ISL6562
TM
数据表
2001年3月
网络文件编号
9012
微处理器核心电压调节器
两相降压PWM控制器
该ISL6562两相的电流模式， PWM控制集成电路
与同伴栅极驱动器，该HIP6601A ，
HIP6602A ， HIP6603A或HIP6604和MOSFET提供
先进的精密调压系统
微处理器。两相电源转换为一个标记的
从早期的单相转换器CON连接gurations出发
以前采用，以满足日益增加的电流
现代微处理器的需求。多相
器，通过分配权力和负载电流的结果
在具有较少的输入和体积更小，成本更低的晶体管
输出电容器。这些减少的累积较高
有效的转换频率更高的频率纹波
到这个相位交错处理当前因
拓扑结构。例如，两相转换器，在操作
每相的350kHz将具有700kHz的的脉动频率。
这种设计的结果此外，更大的带宽转换器
更快的负载瞬态响应。
该控制器IC包括突出特点
来自微处理器的可编程VID代码那
范围从1.050V至1.825V ，精确度
±0.8%.
拉起电流对这些VID针脚省去了
外部上拉电阻。
此控制IC的另一个特征是，PWRGD显示器
电路保持低电平，直到核心电压增加，以
内的编程电压的18％。过电压， 24 ％
上述程序的核心电压，导致PWRGD
输出变低，表明核心是上面的
特定网络版的限制。根据电压也被检测出，并导致
PWRGD变低，如果核心电压降至18 ％以下
编程水平。过电流保护折回的
输出电压95mV ，降低了控制器的功耗。
这些功能提供了监控和保护的
微处理器和电源系统。
特点
两相电源转换
精确的通道电流共享
精密核心电压调节
-
±0.8%
准确性
微处理器电压Identi网络阳离子输入
- 5位VID输入
- 1.050V至1.825V以25mV步
- 可编程的“下垂”电压
快速瞬态恢复时间
④过电流保护
高纹波频率（频道频率
渠道的次数） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100kHz至2MHz
应用
VRM8.5模块
英特尔图拉丁处理器的电压调节器
低输出电压，大电流DC / DC转换器
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
引脚
ISL6562 （ SOIC ）
顶视图
VID3 1
VID2 2
VID1 3
VID0 4
VID25mV 5
COMP 6
16 VCC
15 REF
CS- 14
13 PWM1
12 PWM2
11 CS +
10 PWRGD
9 GND
订购信息
产品型号
ISL6562CB
ISL6562CB-T
ISL6560/62EVAL1
TEMP 。 （
o
C)
0到70
包
16 Ld的SOIC
PKG 。号
M16.15
7 FB
八号
16 Ld的SOIC卷带
评估平台
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil美洲公司的商标。
英特尔是英特尔公司的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司美洲2001，保留所有权利
ISL6562
框图
REF
VCC
3V参考
PWRGD
+
X 0.82
UVLO和
偏置电路
振荡器
CT
PWM1
控制
逻辑
PWM2
CMP
-
UV
+
X1.24
VID3
VID2
VID1
VID0
VID25mV
FB
COMP
D / A
+
E / A
-
OVP
+
CS +
CS-
-
-
GND
简化的电源系统图
FB
PWM 1
同步
整流降压
通道
微处理器
PWM 2
同步
整流降压
通道
电流检测比较器。要将这个引脚到地
禁止振荡器和驱动两个PWM输出低电平。
FB （引脚7 ）
内部跨导误差的反相输入端
扩增fi er 。
ISL6562
CT （引脚8 ）
此终端上的电容设置内部的频率
振荡器。
VID
功能引脚说明
VID3 1
VID2 2
VID1 3
VID0 4
VID25mV 5
COMP 6
7 FB
八号
16 VCC
15 REF
CS- 14
13 PWM1
12 PWM2
11 CS +
10 PWRGD
9 GND
GND （引脚9 ）
偏置和参考地。所有的信号都参考这个
引脚。
PWRGD （引脚10 ）
漏极开路。该引脚具有高电压电平
电阻器，连接到该终端和VCC表示
核心电压是在适当的水平，
CS + （引脚11）和CS- （引脚14 ）
这些输入监控
提供给转换器正输入端的电压的电流。 CS +是
直接连接到分离的电源电压和
电流取样电阻。 CS - 被连接到另一端
电流采样电阻的上水渠
系列晶体管。
VID3 （引脚1 ） ， VID2 （ 2脚） ， VID1 （ 3脚） ， VID0 （引脚4 ）
和VID25mV （引脚5 ）
电压识别输入的微处理器。这些引脚
回应TTL和3.3V逻辑信号。该ISL6562解码
VID位建立的输出电压。见表1 。
PWM2 （引脚12）和PWM1 （引脚13 ）
PWM输出连接到栅极驱动器集成电路。
REF （引脚15 ）
三个伏电源用于偏置的输出
跨导放大器呃。
COMP （引脚6 ）
输出内部跨导误差放大器洱。
电压在该终端设置的输出电流水平
VCC （引脚16 ）
偏置电源。该引脚连接到12V电源。
2
ISL6562
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至15V
