VRM -9和VRM -10的VID码

数字接口高抗干扰和点的负载

放置

订购信息

产品型号

ISL6580CR

ISL6580CR-T

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

0到70

包

PKG 。

DWG 。＃

56 Ld的8×8 QFN L56.8x8C

56 Ld的QFN磁带&卷轴

ISL6580 / 90EVAL1评估板

ISL6580 / 90EVAL2评估板

ISL6580 / 90EVAL3评估板

引脚

ISL6580 （ QFN ）

顶视图

SCLK

VDD_A

VSENP_FILT

VSENN_FILT

GND

ATRH

ATRL

ERR

CLK

GND

VREF

VDD

IDIG

GND

板载模拟 - 数字转换器

- 10 M采样/秒的电压A / D

- 1 M采样/秒电流的A / D

相关文献

42 SOC

41 IS_PLUS

40 IS_MINUS

39

38

37

36

35

34

33

32

GND

VSW

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

SDATA

PWM

NDRIVE

GND

VSW

GND

VDRIVE

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

ISL6590数据表

技术简介TB363 “准则处理和

处理湿度敏感表面贴装器件

（ SMD的） “

技术简介TB379 “的热特性

封装的半导体器件“

技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计

表面贴装准则QFN （ MLFP ）包“

VSW

VCC

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

1

GND 27

VDRIVE 28

VDRIVE

GND

NGATE

GND

VSW

31 GND

30 GND

29 VDRIVE

ISL6580

框图

典型的功率级原理图

2

ISL6580

典型用途

3.3 V

1.8 V

2.5 V

VDD VCC VDRIVE

VDD_IO

VDD_CORE

VREF

ATRH

ATRL

VSENP

VSENN

5-12 V

12 V

VID [0： 5]

