PD - 97226A
的DirectFET ？功率MOSFET
符合RoHS
l
无铅（合格高达260 °C回流温度）
l
专用的MOSFET
l
非常适用于高性能隔离式转换器
主开关插座
l
非常适用于控制用FET插座， 36V - 75V的
同步降压应用
l
低传导损耗
l
高与Cdv / dt抗扰性
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装技术
l
IRF6655PbF
IRF6655TRPbF
R
DS （ ON）
Q
OSS
4.5nC
53mΩ @ 10V
典型值（除非另有规定）
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
2.8nC
最大100V ± 20V最大
Q
gs2
0.58nC
Q
rr
37nC
V
GS （ TH）
4.0V
8.7nC
SH
MN
的DirectFET ？等距
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
SH
MQ
MX
MT
描述
该IRF6655PbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装以实现
最低合并的通态电阻和栅极电荷在具有类似的一个微型8的占用面积，并且仅为0.7mm，信息包。该
DirectFET封装与功率应用中使用现有的几何布局，PCB组装设备和汽相兼容，基础设施
红色或对流焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。该
DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，改善以往的最佳热阻
80%.
该IRF6655PbF是为隔离式DC -DC应用的低功率初级桥式电路拓扑优化，并为高侧控制FET插座
在使用非隔离的同步降压DC-DC应用中广泛普及电信系统（ 36V - 75V ） ，并在次级侧
同步整流稳压DC -DC拓扑结构。在加上热perfor-的高电平的设备减少总损失
曼斯可实现高效率和低温度，这是关键的系统可靠性改进，使该器件非常适用于高
性能隔离型DC- DC转换器。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
6
8
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
100
±20
4.2
3.4
19
34
11
5.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
2
4
6
8
ID = 5.0A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
A
mJ
A
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
ID = 5.0A
T J = 125°C
T J = 25°C
10
12
14
16
18
10
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型导通电阻与栅极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.89mH ，R
G
= 25, I
AS
= 5.0A.
www.irf.com
1
08/25/06
IRF6655PbF
100
顶部
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
100
顶部
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
6.0V
底部
6.0V
1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
100
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 5.0A
VGS = 10V
ID ，漏 - 源电流
(Α)
10
典型的RDS（on ） ， （归一化）
12
1.5
T J = -40°C
T J = 25°C
1
T J = 150℃
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
4
6
8
10
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
120
100
T J = 125°C
C，电容（pF ）
1000
西塞
科斯
100
CRSS
80
60
T J = 25°C
VGS = 10V
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
40
0
2
4
6
8
10
ID ，漏电流（ A）
图8 。
典型的电容与漏 - 源极电压
4
图9 。
归一化的典型导通电阻与
漏电流和栅极电压
www.irf.com
QQ：2880707522 复制