CS + 。 CS- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
PWRGD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC
所有其他的输入和输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至5V
ESD额定值
人体模型（每MIL -STD- 883方法3015.7 ） 。 。 。 。 TBD
机器型号（每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 TBD
热信息
热阻（注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
106
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125
o
C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气连接特定的阳离子
参数
VCC电源电流
输入电源电流
输入电源电流， UVLO模式
欠压锁定电压
欠压锁定滞后
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CC （ UVLO ）
V
UVLO
VCC = 12V
VCC
≤
V
UVLO
， VCC上升
-
-
5.4
0.1
5.8
5.7
6.4
0.4
9.0
8.9
6.9
0.8
mA
mA
V
V
DAC和基准电压
最小的DAC电压程序性
中东DAC电压程序性
最大DAC电压程序性
线路调整
在FB输入撬棍跳变点
撬棍复位点在FB输入
撬棍响应时间
参考电压
输出电流
VID输入
输入低电压
输入高电压
VID拉
内部上拉电压
振荡器
最大频率
频率变化
CT充电电流
CT充电电流
误差放大器器
输出电阻
跨
R
O（ ERR ）
g
M（ ERR ）
-
2.0
200
2.2
-
2.4
k
mS
f
CT （MAX）
f
CT
I
CT
I
CT
T
A
= 25
o
C， CT = 91pF
T
A
= 25
o
C，V
FB
在监管
T
A
= 25
o
C，V
FB
= 0V
2.0
430
130
26
-
500
150
36
-
570
170
46
兆赫
千赫
A
A
V
白细胞介素（ VID ）
V
IH（ VID）
I
VID
VIDx = 0V或VIDx = 3V
-
2.2
10
4.5
-
-
20
5.0
0.6
-
40
5.5
V
V
A
V
V
FB
V
FB
V
FB
V
FB
V
CROWBAR
V
CROWBAR
I
CROWBAR
V
REF
I
REF
DAC编程为1.050V
DAC编程为1.500V
DAC编程为1.825V
VCC = 10V至14V
标称DAC电压百分比
标称DAC电压百分比
过电压为PWM走出低
0mA
≤
I
REF
≤
1mA
1.042
1.488
1.811
-
114
50
-
2.952
300
1.050
1.500
1.825
0.05
124
60
300
3.000
-
1.058
1.512
1.839
-
134
70
-
3.048
-
V
V
V
%
%
%
ns
V
A
3
ISL6562
小外形塑料封装（ SOIC ）
N
指数
区域
E
-B-
H
0.25(0.010) M
B M
M16.15
（ JEDEC MS - 012 -AC ISSUE C）
16引脚窄体小外形塑料
包
英寸
符号
民
0.0532
0.0040
0.013
0.0075
0.3859
0.1497
最大
0.0688
0.0098
0.020
0.0098
0.3937
0.1574
MILLIMETERS
民
1.35
0.10
0.33
0.19
9.80
3.80
最大
1.75
0.25
0.51
0.25
10.00
4.00
笔记
-
-
9
-
3
4
-
-
5
6
7
8
o
-
第0版12/93
1
2
3
飞机座位
L
A
A1
高x 45
o
-A-
B
C
D
D
-C-
A
α
A1
0.10(0.004)
C
E
e
H
h
L
e
B
0.25(0.010) M
A M
B·S
0.050 BSC
0.2284
0.0099
0.016
16
0
o
8
o
0.2440
0.0196
0.050
1.27 BSC
5.80
0.25
0.40
16
0
o
6.20
0.50
1.27
注意事项：
1.符号在“MO系列符号表”中第2.2节中定义
公开号95 。
2.尺寸和公差每ANSI Y14.5M - 1982 。
3.尺寸“D”不包括毛边，突出或毛刺。
毛边，突起和栅极毛刺不得超过0.15毫米（ 0.006
英寸），每边。
4.尺寸“E”不包括引脚间毛边或突起。引脚间
闪光灯和突起不得超过每侧0.25毫米（ 0.010英寸） 。
5.身体上的倒角是可选的。如果它不存在，一个视觉索引
特性必须位于交叉阴影线区域内。
6，“L ”是终端的用来焊接到基板的长度。
7. “N”是终端的位置的数目。
8.终端号码显示仅供参考。
9.引线宽度“B”测得0.36毫米（ 0.014英寸）或更大的以上
飞机座位，不得超过0.61毫米最大值
（ 0.024英寸） 。
10.控制尺寸：毫米。转换英寸尺寸
不一定很精确。
N
α