PWRGD

OUTEN

ERR

SOC

SCLK

SDATA

系统时钟

PWM

IDIG

NDRIVE

ISL6580

ERR

ISENSE

SOC

SCLK

VSW

SDATA

CLK

NGATE

PWM

IDIG

NDRIVE

保护地

GND

3.3 V

5-12 V

12 V

规

通道

VOUT

ARX

ATX

ISL6590

VOUT

RTN

VDD VCC VDRIVE

ATRH

ATRL

VREF

ATRH

ATRL

ERR

SOC

SCLK

SDATA

CLK

VSENP

VSENN

ISENSE

VSW

NGATE

PWM

IDIG

NDRIVE

TEST1

TEST2

TEST3

TEST4

3.3 V

5-12 V

12 V

PWM

IDIG

NDRIVE

保护地

GND

ATR通道

ISL6580

OSC_IN

OSC_OUT

VDD VCC VDRIVE

VSENP

VREF

ATRH

VSENN

ATRL

ISL6580

ERR

ISENSE

SOC

SCLK

VSW

SDATA

CLK

NGATE

PWM

IDIG

NDRIVE

PWM

IDIG

NDRIVE

保护地

GND

UV / OV

通道

MDO

EEPROM

MDI

MCS

MCLK

GND

调节器

接口总线

3

ISL6580

功能引脚说明

针＃

1

名字

SDATA

I / O

TYPE

描述

3.3V CMOS数字I / O;承载配置和监视信息，并从Intersil的串行数据线

经由共享控制器接口总线ISL6590数字控制器。通过SDATA信息传输

包括： PVID信息，输入欠压锁定故障，欠压/过压故障，热关断故障输出，

峰值电流限制设定点， ATRH和ATRL行程水平

3.3V CMOS数字输入;脉宽调制输入高侧驱动器。

3.3V CMOS

GND

数字输入;多功能引脚用于指定设备ID启动。在操作期间，提供

脉冲宽度调制的低侧驱动器

IC地面

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

PWM

NDRIVE

GND

VSW

GND

VDRIVE

GND

NGATE

GND

VDRIVE

GND

VSW

I

O

I

O

I

O

HV模拟漏高端PFET的。当PWM信号为高电平，无故障情况下， VCC切换到VSW

GND

VDRIVE

GND

IC地面

电源输入通常连接到5V电源。提供的电源电压驱动的栅极

低端NFET

电源输入通常连接到5V电源。提供的电源电压驱动的栅极

低端NFET

IC地面

高压模拟高电压的模拟输出用来驱动低侧NFET 。当NDRIVE高， NGATE是

切换到VDRIVE 。当NDRIVE低， NGATE被切换到地。

高压模拟高电压的模拟输出用来驱动低侧NFET 。当NDRIVE高， NGATE是

切换到VDRIVE 。当NDRIVE低， NGATE被切换到地。

高压模拟高电压的模拟输出用来驱动低侧NFET 。当NDRIVE高， NGATE是

切换到VDRIVE 。当NDRIVE低， NGATE被切换到地。

高压模拟高电压的模拟输出用来驱动低侧NFET 。当NDRIVE高， NGATE是

切换到VDRIVE 。当NDRIVE低， NGATE被切换到地。

GND

VDRIVE

GND

IC地面

电源输入通常连接到5V电源。提供的电源电压驱动的栅极

低端NFET

电源输入通常连接到5V电源。提供的电源电压驱动的栅极

低端NFET

IC地面

HV模拟漏高端PFET的。当PWM信号为高电平，无故障情况下， VCC切换到VSW

4

ISL6580

功能引脚说明

针＃

33

34

35

36

37

38

39

40

名字

VSW

GND

ISENSE

减号/

GND

ISENSE

PLUS

SOC

GND

IDIG

VDD

VREF

GND

CLK

ERR

I / O

O

I

TYPE

（续）

描述

HV模拟漏高端PFET的。当PWM信号为高电平，无故障情况下， VCC切换到VSW

GND

IC地面

接地引脚的电流检测电阻

41

42

43

44

45

46

47

48

49

I / O

O

I

O

I

O

类似物

3.3V CMOS

GND

3.3V CMOS

VDD

VREF

GND

3.3V CMOS

低电压模拟量输出;目前代表着高端PFET电流9900分之1

数字outupt ;开始转换信号（ SOC ）的。这个信号帧由所产生的错误字

当调节模式配置的电压A / D转换。

IC地面

数字输出;在66.67MHz通常发送7位串行字。第一位是起始位（开始= 1）。

这个信号代表了采样峰值电流高侧PFET ， MSB在前

电源的逻辑通常设定在3.3V

低电压模拟量输入;使用由A / D转换器和热关断2.5V基准信号

电路

IC地面

数字输入;典型的是133MHz的时钟提供给Intersil的ISL6590

数字输出;指示从所希望的输出电压的误差电压的A / D输出字和

VSENP - VSENN测得的电压（输出电压VID ）。该误差信号是一个6位的串行字（MSB

第一次）通常发射的66.67MHz 。

数字输出;主动瞬态响应低（ ATRL ）。 ATRL表示稳压输出电压

has"spiked"以上的编程水平。

数字输出;主动瞬态响应高（ ATRH ）。 ATRH表示稳压输出电压

has"drooped"下面的编程水平。

IC地面

50

51

52

53

ATRL

ATRH

GND

VSENN

O

I

3.3V CMOS

GND

LV模拟低电压模拟量输入;负输入用于差分感测遥控感

稳压输出电压。该IC可配置为THRE操作模式：监管模式， ATR

模式，并输出过压/欠压模式

LV模拟低电压模拟量输入;积极投入的用于差分感测规定的遥感

输出电压。该IC可配置为THRE模式操作：调节模式， ATR模式，

输出过压/欠压模式

VDD

3.3V CMOS

VCC

电源的逻辑通常设定在3.3V

数字输入;通过为Intersil的ISL6590数字控制器通常提供16.67MHz时钟

控制器接口总线桨

电源输入通常设定在12V 。提供了集成门极驱动器和源极连接

高端PFET

54

VSENP

I

55

56

桨

边栏

1

边栏

2

VDD

SCLK

VCC

VSW

I

O

HV模拟漏高端PFET的。当PWM信号为高电平时， VCC切换到VSW

5