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在网站www.intersil.com/design/quality查看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或规格在任何时间，恕不另行通知。
因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和可靠。然而
以往，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致其使用。
没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
网络连接CE总部销售
北美
Intersil公司
2401棕榈湾路，邮站53-204
棕榈湾，佛罗里达州32905
电话： （ 321 ） 724-7000
传真： （ 321 ） 724-7240
欧洲
Intersil的SA
美居中心
100街德拉引信
1130布鲁塞尔，比利时
TEL ： （ 32 ） 2.724.2111
FAX ： （ 32 ） 2.724.22.05
亚洲
Intersil公司有限公司
8F -2， 96秒。 1 ，建北郭，
台北，台湾104
中华民国
电话： 886-2-2515-8508
传真： 886-2-2515-8369
5
ISL6560
数据表
2004年10月22日
FN9011.3
微处理器核心电压调节器
两相降压PWM控制器
该ISL6560两相的电流模式， PWM控制集成电路
与同伴栅极驱动器，该HIP6601A ，
HIP6602A ， HIP6603A或HIP6604和MOSFET提供
先进的精密调压系统
微处理器。两相电源转换为一个标记的
从早期的单相转换器CON连接gurations出发
以前采用，以满足日益增加的电流
现代微处理器的需求。多相
转换器，通过分配的功率和负载电流
结果在较小和成本较低的晶体管较少的输入
和输出电容器。这些减少的累积
较高的有效转换频率以更高的频率
纹波电流，由于这个相位交错处理
拓扑结构。例如，两相转换器，在操作
每相的350kHz将具有700kHz的的脉动频率。
更高的转换器的带宽也可以实现的，从而导致
更快的负载瞬态响应。
该控制器的一个显着特点IC包括高
侧电流检测用单个电流取样电阻
在输入线路到输出MOSFET晶体管。这
单电流取样电阻监视每个通道
输入电流保证出色的电流共享。当前
模式控制会导致快速响应不断变化的负载
的要求。
同时展出的还有与精度的可编程VID代码
of
±0.8%
该范围从1.100-1.850V ，并且是由设置
微处理器。向上拉电流，这些VID引脚
不需要外部上拉电阻器。
此控制IC的另一个特征是，PWRGD显示器
电路和负载保护电路可提供过压
保护，过流保护和欠压
指示。
特点
两相电源转换
精确的通道电流共享
精密核心电压调节
-
±0.8%
准确性
微处理器电压识别输入
- VRM 9.0标准
- 5位VID输入
- 1.100至1.850V以25mV步
- 可编程的“下垂”电压
快速瞬态恢复时间
过流保护
高输出纹波频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在100kHz至2MHz
无铅可（符合RoHS ）
应用
VRM9.X模块
AMD速龙处理器的电压调节器
低输出电压，大电流DC / DC转换器
相关文献
技术简介TB363
指引及处理
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD器件）
引脚
ISL6560 （ SOIC ）
顶视图
VID4 1
VID3 2
VID2 3
VID1 4
16 VCC
15 REF
CS- 14
13 PWM1
12 PWM2
11 CS +
10 PWRGD
9 GND
订购信息
产品型号
ISL6560CB
ISL6560CB-T
ISL6560CBZ
（见注）
ISL6560CBZ-T
（见注）
ISL6560/62EVAL1
TEMP 。 （ ° C）
0到70
0到70
包
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M16.15
M16.15
VID0 5
COMP 6
7 FB
八号
16 Ld的SOIC卷带
16 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）
评估平台
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，
这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容
焊接操作。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅
达到或超过的无铅要求的峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD-020C标准。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil美洲公司的商标。
速龙是Advanced Micro Devices公司的商标。
|
版权所有 Intersil公司美洲2003年， 2004年，保留所有权利
ISL6560
框图
REF
VCC
3V参考
PWRGD
UVLO和
偏置电路
振荡器
CT
PWM1
控制
逻辑
PWM2
CMP
+
X 0.82
-
UV
+
X1.24
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
FB
COMP
D / A
E / A
+
-
OVP
+
CS +
CS-
-
-
GND
简化的电源系统图
FB
PWM 1
同步
整流降压
通道
微处理器
PWM 2
同步
整流降压
通道
检测比较。要将这个引脚到地禁用
振荡器和驱动器的两个PWM输出低电平。
FB （引脚7 ）
内部跨导误差的反相输入端
放大器。
ISL6560
CT （引脚8 ）
该引脚上的电容设置内部的频率
振荡器。
VID
功能引脚说明
VID4 1
VID3 2
VID2 3
VID1 4
VID0 5
COMP 6
7 FB
八号
16 VCC
15 REF
CS- 14
13 PWM1
12 PWM2
11 CS +
10 PWRGD
9 GND
GND （引脚9 ）
所有的信号都参考这种偏见和参考接地引脚。
PWRGD （引脚10 ）
该引脚是内部漏极开路。高电压
在这个引脚连接到这个引脚和VCC的电阻水平
表明，核心电压是在适当的水平，
CS + （引脚11）和CS- （引脚14 ）
这些输入监视电源电流的上
的MOSFET。 CS +直接连接到所述去耦
电源电压和电流传感电阻器。 CS-是
连接到电流检测电阻器的另一端
和上MOSFET漏极。
VID4 （引脚1 ） ， VID3 （ 2脚） ， VID2 （ 3脚） ， VID1 （引脚4 ）
和VID0 （引脚5 ）
电压识别输入的微处理器。这些引脚
回应TTL和3.3V逻辑信号。该ISL6560解码
VID位建立的输出电压。见表1 。
PWM2 （引脚12）和PWM1 （引脚13 ）
被连接到栅极驱动器IC的PWM输出。
REF （引脚15 ）
三个伏电源用于偏置的输出
跨导放大器呃。
COMP （引脚6 ）
输出内部跨导误差放大器洱。
电压此引脚设定电流的输出电流水平
VCC （引脚16 ）
连接该偏置电源引脚，以一个12V电源。
2
FN9011.3
ISL6560
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至15V
CS + 。 CS- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
PWRGD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC
所有其他的输入和输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至5V
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .3kV
热信息
热阻（注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125
o
C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
输入电源电流
输入电源电流， UVLO模式
欠压锁定电压
欠压锁定滞后
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CC （ UVLO ）
V
UVLO
VCC = 12V
VCC
≤
V
UVLO
， VCC上升
-
-
5.4
0.1
5.8
5.7
6.4
0.4
9.0
8.9
6.9
0.8
mA
mA
V
V
DAC和基准电压
最小的DAC电压程序性
中东DAC电压程序性
最大DAC电压程序性
线路调整
在FB输入撬棍跳变点
撬棍复位点在FB输入
撬棍响应时间
参考电压
输出电流
VID输入
输入低电压
输入高电压
VID拉
内部上拉电压
振荡器
最大频率
频率变化
CT充电电流
CT充电电流
误差放大器器
输出电阻
跨
输出电流
R
O（ ERR ）
g
M（ ERR ）
Io
（ ERR ）
FB被迫V
OUT
- 3%
-
2.0
-
200
2.2
1
-
2.4
-
k
mS
mA
f
CT （MAX）
f
CT
I
CT
I
CT
T
A
= 25
o
C， CT = 91pF
T
A
= 25
o
C，V
FB
在监管
T
A
= 25
o
C，V
FB
= 0V
2.0
430
130
26
-
500
150
36
-
570
170
46
兆赫
千赫
A
A
V
白细胞介素（ VID ）
V
IH（ VID）
I
VID
VIDx = 0V或VIDx = 3V
-
2.2
10
4.5
-
-
20
5.0
0.6
-
40
5.5
V
V
A
V
V
FB
V
FB
V
FB
V
FB
V
CROWBAR
V
CROWBAR
I
CROWBAR
V
REF
I
REF
DAC编程为1.100V
DAC编程为1.475V
DAC编程为1.850V
VCC = 10V至14V
标称DAC电压百分比
标称DAC电压百分比
过电压为PWM走出低
0mA
≤
I
REF
≤
1mA
1.091
1.463
1.835
-
114
50
-
2.952
1
1.100
1.475
1.850
0.05
124
60
300
3.000
3
1.109
1.487
1.865
-
134
70
-
3.048
-
V
V
V
%
%
%
ns
V
mA
3
FN9011.3
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